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[发明专利]缺陷诊断方法、电子设备、存储介质及程序产品-CN202310651057.7在审
发明人：韩娜;李梦亚 -专利权人： 江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请提供了缺陷诊断方法、电子设备、存储介质及程序产品，用于对外延片的缺陷进行诊断，所述方法包括：在所述外延片的制备过程中，分别在每个制备工序完成后对所述外延片进行第一检测，得到每个制备工序的第一检测数据；当制备完成的所述外延片不满足预设的合格条件时，根据每个制备工序的第一检测数据，得到每个制备工序的第一诊断结果，所述第一诊断结果用于指示是否存在第一缺陷；当至少一个制备工序的第一诊断结果指示存在第一缺陷时，向终端设备发送第一缺陷信息，所述第一缺陷信息至少包括存在第一缺陷的制备工序的标识。本申请可以迅速定位存在缺陷的制备工序，为后续的缺陷修复和工艺改进提供有价值的参考。
缺陷诊断方法电子设备存储介质程序产品

[发明专利]发光二极管及其制备方法-CN202111654387.9有效
发明人：闫其昂;王国斌 -专利权人： 江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管及其制备方法。发光二极管的制备方法包括：提供衬底；于衬底的上表面形成外延结构，外延结构包括第一限制材料层和发光层，发光层位于第一限制材料层的上表面；第一限制材料层中包含In，且In的组分沿第一限制材料层的厚度方向渐变；对第一限制材料层进行处理，消耗部分第一限制材料层以形成第一限制区域及第一限制层，第一限制区域位于第一限制层的外围；其中，第一限制层靠近发光层的表面尺寸小于发光层的尺寸，且小于第一限制层背离发光层的表面尺寸。上述发光二极管的制备方法可以提高载流子的注入效率，同时增强载流子在其他功能层中的扩展效果。
发光二极管及其制备方法

[发明专利]半导体衬底及其制备方法、半导体器件及其制备方法-CN202111432273.X有效
发明人：王国斌;闫其昂;刘宗亮 -专利权人： 江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体衬底及其制备方法、半导体器件及其制备方法。其中，半导体衬底及其制备方法包括：提供半导体基础衬底；将半导体基础衬底放入刻蚀腔室内；对半导体基础衬底的材料表面进行化学分解，以形成凸起结构；以第一刻蚀功率对形成有凸起结构的半导体基础衬底进行刻蚀，以形成半导体衬底。本申请实施例形成具有凹坑结构的半导体衬底，一方面可以有效缓解应力，另一方面可以提高半导体器件中，形成于半导体衬底上的有源层的面积。
半导体衬底及其制备方法半导体器件

[发明专利]一种低背景浓度氮化镓外延结构的制备方法及其外延结构-CN202210758795.7有效
发明人：王国斌;周溯沅 -专利权人： 江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种低背景浓度氮化镓外延结构的制备方法及其外延结构，包括：在衬底层上沉积氮化铝缓冲层，阻挡衬底层上吸附的O杂质；反应腔室在第一V/III比的条件下，持续通入镓源和氮源，以便在所述氮化铝缓冲层上生成氮化镓粗化层，减少氮化镓中穿透位错等线缺陷的形成，阻断后序外延层材料杂质并入根源；所述反应腔室在第二V/III比的条件下，持续通入所述镓源和所述氮源，以便在所述氮化镓粗化层上生长氮化镓恢复层，减少氮空位的产生，为后续生长低背景浓度；所述反应腔室在第三V/III比的条件下，持续通入所述镓源和所述氮源，以便在所述氮化镓恢复层上生长低背景浓度氮化镓层；减少氮空位的产生，以及C、Si杂质的并入，降低氮化镓的背景浓度。
一种背景浓度氮化外延结构制备方法及其

[发明专利]外延结构、其制作方法及深紫外消杀装置-CN202310867965.X在审
发明人：李利哲;王国斌 -专利权人： 江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延结构、其制作方法及深紫外消杀装置。所述外延结构包括沿指定方向依次设置的衬底、缓冲层、N型层、多量子阱层和P型层；所述缓冲层包括沿指定方向依次设置的第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层、第二缓冲层和N型层均具有孔洞结构，并且第二缓冲层的孔洞密度小于第一缓冲层的孔洞密度。本发明中的双层结构的缓冲层能够提高上层结构的晶体质量，并且双层结构的缓冲层中均具有孔洞结构，一方面孔洞结构可以缓解在制备深紫外半导体发光器件的层结构之间的应力，另一方面也能够实现对深紫外光的散射，提高了光提取效率，出光强度更大。
外延结构制作方法深紫外消杀装置

