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[发明专利]一种键合装置及键合方法-CN202310837683.5在审
发明人：陶超;龙俊舟;王力 -专利权人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供一种键合装置及键合方法。该键合装置包括：机台，包括可移动取物台；激光干涉仪组件包括：第一激光干涉仪单元，被配置为确定可移动取物台沿第一方向的位移信息；第二激光干涉仪单元，被配置为确定可移动取物台沿第二方向的位移信息；基于沿第一方向、第二方向的位移信息，激光干涉仪组件还被配置为确定可移动取物台的坐标信息。由此，可以实现可移动取物台的精确定位，从而提高键合精度。
一种装置方法

[发明专利]一种键合装置及键合方法-CN202310839171.2在审
发明人：陶超;龙俊舟;王力 -专利权人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供一种键合装置及键合方法。该键合装置包括：机台，包括可移动载物台；光栅组件被配置为确定可移动载物台沿第一方向、第二方向的位移信息；基于沿第一方向、第二方向的位移信息，光栅组件还被配置为确定可移动载物台的坐标信息。由此，可以实现可移动载物台的精确定位，从而提高键合精度。
一种装置方法

[发明专利]有源像素电路、图像传感器和电子设备-CN202180094627.6在审
发明人：周俊;孙鹏;杨道虹 -专利权人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种有源像素电路、图像传感器和电子设备，所述有源像素电路具有光电二极管以及至少三个MOS晶体管，其中，至少一个MOS晶体管作为传输晶体管，至少另一个MOS晶体管作为复位晶体管，至少又一个MOS晶体管作为其它晶体管，所述传输晶体管不仅阈值电压高于所述其它MOS晶体管，而且工作电压下的关态漏电流低于所述其它MOS晶体管，由此可以利用传输晶体管高阈值、低漏电的特性，来降低光电二极管存储失真和信号的读取失真，以降低有源像素电路的读取噪声和功耗，同时利用所述其它MOS晶体管低阈值、高漏电(即导通电流大)的特性，来提高有源像素电路的读取速度。
有源像素电路图像传感器电子设备

[发明专利]半导体结构及其形成方法、图像传感器-CN202310936259.6在审
发明人：胡华;罗清威;王岩 -专利权人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构及其形成方法、图像传感器。所述半导体结构中，金属互连层和沟槽型MIM电容形成于前端器件结构上方，并且，所述沟槽型MIM电容嵌入沿远离所述前端器件结构的方向的第m金属互连层的平面且与所述第m金属互连层通过介质材料隔离，所述沟槽型MIM电容具有下凹的曲面形状，有助于增加电容的有效面积和电容值，缩小电容占据面积，提高半导体结构的设计灵活性，用于形成所述沟槽型MIM电容的叠层材料所围成的保形沟槽可作为一些曝光工艺中的对准标记，如此可省去专门制作相应曝光工艺的对准标记的工序，有助于提高流片效率，降低成本。所述图像传感器具有与所述浮置扩散区耦接的具有上述结构的槽型MIM电容。
半导体结构及其形成方法图像传感器

[发明专利]转接板、芯片结构及其制造方法-CN202310849833.4在审
发明人：叶国梁;胡胜;赵常宝;陆路;谭学聘 -专利权人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供了一种转接板、芯片结构、转接板的制造方法以及芯片结构的制造方法，所述转接板包括基底和互连结构，所述基底包括功能区以及围绕所述功能区的悬空区，所述互连结构形成于所述功能区中，由此可以无需对整个基底执行曝光工艺，相应的，可以减少掩膜版的使用，并进而能够降低曝光工艺的难度。
转接芯片结构及其制造方法

[发明专利]半导体封装结构及其制造方法-CN202310816667.8在审
发明人：叶国梁;胡胜;占琼;谭学聘;赵常宝 -专利权人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体封装结构及其制造方法，所述半导体封装结构包括第一转接板和第二转接板，所述第一转接板中形成有第一线路结构，所述第二转接板中形成有第二线路结构，通过两块转接板的架构实现芯片和PCB板之间的电性连接并通过所述第一线路结构和所述第二线路结构的匹配以实现多种电子功能。转接板可以通过传统的半导体工艺形成，其价格低廉、工艺可靠性高，由此，所形成的半导体封装结构能够兼具价廉和高性能。
半导体封装结构及其制造方法

[实用新型]掩膜板提取工具及光刻机-CN202223051021.5有效
发明人：朱云飞 -专利权人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种掩膜板提取工具及其包括该掩膜板提取工具的一种光刻机，该掩膜板提取工具包括：支撑体；至少一吸附装置，设置在所述支撑体的一侧，所述吸附装置分别提供吸附力以吸附掩膜板；气管，一端与所述吸附装置相通，另一端用于光刻机的真空接口连接，通过所述光刻机的真空接口对所述气管和所述吸附装置进行气体抽取，以使所述吸附装置能够提供所述吸附力吸附所述掩膜板。本申请通过掩膜板提取工具提取掩膜板，使得掩膜板的拆卸方便操作，进而降低掩膜板取出过程中被划伤或磨损的风险。
掩膜板提取工具光刻

