专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种宽电压域SRAM读写时序控制电路及方法-CN202310495657.9有效
  • 刘政林;邓茜;于润泽;黎振豪;汪钊旭 - 华中科技大学
  • 2023-05-05 - 2023-07-14 - G11C11/417
  • 本发明提供了一种宽电压域SRAM读写时序控制电路及方法。控制电路包括:信号锁存模块,在时钟上升沿锁存地址信号、数据信号、使能信号和读写选择信号;时序控制模块根据锁存的使能信号和读写选择信号产生读写操作开启信号和读写标志信号;根据位线放电时间产生复位信号、读出使能信号和预充电使能信号;写驱动模块根据读写操作开启信号、地址信号和写标志信号,产生行选信号和写字线信号;读驱动模块根据读写操作开启信号、行选信号、地址信号和读标志信号产生读字线信号;复制列模块根据复制列的读字线信号进行读操作,并将位线信号输出给时序控制模块。实现了精确控制读操作和写操作的开启和结束时间。
  • 一种电压sram读写时序控制电路方法
  • [发明专利]一种宽电压域SRAM读检错电路、方法及应用-CN202310407633.3有效
  • 刘政林;邓茜;于润泽;黎振豪;汪钊旭 - 华中科技大学
  • 2023-04-17 - 2023-06-23 - G11C29/54
  • 本发明公开了一种宽电压域SRAM读检错电路、方法及应用,属于集成电路设计领域,包括与待检错SRAM阵列中的列电路相同的复制列电路,复制列内的SRAM单元存储固定值,对应读操作时其单元所在位线需要放电的情形,以反映最坏情况下需要的读时间。在SRAM进行读操作时,复制列内与读目标单元位于同一行的单元也进行一次读操作,通过在下一个系统时钟周期上升沿到来时对复制列的输出信号d进行采样,判断SRAM阵列读出正确性,并输出对应的错误标志信号。本发明结构简单,占用面积小,对不同结构的SRAM具有良好的兼容性,适用于采用DVFS技术的系统。
  • 一种电压sram检错电路方法应用
  • [发明专利]一种超低功耗的时序错误预测芯片-CN202310361228.2有效
  • 刘政林;于润泽;邓茜;黎振豪;汪钊旭 - 华中科技大学
  • 2023-04-07 - 2023-06-20 - G06F1/3296
  • 本发明公开了一种超低功耗的时序错误预测芯片,属于芯片设计技术领域,包括:时序错误探测电路、时序错误预测电路、预错窗口调节电路、预错窗口生成电路、电源电压调节辅助计数电路、电源电压调节电路和根节点时钟使能单元;该芯片解决了传统时序错误检测与纠正技术中宽检错窗口与额外面积开销、更低工作电压与更高纠错时钟周期开销之间的关键矛盾;同时解决了传统时序错误预测方法中低压时钟网络延时的高不确定性导致的预测策略失效和芯片面积严重增加的问题。因此,该芯片对于超低工作电压、低面积开销、低纠错时钟周期开销和高错误检测能力的超低功耗芯片设计有着重要意义。
  • 一种功耗时序错误预测芯片
  • [发明专利]一种面向长时间存储的闪存可靠性测试、预测方法-CN202310182421.X在审
  • 刘政林;潘玉茜;于润泽;汪钊旭 - 华中科技大学
  • 2023-02-28 - 2023-05-02 - G11C29/08
  • 本发明公开了一种面向长时间存储的闪存可靠性测试、预测方法。本发明提供的面向长时间存储的闪存可靠性测试方法,基于3D NAND闪存可靠性机制设计能够更好地模拟闪存芯片在长时间存储场景下的可靠性下降过程,考虑自修复效应与阈值电压抖动对测试结果的影响,由于闪存芯片在短时间内错误数的波动较大,因此将其静置预设时间,从而提高测试结果的精度,使测试结果更贴近芯片的实际可靠性。本发明提供的面向长时间存储的闪存可靠性预测方法,以相同制造工艺为基准,在制造工艺相同的多个不同型号芯片测试数据的基础上建立可靠性预测模型,模型具有更好的泛化能力,从而实现对相同制造工艺下的闪存芯片的可靠性预测。
  • 一种面向长时间存储闪存可靠性测试预测方法
  • [发明专利]一种轻量级宽电压域时序错误检测单元-CN202310005970.X有效