[发明专利]基于III族氮化物量子点的半导体发光结构制备方法及器件-CN202210677343.6有效
发明人：王国斌;闫其昂 -专利权人： 江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于III族氮化物量子点的半导体发光结构制备方法及器件。该半导体发光结构包括依次设置的极性氮化物单晶衬底、第一导电类型的第一III族氮化物层、多量子阱有源区和第二导电类型的第二III族氮化物层；多量子阱有源区包含一个以上周期结构，一个周期结构包括依次设置的量子垒层、量子点基底层、量子阱层和帽层；量子点基底层具有多孔结构，其中多个孔洞沿厚度方向贯穿量子点基底层；量子阱层包括多个III族氮化物量子点，每一III族氮化物量子点至少局部嵌入相应一所述孔洞内。本申请能有效降低极性GaN材料的极化效应，加强电子空穴波函数的重叠，改善半导体发光器件在大电流密度下的工作效率，并使其具有发光强度高和发光均匀性好等特点。
基于 iii 氮化物量子半导体发光结构制备方法器件

[发明专利]深紫外半导体发光器件、其制作方法及深紫外消杀装置-CN202310864724.X有效
发明人：李利哲;苏敏 -专利权人： 江苏第三代半导体研究院有限公司;苏州市独墅湖医院（苏州大学附属独墅湖医院）
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种深紫外半导体发光器件、其制作方法及深紫外消杀装置。所述器件包括：半导体结构、P型电极和N型电极，半导体结构包括沿指定方向依次设置的缓冲层、N型层、多量子阱层和P型层，缓冲层和N型层均具有孔洞结构；P型电极包括高功函数材料层和金属电极层，高功函数材料层与P型层电性接触，金属电极层设置在高功函数材料层上；N型电极与N型层电性接触；金属电极层包括沿指定方向依次设置在高功函数材料层上的反射金属层和保护金属层。本发明中的P型电极整体表现出来良好的深紫外反射性能，并显著降低了P型电极对紫外光的吸收，大幅提高了光提取效率，配合具有孔洞结构的缓冲层和N型层，最终获得了优异的深紫外发光效率。
深紫半导体发光器件制作方法外消杀装置

[发明专利]载流子扩展结构、生长方法及外延片-CN202111633493.9有效
发明人：闫其昂;王国斌 -专利权人： 江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种载流子扩展结构、生长方法及外延片，所述载流子扩展结构生长在浅发光层上，包括：缓冲层单元；电子限制层单元，生长在所述缓冲层单元上；所述缓冲层单元和电子限制层单元中均包括交替生长的InGaN体系材料层和GaN体系材料层，其中，位于所述电子限制层单元中的GaN体系材料层包括依次生长的uGaN前限制层、nAlxGa1‑xN中限制层、uGaN后限制层。本发明的载流子扩展结构，生长在浅发光层与发光层之间，实现降低电子溢出，提高空穴注入发光层的几率，提升发光效率。
载流子扩展结构生长方法外延

[发明专利]MOCVD设备的复机方法及外延片的制备方法-CN202310651846.0在审
发明人：闫其昂;周溯沅;王国斌 -专利权人： 江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种MOCVD设备的复机方法及外延片的制备方法，所述复机方法包括：对所述反应腔的内壁进行重沉积，形成重沉积层；对所述重沉积层进行涂层沉积，形成涂层；其中，所述重沉积层所用材料包括液态的有机金属源。本发明提供的复机方法通过重沉积提高了复机效率，提高了外延生长的生产产能，降低了成本。而且，本发明提供的复机方法具有稳定的沉积工艺，为后续量产工艺提供了稳定的复机环境，解决了MOCVD复机流程繁复、复机周期时间长以及开腔维护后腔体里面的环境发生变化导致外延生长初期电性异常的问题。
mocvd 设备复机方法外延制备

[发明专利]MOCVD设备的复机方法及外延片的制备方法-CN202310652700.8在审
发明人：闫其昂;周溯沅;王国斌 -专利权人： 江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种MOCVD设备的复机方法及外延片的制备方法，所述复机方法包括：对所述反应腔进行热预处理；对所述反应腔进行第一涂层处理，以在所述反应腔的内壁上形成第一涂层；对所述反应腔进行第二涂层处理，以在所述第一涂层上形成第二涂层；其中，所述第一涂层的材料包括Ga源；所述第二涂层的材料包括In源和/或Mg源，所述第二涂层所用材料的蒸气压大于或等于设定值。本发明提供的复机方法能够解决现有技术中MOCVD机台复机流程繁琐、复机周期时间长以及开腔维护后腔体里面的环境发生变化导致外延生长初期电性异常的问题。
mocvd 设备复机方法外延制备

