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[发明专利]一种高纯钛酸锶粉体研磨设备-CN202311060020.3在审
发明人： 毕孝国 -专利权人：沈阳鑫谱晶体科技有限公司
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B02C17/10 文献下载
摘要：本发明公开一种高纯钛酸锶粉体研磨设备，涉及研磨设备领域。该高纯钛酸锶粉体研磨设备包括研磨设备支撑架，研磨设备支撑架上设有减速机支架，减速机支架上设有减速机主体，减速机主体上设有电机主体，研磨设备支撑架上转动连接有旋转支撑框架，旋转支撑框架的两侧设有中心转轴。该高纯钛酸锶粉体研磨设备通过优化中心转轴与研磨设备支撑架传动位置的结构材料和设计改进，减少振动和噪音产生，提高设备的稳定性和工作效率，延长设备的使用寿命，通过在中心转轴与研磨设备支撑架传动位置处降低磨损，增加润滑装置，提供持续润滑，无需手动操作，优化运动传动结构，提高设备的工作效率和生产能力。
一种高纯钛酸锶粉体研磨设备

[发明专利]一种光学级金红石单晶体生长装置及方法-CN202211102013.0在审
发明人： 毕孝国 -专利权人：无锡裕鑫晟材料科技有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种光学级金红石单晶体生长装置及方法，包括加热段以及保温段，加热段包括氧化锆陶瓷管的中间段套设置耐氧化高温导电陶瓷管，耐氧化高温导电陶瓷管外侧缠绕感应线圈，感应线圈通过电磁感应加热电源系统控制加热；氧化锆陶瓷管的上下两端未套设耐氧化高温导电陶瓷管的部分分别设置氧化锆电极，所述氧化锆电极通过水冷氧化锆电极汇流排与外部的电阻加热系统连接；保温段下端的生长界面设置籽晶生长的刚玉基座杆通过电磁感应、电阻双加热系统，可以实现在高达2000度左右的温度下，实现没有挥发物污染、参数精确可控、以满足生长高品质金红石等特种高温氧化物单晶体的要求。
一种光学金红石单晶体生长装置方法

[发明专利]一种用于碳中和的能源调控用环境监测装置及其使用方法-CN202111492483.8有效
发明人：李珊珊;董颖男;唐美玲;毕孝国 -专利权人：沈阳工程学院
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于碳中和的能源调控用环境监测装置及其使用方法，涉及碳中和环境监测技术领域，解决了用于碳中和的能源调控用环境监测装置在使用时，常会由于体型较大而难以移动，装置难以拆除而导致使用非常不便。一种用于碳中和的能源调控用环境监测装置及其使用方法，包括装配杆组件，所述装配杆组件的外表面设有四个仪器放置组件，所述装配杆组件的外表面设有数据显示屏。本发明通过装配杆顶扣和装配板限位扣的配合，使多个装配杆可相互之间通过装配杆顶扣卡入装配杆底槽的内部，装配板限位扣卡入装配杆限位槽的内部，从而使装置的高度尺寸可自由控制的同时，使装置在安装仪器放置组件时更加方便。
一种用于中和能源调控环境监测装置及其使用方法

[发明专利]基于计算机视觉反馈的金红石单晶体生长智能控制方法-CN202010447557.5有效
发明人：赵韦仑;毕孝国;赵琰;王艳;张东;唐坚;董颖男 -专利权人：沈阳工程学院
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06T7/10 文献下载
摘要：本发明属于新材料领域，具体地来讲为一种基于计算机视觉反馈的金红石单晶体生长智能控制方法，包括：利用高清视频采集系统完成图像信息的采集，并通过高清视频采集系统对图像预处理；由计算机使用OPENCV对图像特征进行分析，实现图像分割和特征点定位；对处理后的图像使用卷积神经网络对晶体生长状态特征进行晶体生长当前实时形态的分析；根据分析结果与机器学习得到的晶体生长的健康形态的边缘坐标曲线进行比较后判断晶体形态是否正常；若是，则继续使用原给定函数曲线进行生长控制，若否，则通过自助调节，对燃烧台位置，给料参数进行调节，并实施反馈图像。能够精确控制晶体生长的各个参数，保障生长室内的温度分布、组成分布和力学分布。
基于计算机视觉反馈金红石单晶体生长智能控制方法