  • 刘政林;于润泽;邓茜;黎振豪;汪钊旭 - 华中科技大学
  • 2023-01-04 - 2023-03-17 - H03K5/125
  • 本发明公开了一种轻量级宽电压域时序错误检测单元,包括输入反相器电路、主级错误信号生成电路、从级错误信号锁存电路和输出反相器电路。通过更改主级错误信号生成电路中并联NMOS管数量,实现时序错误检测单元扇入的灵活调节,可以根据设计指标对面积开销与检错响应速度权衡;从级错误信号锁存电路的加入,可以在单元内完成时序错误检测信号的锁存输出。与传统的时序错误检测实现方式相比,本发明无需在根时钟节点处生成错误复位信号,时序错误探测策略的实现不受低电压下高延时时钟网络的影响,在宽电压域下具有更高的功能稳定性。因此,该种轻量级时序错误检测单元能够在低电压下生成稳定的错误检测信号,对超低电压芯片的设计具有重要意义。
  • 一种轻量级电压时序错误检测单元
  • [发明专利]SRAM存储单元阵列、读写方法、控制器及系统-CN202211673015.5有效
  • 刘政林;邓茜;于润泽;黎振豪;汪钊旭 - 华中科技大学
  • 2022-12-26 - 2023-03-10 - G11C11/418
  • 本发明公开了一种SRAM存储单元阵列、读写方法、控制器及系统,属于集成电路设计领域,包括:阵列中的SRAM存储单元包含7个MOS管;每一行中,所有单元的两个写字线连接节点均连接至同一条写字线,且由同一个列选择信号控制的单元的读字线连接节点连接至同一个充电PMOS管;每一列单元的写位线连接节点、写位线非连接节点、读位线连接节点分别连接至一条写位线、一条写位线非和一条读位线;每一个充电PMOS的管源、漏极中,一极连接单元的读字线连接节点,另一极接VDD,栅极接读字线信号;每一条读位线接一个放电NMOS管,所有放电NMOS管的栅极连接相互连接,用于接放电信号。本发明能够减小SRAM存储单元阵列的面积,并优化阵列的读操作性能。
  • sram存储单元阵列读写方法控制器系统
  • [发明专利]一种闪存可靠性特征参数预测方法及系统-CN202211414356.0在审
  • 刘政林;潘玉茜;于润泽;黎振豪;汪钊旭 - 华中科技大学
  • 2022-11-11 - 2023-02-24 - G06F30/3308
  • 本发明公开了一种闪存可靠性特征参数预测方法及系统,属于存储器技术领域。方法包括:S1,在不同目标操作下,分别计算各闪存芯片样本的可靠性特征参数在执行该目标操作前后的变化量,再根据其分布划分动作;S2,接收使用待测闪存芯片的存储系统发送的闪存可靠性状态;S3,基于当前的预测策略,预测所述闪存可靠性状态对应的动作;S4,比较上一轮预测动作与实际动作,得到回报值,并基于所述回报值更新所述预测策略;其中,所述实际动作与所述存储系统执行所述待执行操作后得到的可靠性特征参数的变化量对应;S5,重复执行S2至S4,直至达到停止条件。从而,本发明不需要庞大的训练数据预先训练就能够进行闪存可靠性特征参数预测。
  • 一种闪存可靠性特征参数预测方法系统
  • [发明专利]一种具有低电压纹波输出的数字LDO电路-CN202111267589.8有效
  • 刘政林;汪钊旭;于润泽 - 华中科技大学
  • 2021-10-29 - 2022-07-05 - G05F1/625
  • 本发明属于数字LDO电路技术领域,具体涉及一种具有低电压纹波输出的数字LDO电路,包括:时钟比较器,双向移位寄存器,开关阵列,电压纹波降低电路及控制其开关的模式控制电路;双向移位寄存器的并行输出端连接电压纹波降低电路的输入端;电压纹波降低电路的输出端连接开关阵列;模式控制电路用于在接收到负载发送的电阻未发生变化的信号时控制电压纹波降低电路开启;开启的电压纹波降低电路用于保持开启时刻开关阵列中各个开关的开关状态,锁存并行输出端中各个输出端向开关阵列的输入电压。本发明使用附加电路停止数字LDO中开关阵列的变化,使其近似成为一个恒流源,这样当负载较为稳定时,可以完全消除电压纹波。
  • 一种具有电压输出数字ldo电路