[发明专利]光罩及光刻方法-CN202310681157.4在审
发明人：陆路;赵常宝;叶国梁;胡胜;谭学聘 -专利权人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种光罩及光刻方法，所述光罩包括：基板以及位于所述基板上的多个对位标记图案，其中，至少两个所述对位标记图案不同，并且部分所述对位标记图案能够被遮挡。由此，针对不同的产品时，可以使用同一光罩上的不同的对位标记图案，同时遮挡其余的对位标记图案，从而使得多个产品能够共用包括多个对位标记图案的一个光罩，降低了制造成本。
光刻方法

[发明专利]半导体封装结构及半导体封装方法-CN202310793630.8在审
发明人：王宁;潘志刚;孙晓琴;石天福;吴之焱 -专利权人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体封装结构及半导体封装方法，所述半导体封装方法包括：提供一晶圆键合结构，所述晶圆键合结构的边缘形成有凹槽；放置封装模具于所述晶圆键合结构上，所述封装模具具有空腔，所述空腔内外通过所述凹槽连通；并且，注入塑封材料至所述空腔内或预先放置塑封材料于所述空腔对应的所述晶圆键合结构上，且所述塑封材料流至所述凹槽中，所述空腔内的空气从所述凹槽排出至所述空腔外。本发明的技术方案在将封装模具内的空气排出的同时，还能使得同一封装模具兼容不同尺寸和流动性的塑封材料，进而降低成本。
半导体封装结构方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310946720.6在审
发明人：吉亚莉;王鹏 -专利权人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法包括：提供器件晶圆和承载晶圆；形成键合层于所述器件晶圆和/或所述承载晶圆上；执行键合工艺，使得所述器件晶圆通过所述键合层与所述承载晶圆键合；形成绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖所述器件晶圆的侧壁，并经所述键合层延伸至覆盖所述承载晶圆的侧壁。本发明的技术方案使得能够避免导致晶圆破片。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310772447.X在审
发明人：杨帆;胡胜;盛备备 -专利权人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：第一晶圆；沟槽隔离环，形成于所述第一晶圆中，所述沟槽隔离环包括第一金属层；第一绝缘介质层，形成于所述第一晶圆的表面，所述第一绝缘介质层中形成有至少一个第一通孔和至少一个第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔分别单独暴露出所述第一金属层的表面和所述第一晶圆的表面；阻挡层，至少形成于所述第二通孔暴露出的所述第一晶圆的表面；以及，第二金属层，形成于所述第一绝缘介质层上，且所述第二金属层填充所述第一通孔和所述第二通孔。本发明的技术方案能够避免导致接触电阻增大以及铝尖峰等问题，提高了半导体器件的制造工艺的稳定性以及提高了半导体器件的性能。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]电容器及其制造方法-CN202310954097.9在审
发明人：徐瑞璋;薛广杰;李乐;朱奎 -专利权人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电容器及其制造方法，电容器的制造方法包括：提供一衬底；形成自下向上的下极板层、第一介质层和上极板层于所述衬底上；执行干法刻蚀工艺，以形成上极板，并刻蚀停止于所述第一介质层中；执行湿法刻蚀工艺，以去除所述上极板边缘下方暴露出的所述第一介质层；刻蚀所述下极板层，以形成下极板。本发明的技术方案能够提高电容器的可靠性。
电容器及其制造方法

[发明专利]一种光罩及图像校准方法-CN201911330770.1有效
发明人：熊易斯 -专利权人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种光罩及图像校准方法，属于半导体技术领域，光罩包括：非曝光区内设置有一标记图案，标记图案包括亮场图案和暗场图案，亮场图案和暗场图案分别包括多个具有不同关键尺寸的标准图形，且标准图形中的最小关键尺寸小于曝光区中图形的最小关键尺寸；方法包括：光罩缺陷检查台通过扫描标记图案进行图像校准；上述技术方案有益效果是：保证图像校准的准确性和精确性的同时缩短了缺陷扫描程式的建立时间，提高了光罩缺陷检查台的工作效率。
一种图像校准方法

[发明专利]半导体器件的制作方法-CN202310732561.X在审
发明人：谭学聘;叶国梁;赵常宝;陆路 -专利权人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制作方法。所述制作方法中，在对半导体衬底进行一热氧化工艺之前，在所述半导体衬底的背面形成背面垫氧化层和覆盖所述背面垫氧化层的背面隔离层，在进行所述热氧化工艺时，所述背面隔离层可以阻挡氧气穿透所述背面隔离层和所述背面垫氧化层而氧化半导体衬底背面，避免增厚半导体衬底背面的氧化层，在后续工艺中可以降低出现难以吸片以及吸片失败等问题的风险，有助于确保机台以及产线的正常运行，降低晶圆翘曲风险，有助于提高产品良率。
半导体器件制作方法

[发明专利]一种测量盘及偏心值测量方法-CN201911245182.8有效
发明人：陈帮;黄宇恒 -专利权人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种测量盘及偏心值测量方法，属于半导体制造技术领域，测量盘包括：测量盘上设置有刻度线，用于标识至少两个相互垂直的直径方向上的刻度；方法包括：步骤S1，将测量盘放入涂胶显影机台，并按照预设工序向测量盘涂覆光刻胶；步骤S2，根据光刻胶与刻度线的相对位置，得到光刻胶边缘在至少两个相互垂直的直径方向上与测量盘边缘的至少四个距离值；步骤S3，根据距离值，计算得到涂胶显影机台的偏心值；上述技术方案有益效果是：可以直接根据测量盘上的刻度来读取光刻胶在测量盘上的偏心值，不仅方便快捷而且测量精度高。
一种测量偏心测量方法

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