[发明专利]一种等离子法数控晶体生长炉-CN201811316765.0有效
发明人： 毕孝国;唐坚;董颖男;刘旭东;孙旭东;牛微 -专利权人：沈阳工程学院
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C30B11/10 文献下载
摘要：一种等离子法数控晶体生长炉，属于新材料技术领域。包括晶体生长装置，其晶体生长基座端用于放置籽晶；等离子发生装置置于晶体生长装置的晶体生长室顶部，一端与晶体生长室相通，另一端连接原料供应装置；原料供应装置的物料输送管路的外周，靠近物料输出端设置有送料管冷却循环装置；靠近等离子发生装置端套置所述燃料气体管路，所述燃料气体管路外设置燃料气体冷却循环装置；控制系统分别连接原料送料管路、燃料气体管路、送料管冷却循环装置、燃料气体冷却循环装置及等离子发生装置；控制晶体的生长速度。本发明实现了对温度和组成分布参数的精确控制，提高了晶体生长所需要的温度条件、组成条件和力学条件的控制精度，所生长的晶体完整性好。
一种等离子数控晶体生长

[发明专利]一种四氯化钛水溶液制备方法及制备装置-CN202310302925.0在审
发明人： 毕孝国;董颖男;唐坚;赵韦仑;孙旭东;张爽 -专利权人：无锡裕鑫晟材料科技有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B01J19/18 文献下载
摘要：本发明属于四氯化钛制备，涉及一种四氯化钛水溶液制备方法及制备装置。该装置，包括双层玻璃容器，夹层内放置冰块；双层玻璃容器的内腔为反应腔，用于放置冰块，并用于通入四氯化钛；双层玻璃容器的开口处设置胶木盖，所述胶木盖上有排气孔，胶木盖的中心轴上设置搅拌桨，通过搅拌电机进行搅动；四氯化钛容器瓶，内置有四氯化钛溶液，通过胶管通入至反应腔的冰块内。利用该装置制备四氯化钛水溶液，能够制得质量稳定、水解率低、生产效率高。
一种氯化水溶液制备方法装置

[发明专利]一种焰熔法钛酸锶单晶体生长装置-CN202110806976.8有效
发明人：董颖男;李珊珊;张东;唐美玲;唐坚;牛微;赵韦仑;王黎明;毕孝国 -专利权人：沈阳工程学院
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B11/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种焰熔法钛酸锶单晶体生长装置，固定架一端固定安装有热熔管，热熔管侧端对称焊接有固定卡接板，固定卡接板一端等距卡接有若干个热熔枪，热熔枪进气端与输气管出气端固定连接，热熔枪贯穿安装于热熔管一端，热熔管内侧焊接有斜挡板，热熔管侧端底部贯穿有氧气管，通过输气管提供氢气和氧气管提供氧气，同时由加速风扇带动热熔管内部的气流进行流动，气体自下而上的流动，从而带动氧气流动到热熔枪位置处，从而保证热熔枪的热焰的稳定性，并且在气体流动时，因气体流动方向与粉末原料的掉落方向相反，从而可以对原料进行阻挡，减缓原料下落的速度，增加远离与热焰接触的时间。
一种焰熔法钛酸锶单晶体生长装置

