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[发明专利]采用补偿硅料的n型单晶硅拉制方法-CN201510145846.9有效
发明人：高文秀;李帅;赵百通 -专利权人： 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用补偿硅料的n型单晶硅拉制方法，包括如下步骤a)选用含有磷和硼的n型多晶硅原料；b)将n型多晶硅原料投入单晶炉主加热腔室中，加热熔化后使用n型晶向的籽晶引晶拉制形成单晶硅棒；c)将单晶硅棒向上提起放入单晶炉副腔室，关闭主加热腔室与副腔室闸板，并向副腔室冲入氩气，对单晶硅棒进行冷却。本发明通过选用含有磷和硼的n型多晶硅原料，无需再添加额外的n型或p型掺杂剂，降低太阳能电池成本；并且由于硅液中同时含有大量的磷和硼，一定含量的硼的分凝，对于磷的小的分凝系数所造成的电阻率分布梯度大，起到一定的补偿的作用，从而使得n型单晶硅片的电阻率分布更加集中均匀。
采用补偿单晶硅拉制方法

[发明专利]采用籽晶引导的硅片制作设备及其控制方法-CN201510165541.4有效
发明人：高文秀;李帅;赵百通 -专利权人： 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司
申请日： 2015-04-09 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： C30B28/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用籽晶引导的硅片制作设备及其控制方法，所述硅片制作设备包括炉体，所述炉体内设有用于盛放熔融硅液的石英坩埚，所述石英坩埚的外侧周围设有加热器，其中，所述石英坩埚的上方设有相变蓄热块，所述相变蓄热块的两侧对称设有片状矩形籽晶和籽晶夹板，所述片状矩形籽晶固定在与升降机构相连的籽晶夹持器上。本发明提供的采用籽晶引导的硅片制作设备及其控制方法，通过采用相变蓄热块吸收硅液面热量，硅片直接形成于硅液表面，由籽晶夹板挤压硅片脱离籽晶，安全可靠，温度恒定，生长硅片的晶向可控，位错少，籽晶引导生长速率块，能够极大的节省硅材料并降低单个硅片的能耗。
采用籽晶引导硅片制作设备及其控制方法

[发明专利]一种实现在线电阻率调试的单晶炉及其控制方法-CN201510145395.9有效
发明人：高文秀;赵百通;李帅 -专利权人： 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现在线电阻率调试的单晶炉及其控制方法，所述单晶炉包括顶部的副腔室与底部的加热腔室，所述副腔室与加热腔室之间设有活动隔板，所述副腔室的侧壁安装有伸缩杆和加料腔室，所述伸缩杆为硬质空心杆，所述硬质空心杆的杆头上安装有电阻率测试探头，所述电阻率测试探头的连接导线处于硬质空心杆中；所述加料腔室带有内外密封盖板并连接有惰性气体管路。本发明通过设置活动隔板割离副腔室与加热腔室，并在副腔室侧壁安装带探头的伸缩杆和可独立封闭的加料腔室，从而可方便及时地根据需要随时在硅熔液中加入不同掺杂剂，对电阻率进行在线调节，大大提高拉制单晶硅棒的质量。
一种实现在线电阻率调试单晶炉及其控制方法

[发明专利]一种负压式硅片制作设备及其控制方法-CN201510166783.5有效
发明人：高文秀;李帅;赵百通 -专利权人： 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司
申请日： 2015-04-09 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种负压式硅片制作设备及其控制方法，包括炉体，所述炉体内设有用于盛放硅液的坩埚，所述坩埚的外侧周围设有加热器，所述坩埚的上方设有硅片提取单元，所述硅片提取单元包括可一起上下移动的冷却腔和扩容减压室，所述冷却腔伸入到扩容减压室中，所述扩容减压室的上端封闭，下端开口并在开口处设有耐温挂件，所述耐温挂件围绕在冷却腔的周围并伸出冷却腔的底部，所述冷却腔的外壁、扩容减压室的内壁以及硅液之间可形成密闭负压腔，所述炉体上设有硅片承接板，所述硅片承接板上设有高频感应线圈。本发明可实现由硅熔液直接形成硅片的过程，硅片厚度薄，重复性好，大大节省了硅材料及单个硅片的能耗，并降低硅太阳能电池成本。
一种负压式硅片制作设备及其控制方法

[发明专利]采用氧化层辅助的硅片制作设备及其控制方法-CN201510167500.9有效
发明人：高文秀;李帅;赵百通 -专利权人： 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司
申请日： 2015-04-09 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用氧化层辅助的硅片制作设备及其控制方法，包括炉体，所述炉体内设有石英坩埚，所述石英坩埚的外侧周围设有加热器，上方设有薄石英管，所述薄石英管的一端开口向下，另一端固定在夹持器上，所述夹持器和驱动电机相连并可带动薄石英管一起旋转升降，所述薄石英管内设有气冷腔，所述气冷腔中通有冷却气体，所述气冷腔的底部设有微细气孔且位于薄石英管开口端的上方，所述薄石英管的一侧设有激光切割器，另一侧设有硅片承接板。本发明采用薄石英管作为硅片成型限边，由气冷腔底端的微细气孔喷出的氧化气流接触硅液面，形成具有氧化层的硅片并直接采用激光切割，从而避免浪费硅料，并可有效缓解硅片应力，避免硅片晶向错位。
采用氧化辅助硅片制作设备及其控制方法