[发明专利]一种Micro LED器件及其制备方法-CN202310646261.X在审
发明人：王阳 -专利权人： 江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种Micro LED器件及其制备方法，本发明涉及半导体领域。Micro LED器件包括衬底、电子提供层、阵列分布的多个纳米柱以及有源层；电子提供层设置于衬底上；多个纳米柱设置于电子提供层上；有源层设置于电子提供层上；空穴提供层设置于纳米柱和有源层上；其中，有源层包括阵列分布的多个发光单元，发光单元位于相邻的纳米柱之间的间隙中；纳米柱的方块电阻大于设定值，以隔离相邻的发光单元，因此可以在无需刻蚀的情况下实现不同发光单元间的隔离，有效避免了刻蚀损伤对Micro LED器件性能的影响，而且可以提高器件辐射复合效率，满足微显示的应用需求。
一种 micro led 器件及其制备方法

[发明专利]一种外延片及其制备方法和应用-CN202310594483.1在审
发明人：闫其昂;王国斌 -专利权人： 江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明提供一种外延片及其制备方法和应用，所述外延片包括依次层叠设置的衬底、氮化物成核层、复合层和外延层；所述氮化物成核层为3维岛状结构；所述复合层包括沿着远离衬底的方向交替层叠设置的至少两层插入层和至少两层粗化层。本发明通过在氮化物成核层和外延层之间设置至少两层插入层和至少两层粗化层，获得了高晶体质量的外延片，相比于常规外延片，本发明制备的外延片具有更低的应力和更低的位错密度，可满足半导体高端产品应用需求。
一种外延及其制备方法应用

[发明专利]外延片及其制作方法和应用-CN202111572168.6有效
发明人：闫其昂;王国斌 -专利权人： 江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延片及其制作方法和应用。所述外延片包括依次形成的缓冲层、插入层和第一半导体层；其中，所述插入层包括：形成在所述缓冲层上的第一AlInN层，以及形成在所述第一AlInN层上的第二AlInN层，所述第二AlInN层的生长温度高于第一AlInN层的生长温度，且所述第二AlInN层与第一半导体层晶格匹配。本发明实施例提供的一种氮化镓基蓝绿光二极管外延片，在缓冲层和第一半导体层之间生长AlInN插入层取代传统高温非故意掺杂氮化物层，在提升外延片生长质量的同时，还减小了外延片的翘曲，提高了外延片的良率。
外延及其制作方法应用

[发明专利]缺陷检测数据处理方法、电子设备、存储介质及程序产品-CN202310651673.2在审
发明人：韩娜;李梦亚 -专利权人： 江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G06F18/24 文献下载
摘要：本申请提供了缺陷检测数据处理方法、电子设备、存储介质及程序产品，用于对多个批次的产品的缺陷检测数据进行处理，所述产品是半导体产品，所述方法包括：获取多个批次的产品的工艺数据和缺陷检测数据，所述工艺数据包括用于制造所述产品的多个工序和每个工序的工艺参数，不同批次对应的工艺数据不同；根据每个批次的产品的缺陷检测数据，分别对每个批次的产品缺陷进行分类，以得到每个批次的统计结果，每个批次的统计结果包括多种缺陷类型以及每种缺陷类型对应的占比；根据多个批次的统计结果，对所述工艺数据进行调整。本申请用于对多个批次的产品的缺陷检测数据进行处理，提高半导体产品缺陷检测和工艺优化的准确性和效率。
缺陷检测数据处理方法电子设备存储介质程序产品

[发明专利]一种micro LED的制备方法-CN202111646434.5有效
发明人：李利哲;王国斌 -专利权人： 江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种micro LED的制备方法。通过将掩膜版的挡板结构取下，暴露所述掩膜版开口区域内部的贯通区域，对所述贯通区域内的光阻层进行曝光处理，在所述光阻层上形成贯通的开口，再分别对不同子像素区域进行沉积，在进行沉积时仅打开需要沉积的子像素区域对应的挡板结构，并将其他子像素区域对应的开口区域遮挡，保证在不同的子像素区域中仅有单一颜色的发光材料层形成，将所有被遮挡的开口区域的挡板结构取下，在所有发光材料层上形成P型半导体层，在所述P型半导体层上形成每个子像素区域的P型电极，在所述N型半导体层上形成不同子像素共用的N型电极。
一种 micro led 制备方法

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