[发明专利]一种稀有金属钛酸盐高熵陶瓷筛选设备及其筛选方法-CN202210388977.X有效
发明人：董颖男;唐美玲;李珊珊;牛微;唐坚;毕孝国;刘瑾 -专利权人：沈阳工程学院
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： B07B1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀有金属钛酸盐高熵陶瓷筛选设备及其筛选方法，涉及钛酸盐高熵陶瓷原料技术领域。本发明的一种稀有金属钛酸盐高熵陶瓷筛选设备，包括筛选筒、筛选机构和圆形底板，筛选筒包括呈同轴设置的外环套和内环套及用于连接外环套和内环套底面的环底板；筛选机构设置在环底板的上方，且筛选机构沿同一时针方向至少设置有两个；筛选机构包括取料台及设置在取料台上方的筛选板，且取料台和筛选板的水平截面均设置为分别与外环套和内环套间隙配合的扇形。本发明在使用时对粉体的筛选效率高、筛选质量好、且可以根据筛选的需要对筛选的细度进行调整，同时本装置可以实现卡合在网孔中的粉体的自动清理，实用性好。
一种稀有金属钛酸盐高熵陶瓷筛选设备及其方法

[发明专利]一种金红石单晶生长炉炉体-CN202211603176.7在审
发明人： 毕孝国;董颖男;唐坚;赵韦仑;孙旭东 -专利权人：无锡裕鑫晟材料科技有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C30B11/10 文献下载
摘要：本发明属于材料制备领域，一种金红石单晶生长炉炉体，所述炉体在径向方向上自内向外由耐火砖、保温砖和保温棉组成；在高度方向上，内部的耐火砖由上下相互咬合的上层、中层和下层组成；其中，中层耐火砖由三块径向相互咬合的耐火砖组成。上述材料安装于由金属材料制成的炉壳内。这种结构的晶体生长炉，位于晶体生长界面处的中层耐火砖热应力小，寿命长；炉子整体蓄热性能好，炉膛内温度稳定；炉内的温度及温度分布稳定、精确、可控，从而适于程序控制以满足生长高品质金红石单晶体的要求。
一种金红石生长炉炉体

[发明专利]一种金红石晶须的制备方法-CN201911071416.1有效
发明人：刘旭东;王磊;毕孝国;孙旭东;惠宇;那兆霖;王兴安 -专利权人：大连大学
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明涉及金红石晶须领域，具体公开了一种金红石晶须的制备方法，以纯度为99.99％以上、粒度为200～300目的TiO2微粉为原料，通过给料机构以20～60次/min的频率将粉料送入晶须生长炉的生长室中，在氢气流量为12～16L/min和氧气流量为10～14L/min时燃烧产生氢氧火焰中经过熔化、结晶等过程，在Al2O3基片上稳定生长6～8h，即得金红石晶须。与现有技术相比，本发明采用的焰熔法的制备方法，没有加入其它物质，制备得到的晶须品质非常高，可以利用其各向异性作为功能材料，尤其是作为介电材料和半导体材料进行使用，也可以利用其力学性能作为增强增韧复合材料进行使用。采用这种制备方法可以用来制备其它高温氧化物晶须。
一种金红石制备方法

[发明专利]氧化锆作为高温发热体的金红石单晶体生长炉及控制方法-CN202211411637.0在审
发明人： 毕孝国;董颖男;唐坚;赵韦仑 -专利权人：无锡裕鑫晟材料科技有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C30B11/10 文献下载
摘要：本发明属于材料制备领域，一种氧化锆作为高温发热体的金红石单晶体生长炉及控制方法，上料装置、炉体、以及控制系统，所述炉体设置在上料装置的下方，在炉体内设置氧化锆发热体，设置在炉体外的并处于氧化锆发热体下方的晶体生长基座，晶体生长基座下方设置预热系统发热体硅碳棒，所述氧化锆发热体位置固定，所述预热系统发热体硅碳棒通过预热系统移动机构上下调节，所述控制系统控制加热、晶体生长基座以及预热系统发热体硅碳棒移动，可以精确的控制炉内的温度及温度分布，从而在炉体内建立合适的温度梯度以满足生长光学级金红石单晶体的要求。
氧化锆作为高温发热金红石单晶体生长控制方法

