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- [发明专利]渗透阻挡层-CN201610152573.5在审
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J·拉姆
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欧瑞康贸易股份公司(特吕巴赫)
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2009-01-26
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2016-06-22
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C23C14/08
- 氢渗透阻挡物的制备方法,包括以下步骤a)在基体(SUB)上沉积包括至少一个层(L1;L2;L3)的层系统(LS);其特征在于步骤a)包括以下步骤:b)沉积至少一个包括至少三元氧化物的氢阻挡层(HPBL)。该装置包括可密封的容积和形成限定所述容积的边界的至少一部分的壁,其中所述壁包括氢渗透阻挡物,其包括包含至少一个层的层系统,其中所述层系统包括至少一个包括至少三元氧化物的氢阻挡层(HPBL)。优选地,所述至少三元氧化物基本上由Al、Cr和O组成,所述沉积所述至少一个氢阻挡层(HPBL)是使用物理气相沉积方法(特别是阴极电弧蒸发方法)进行的。优选地,步骤a)包括在所述基体(SUB)上沉积以下中的至少一个:粘合层(AdhL)、氢储存层(HStL)、保护层(ProtL)(特别是热阻挡层(ThBL)、扩散阻挡层(DBL)、氧化阻挡层(OxBL)、化学阻挡层(ChBL)、耐磨损层(WRL))。能够实现优良的氢渗透阻挡性质,能够根据预期应用的需要调节该层系统。
- 渗透阻挡
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