[发明专利]一种多晶硅和准单晶硅铸锭炉及其使用方法-CN201410155592.4有效
发明人：李帅;赵百通;高文秀 -专利权人： 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司
申请日： 2014-04-17 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅和准单晶硅铸锭炉及其使用方法，所述铸锭炉包括石英坩埚，其中，所述石英坩埚的外侧设有第一感应加热器，底部设有第二感应加热器，顶部设有第三感应加热器，所述石英坩埚外设有石墨坩埚，所述石英坩埚和石墨坩埚之间设有隔热层，所述第一感应加热器围绕设置在石墨坩埚的外侧。本发明提供的多晶硅和准单晶硅铸锭炉及其使用方法，通过采用双层坩埚并在不同方位设置多个感应加热器，利用螺旋线圈产生交变磁场在多晶硅原料和溶液内产生涡旋电流，由于感应线圈处在高温热区之外，加热时热损耗较少；通过对感应加热器的线圈排布进行优化设计，在炉内实现精准的定向温度梯度，更好地控制长晶方向并进行快速的定向凝固。
一种多晶单晶硅铸锭及其使用方法

[发明专利]一种用于太阳能电池的多晶硅制作方法-CN201410152590.X有效
发明人：高文秀;李帅;赵百通 -专利权人： 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司
申请日： 2014-04-16 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于太阳能电池的多晶硅制作方法，包括如下步骤a)首先提供金属硅原料，并用冶炼提纯法去除原料中的过渡族及碱金属；b)接着继续采用冶炼提纯法去除原料中的磷、硼和锗；c)再将冶炼提纯后的多晶硅熔液倒入可进行定向凝固的容器里凝固成型，形成多晶硅锭；d)检测多晶硅锭表面电阻率，并对检测值符合预设值的多晶硅锭进行破碎处理；e)最后将破碎后的多晶硅碎块装入石英坩埚中，并将石英坩埚装入铸锭炉内，进行铸锭。本发明通过冶炼提纯和定向凝固控制多晶硅锭中磷、硼和锗的合理含量，从而无需掺杂流程即可提高硅太阳能电池的光电转换效率，且使得多晶硅太阳能电池效率下降较少，具有更加稳定的效率输出。
一种用于太阳能电池多晶制作方法

[实用新型]一种电泳电源设备-CN201620621216.4有效
发明人：高文秀;赵百通;李帅 -专利权人： 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电泳电源设备，主要包括PLC控制器、主电路、交流电源控制电路、数据采集放大电路和电柜门面，所述PLC控制器分别与主电路、交流电源控制电路、数据采集电路和电柜门面连接，所述主电路包括三相全波整流电路、滤波电路、全桥逆变电路、高频功率变压器和整流滤波输出电路,所述全桥逆变电路采用IGBT开关器件；可以克服现有技术中电泳电源对电网谐波的污染，提高控制精度，同时增大电压和电流的输出范围，同时通过PLC控制器实现对温度和氩气流量的自动或手动调节，从而提高三维电场控制电泳除硼去磷工艺的控制精度。
一种电泳电源设备

[发明专利]一种硅太阳能电池背板及其制作方法-CN201410153100.8有效
发明人：高文秀;李帅;赵百通 -专利权人： 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司
申请日： 2014-04-16 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L31/049 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅太阳能电池背板及其制作方法，所述硅太阳能电池背板，包括硅片基板和铝膜，其中，所述铝膜印刷在硅片基板上，所述铝膜和硅片基板之间设有钛掺杂层；制作步骤如下：a)首先提供硅片基板；b)接着在硅片基板背表面通过离子注入的方式注入钛原子；c)再将硅片基板放入激光快速熔融系统中，在硅片基板背表面形成钛掺杂层；d)最后对具有钛掺杂层的硅片基板背表面进行铝浆印刷和烧结，形成覆盖在钛掺杂层上的铝膜。本发明提供的硅太阳能电池背板及其制作方法，在硅片基板背面表层均匀掺杂指定浓度范围的钛元素形成红外吸收层，从而可大幅度提高硅太阳能电池对红外波段的吸收系数，进而提高太阳能电池的效率。
一种太阳能电池背板及其制作方法

[发明专利]多级吹扫式硅片制绒处理装置及其控制方法-CN201510167176.0有效
发明人：高文秀;李帅;赵百通 -专利权人： 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司
申请日： 2015-04-09 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种多级吹扫式硅片制绒处理装置及其控制方法，包括反应腔室，所述反应腔室内设有硅片运动载台，其中，所述反应腔室上至少设有两个等离子体下游吹扫式处理单元，所述反应腔室的进口处设有前缓冲腔室和前闸板阀，所述反应腔室的出口处设有后缓冲腔室和后闸板阀，所述反应腔室上靠近后缓冲腔室处设有反应腔真空抽口，所述硅片运动载台的下方设有恒温辐射块。本发明提供的多级吹扫式硅片制绒处理装置及其控制方法，采用了多级吹扫式硅片处理单元，可方便采用独立的工作气体流量比例及刻蚀时间，实现快捷高效的硅片处理过程；配合硅片运动载台及恒温辐射块提高刻蚀速率，从而实现在线连续处理，并提高硅片制绒效果。
多级吹扫式硅片处理装置及其控制方法

