专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体基板及其制造方法-CN202110349768.X在审
  • 渡边信也;横尾昌法 - 诺维晶科股份有限公司
  • 2021-03-31 - 2021-10-12 - B24B9/06
  • 提供一种由氧化镓系半导体的单晶构成并且通过倒角加工有效地抑制了破损发生的半导体基板及其制造方法。提供在外周部具有倒角加工部(12)的、由氧化镓系半导体的单晶构成的半导体基板(1),其中,倒角加工部(12)具有:倾斜面(121),其位于主面(10)的外侧,在半导体基板(1)的垂直截面中边缘为直线;倾斜面(122),其位于主面(11)的外侧,在半导体基板(1)的垂直截面中边缘为直线;以及倾斜面(121)与倾斜面(122)之间的端面(123),其位于倒角加工部(12)的顶端,端面(123)的在半导体基板(1)的厚度方向上的幅度(bt)处于半导体基板(1)的厚度(t)的50%以上、97%以下的范围内。
  • 半导体及其制造方法

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