[发明专利]一种七氧化四钛微粉制备方法及装置-CN202210821856.X在审
发明人：唐坚;董颖男;赵韦仑;毕孝国 -专利权人：沈阳工程学院
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C01G23/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种七氧化四钛微粉制备方法及装置。该装置包括从上至下依次设置的振动给料系统、燃烧器、微粉熔化结晶的还原炉和微粉收集器，所述振动给料系统包括原料仓，所述原料仓顶部设有振动给料系统的振动机构，在振动机构下方设有固定于原料仓底部的筛网，所述原料仓整体处于原料料斗内部，料斗底部与燃烧器内的氧气和原料粉体运输通道顶部连通，所述燃烧器底部的喷嘴包括中心孔和设置在中心孔外围的外部孔，所述喷嘴下面为还原炉的炉体，在炉体内部设有还原室，所述还原炉下方设有粉体收集器在还原室内，原料粉体的解热升温、熔化、结晶过程中不与容器接触，避免其它杂质的污染，制备得到的微粉品质高，也可以采用这种制备方法制备其它高温氧化物微粉。
一种氧化四钛微粉制备方法装置

[发明专利]一种焰熔法晶体生长炉及观察窗口-CN202210825165.7在审
发明人： 毕孝国 -专利权人： 毕孝国
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C30B11/10 文献下载
摘要：本发明属于焰熔法晶体生长技术领域，具体涉及一种焰熔法晶体生长炉及观察窗口。该观察窗口包括支架以及位于中心的镶嵌于支架上的透明观察窗，在所述观察窗面向炉膛的一侧的四周设置喷气头，所述喷气头上设置多个喷气孔，通过所述喷气孔向炉膛内喷入气体在观察窗前端形成气幕。解决了以往单独使用云母片作为观察窗口存在的由于经常性的积尘导致不透明而无法观察，进而需要不断更换云母片的操作，减少操作者的劳动强度和观察误差，提高了晶体生长工艺的稳定性和成品率，同时为计算机视觉观察奠定了基础。
一种焰熔法晶体生长观察窗口

[发明专利]一种钛酸锶超细粉体制备设备-CN202110264654.5有效
发明人：董颖男;王英达;杨雪贤;毕孝国;李珊珊;唐坚;张东;牛微;唐美玲 -专利权人：沈阳工程学院
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： B01F31/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸锶超细粉体制备设备，涉及钛酸锶加工技术领域。本发明包括设备本体，设备本体包括基座，基座底面固定安装有制冷机构，制冷机构出气口的一端连通有送气软管，制冷机构进气口的一端连通有回气软管，基座顶面固定连接有两组对称设置的阻尼缓冲件，两组阻尼缓冲件顶端均固定连接有支座，两支座顶面均固定安装有激振电机，两支座相对表面之间通过轴承转动连接有制备机构，送气软管和回气软管一端均与制备机构转动连通。本发明通过制备机构的设计，使该装置能够以自动化方式快速完成钛酸锶粉体的制备，且在制备时本设备变传统制备设备的单腔单形式静态混料作业为多腔多形式动态搅拌作业。
一种钛酸锶超细粉体制设备

[发明专利]一种用于热等静压烧结的包套模具及包套方法-CN202210045086.4在审
发明人：王兴安;杨晨;孙旭东;吕卉;刘旭东;惠宇;那兆霖;毕孝国;曾章表 -专利权人：大连大学
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： B22F3/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于热等静压烧结的包套模具及包套方法，属于热等静压烧结技术领域。所述包套模具包括底垫和外套组成的筒体结构，筒体顶部设有上压头，上压头的外径小于筒体结构的内径；筒体结构内设有待包套样品，待包套样品被包套外套包套，包套外套的两端通过垫片Ⅰ夹持，靠近上压头的垫片Ⅰ与上压头之间设有上套筒压头，靠近底垫的垫片Ⅰ与底垫之间从垫片Ⅰ一侧起依次设有垫片Ⅱ、模套和下套筒压头。本发明一步实现包套内的高真空和包套的焊接，包套材料焊接性能好，包套内真空度高、进一步提高热等静压烧结的成功率、节约能源。
一种用于静压烧结模具方法

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