[发明专利]一种准单晶硅锭生长方法-CN201410214862.4有效
发明人：高文秀;李帅;赵百通 -专利权人： 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种准单晶硅锭生长方法，包括如下步骤：a)在石英坩埚内将多晶硅料加热熔化形成硅熔液；b)对籽晶预热后，将籽晶由上向下移动浸入硅熔液内；c)控制籽晶的旋转速度并缓慢提升籽晶，从籽晶和硅熔液的接触面向下及四周生长形成准单晶锭；d）当准单晶锭的生长比重达到预设阈值时，结束晶体生长，降温至退火温度，冷却出炉。本发明提供的准单晶硅锭生长方法，将籽晶由上向下浸入硅熔液内，通过控制籽晶的旋转和向上提升，使得准单晶锭在生长时与石英坩埚壁之间存在液态硅，有效避免准单晶硅锭与坩埚壁直接接触，从而具有单晶率高，位错率低的优点；且无坩埚接触污染，无需去除边皮层。
一种单晶硅生长方法

[实用新型]一种硅的提纯包-CN201620603685.3有效
发明人：高文秀;赵百通;李帅 -专利权人： 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅的提纯包，一种硅的提纯包，包括包体与包盖，所述包体为上端开口的箱式结构，在所述包体上设置有包盖，在所述包体下部设置有水冷底盘，在所述包盖上氩气管与抽真空管，在所述包盖下方设置有加热器。本实用新型所公开的一种硅的提纯包，与传统设备提纯铸锭炉相比较，制作成本降低了30倍；本实用新型的提纯包每包提纯硅最大可达3000Kg以上，实现了铸锭炉提纯无法实现的产量，降低了其单位质量成本；本实用新型技术方案用电量大大减少，是传统设备的五分之一，实现了环保提纯硅工艺，提纯硅工艺简单，成本低；与传统设备提纯铸锭炉相比较，本实用新型制作成本降低了30倍。
一种提纯

[发明专利]一种硅的提纯方法及提纯包-CN201610441219.4在审
发明人：高文秀;赵百通;李帅 -专利权人： 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅的提纯方法，包括以下步骤：步骤一，将固态硅加热熔化，熔化温度为1550‑1800℃；步骤二：将步骤一熔化后的液态硅放置在提纯包内，在氩气环境下加热提纯包至1450~1700℃后，再将提纯包逐渐降温至1450℃，使液态硅由下至上凝固提纯。同时，本发明还公开了用于上述硅的提纯方法的提纯包。本发明所公开的一种硅的提纯方法，具有环保、节能和低成本等特点，提纯硅工艺简单，成本低，工艺简洁、无安全生产隐患，且生产过程中无粉尘、噪音、振动、大宗工业垃圾以及有毒有害气体排放。与其配套的提纯包，设备制造成本低，与传统设备提纯铸锭炉相比较，本发明制作成本降低了30倍。
一种提纯方法

[发明专利]一种电泳电源设备-CN201610455898.0在审
发明人：高文秀;赵百通;李帅 -专利权人： 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电泳电源设备，主要包括：PLC控制器、主电路、交流电源控制电路、数据采集放大电路和电柜门面，所述PLC控制器分别与主电路、交流电源控制电路、数据采集电路和电柜门面连接，所述主电路包括三相全波整流电路、滤波电路、全桥逆变电路、高频功率变压器和整流滤波输出电路，所述全桥逆变电路采用IGBT开关器件；可以克服现有技术中电泳电源对电网谐波的污染，提高控制精度，同时增大电压和电流的输出范围，同时通过PLC控制器实现对温度和氩气流量的自动或手动调节，从而提高三维电场控制电泳除硼去磷工艺的控制精度。
一种电泳电源设备

[实用新型]一种多晶硅料智能检测和分类运输装置-CN201521095868.0有效
发明人：高文秀;赵百通;李帅 -专利权人： 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型提供一种多晶硅料智能检测和分类运输装置，包括第一运输带，第一运输带上放置待检测硅块，在第一运输带两侧依次设有p/n检测仪、少子寿命/电阻率测试仪、数量检测仪和第一智能分类系统，第一智能检测系统根据检测的结果对硅块进行分区放置，分区包括第一分类区、第二分类区和第三分类区，第一分类区、第二分类区和第三分类区在所述第一运输带下方并与第一运输带垂直设置。本实用新型的全自动检测和分类运输装置，工作效率高，节省时间80%；大大减少操作员和人工成本，只需1人现场检查设备正常运行即可；降低人为检测误差，质量稳定易控制，易形成标准化。大大加快了结构产业化技术升级，极有助于光伏产业化发展。
一种多晶智能检测分类运输装置

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