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[发明专利]氮化物半导体器件-CN201480019229.8在审
发明人：森下敏;民谷哲也;仲山宽 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2014-01-27 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：氮化物半导体器件包括：衬底(10)；氮化物半导体层叠体(1、2)；和电极金属层(13)。电极金属层(13)包括：第一金属层(24)，该第一金属层(24)与氮化半导体层叠体(1、2)接合，并且具有包含多个柱部(A)的微细柱状构造；和第二金属层(25)，该第二金属层(25)层叠在第一金属层(24)上，并且具有包含多个柱部(B)的微细柱状构造，第二金属层(25)的微细柱状构造的柱部(B)的粗细方向的平均尺寸，大于第一金属层(24)的微细柱状构造的柱部(A)的粗细方向的平均尺寸。
氮化物半导体器件

[发明专利]光学元件模块、电子元件模块及其制造方法-CN200910176294.2有效
发明人：矢野祐司;仲桥孝博;民谷哲也 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2009-09-24 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： G02B7/02 文献下载
摘要：本发明涉及光学元件、光学元件晶片、光学元件晶片模块、光学元件模块、制造光学元件模块的方法、电子元件晶片模块、制造电子元件模块的方法、电子元件模块以及电子信息设。根据本发明的光学元件包括：在其中央部分处的光学表面；在光学表面的外周侧具有预定厚度的隔离物部；在透明树脂材料内部的包括一个或多个穿过光学表面的通孔的支撑板；以及穿透部分和/或凹部分，用于在形成树脂时在支撑板的更外的外周部分中释放树脂材料。
光学元件模块电子元件及其制造方法