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[发明专利]一种单离子注入系统-CN202310006780.X在审
发明人：但亚平;樊正方 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提出了一种单离子注入系统，包括：单个离子获取装置，用于获取单个离子；电荷探测装置，用于获取经过所述电荷探测装置的离子数量并使得所述单个离子能进入聚焦透镜组；所述聚焦透镜组，用于对所述单个离子进行聚焦并加速以使所述单个离子到达目标基板的确定位置；单离子探测装置，用于检测所述单个离子到达所述目标基板的位置以及离子注入信号；所述目标基板，用于接收所述单个离子注入；控制单元，用于根据来自所述电荷探测装置的离子数量信号以及来自所述单粒子探测装置的离子注入信号向闸板阀发送关闭信号；以及所述闸板阀，根据所述控制单元的关闭信号关闭阀门以完成一次单离子注入。
一种离子注入系统

[发明专利]一种混合阳离子钙钛矿晶体的制备方法-CN202010166985.0有效
发明人： 樊正方;廖成;刘江 -专利权人：中物院成都科学技术发展中心
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明涉及晶体材料制备技术领域，具体涉及一种混合阳离子钙钛矿晶体的制备方法，钙钛矿的分子式为MAaCs1‑aPbX3，0＜a＜1；X为Cl、Br、I中的至少一种，包括如下步骤：步骤1，配制MAPbX3的N,N‑二甲基甲酰胺溶液，作为溶液A；配制CsPbX3的二甲基亚砜溶液，作为溶液B；步骤2，将溶液A和溶液B混合，得到前驱体溶液C，前驱体溶液C中Cs和MA的物质的量存在如下关系：0＜Cs/(Cs+MA)＜0.3；步骤3，采用反溶剂扩散法，在MAaCs1‑aPbX3晶体生长过程中，将反溶剂蒸汽通入前驱体溶液C中，进行晶体生长，得MAaCs1‑aPbX3晶体。使用该方法制备的钙钛矿晶体尺寸大，阳离子分布均匀、组分可控。
一种混合阳离子钙钛矿晶体制备方法