  • [发明专利]一种用于矩阵乘法密集型算法的可重构矩阵乘法加速系统-CN202011264343.0在审
  • 王超;余国义;詹翊;汪钊旭 - 华中科技大学
  • 2020-11-12 - 2021-02-23 - G06F17/16
  • 本发明公开了一种用于矩阵乘法密集型算法的可重构矩阵乘法加速系统,包括:缓存器、可重构矩阵乘法控制器、存储控制器、数据存储器和可重构运算阵列;本发明通过可重构矩阵乘法控制器预先统计矩阵乘法密集型算法中所有进行矩阵乘法运算的矩阵尺寸及矩阵乘法运算量,对算法中的各矩阵乘法进行分类,并确定可重构运算阵列的规模及所具有的工作模式,使得当待计算矩阵乘法输入系统中时,基于矩阵尺寸判断矩阵乘法的类别以确定可重构运算阵列的工作模式,并根据该工作模式对应配置存储控制器对矩阵进行分割,同时配置可重构运算阵列中运算单元的互联及可重构运算阵列中的数据流来完成矩阵乘法运算,大大提升矩阵乘法密集型算法中矩阵乘法的运算效率。
  • 一种用于矩阵乘法密集型算法可重构加速系统
  • [发明专利]一种闪存存储装置的失效预警装置及失效预警方法-CN202011085252.0在审
  • 刘政林;潘玉茜;陈卓;林羽盛;汪钊旭;齐明阳 - 华中科技大学
  • 2020-10-12 - 2021-02-02 - G11C16/34
  • 本发明公开了一种闪存储装置的失效预警装置及失效预警方法,属于闪存可靠性保障技术领域,包括:特征量获取模块和失效判断模块;特征量获取模块,用于测量目标单元的特征量并发送至失效判断模块;目标单元为闪存存储装置中需要进行质量度量的单元,特征量的变化能够体现闪存存储装置的可靠性变化,且特征量包括编程/擦除操作次数和错误率之外的至少一种参数;失效判断模块,用于判断特征量获取模块测量得到的特征量是否满足预设的失效预警条件,若满足,则判定闪存存储装置存在失效的可能并发出预警信息。本发明能够准确地对闪存存储装置进行失效预警,同时不会影响闪存存储装置的性能。
  • 一种闪存存储装置失效预警方法
  • [实用新型]一种用于检测水闸堤坝承受力的检测装置-CN202020915638.9有效
  • 何金泉;卢海军;汪钊旭 - 广东东水工程项目管理有限公司
  • 2020-05-27 - 2021-01-19 - G01L11/00
  • 本实用新型属于水利检测设备领域,尤其为一种用于检测水闸堤坝承受力的检测装置,包括承载机构、封闭机构和复位机构,所述承载机构包括圆杯筒和固定在其内壁的压力传感器,所述压力传感器与外部控制器信号连接,所述压力传感器位于所述圆杯筒的封闭端中间位置处,所述圆杯筒的内壁滑动连接有推板;在水发生涌动时,水的冲击力作用在推板上,推板向压力传感器方向发生位移,推板的冲击力作用在圆杯筒内部的水上,压力传感器可直接检测到压力的变化,从而得知水涌动时的冲击力,被挤压的水可经由疏通孔排出,且在检测时,水草等杂质经由推板进行阻挡,不会进入到圆杯筒内部,不会对压力的传输造成影响,检测精度较高。
  • 一种用于检测水闸堤坝承受力装置
  • [发明专利]一种工程管理信息备份系统-CN202010514672.X在审
  • 汪钊旭;尹健昌;张松;马荣军;何金泉 - 广东东水工程项目管理有限公司
  • 2020-06-08 - 2020-10-23 - G06F11/14
  • 本发明公开了一种工程管理信息备份系统,包括系统底座,所述系统底座的上端安装有备份系统主体,所述备份系统主体的上端安装有系统顶板,所述系统顶板的上端安装有连接件,所述连接件的上端安装有显示器,所述显示器的前端面设置有显示屏,所述备份系统主体右侧壁的下侧安装有盘用格栅,所述盘用格栅的内部安装有除尘风扇主体,所述除尘风扇主体的中部安装有转动轴,本发明在工程数据库管理系统中ARIES协议的基础上提供了备份进程的故障恢复功能,避免了在遇到程序异常退出、与服务器之间连接的断开、电脑系统崩溃断电而导致系统退出时使得之前的工作成果由于未保存而瞬间丢失的情况。
  • 一种工程管理信息备份系统

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