专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]固态摄像设备和辐射摄像设备-CN200480004177.3无效
  • 渡边实;森下正和;望月干织;石井孝昌;野村庆一 - 佳能株式会社
  • 2004-02-10 - 2006-03-22 - H01L27/146
  • 在具有形成在一个象素的光电探测器件和一个或多个与光电探测器件相连的薄膜晶体管的固态摄像设备中,光电探测器件的一部分形成在薄膜晶体管的至少一部分之上,薄膜晶体管由源电极、漏电极、第一栅电极和位于相对于源电极和漏电极与第一栅电极相对的面上的第二栅电极构成,每个象素中第一栅电极与第二栅电极相连,因此抑制了光电探测器件对TFT的负面影响、关闭的TFT的漏电、由于外界电场造成的阈值电压变化,且精确地将光生载流子传输到信号处理电路。
  • 固态摄像设备辐射
  • [发明专利]辐射图像摄像设备-CN200480004078.5有效
  • 望月千织;森下正和;渡边实;石井孝昌;野村庆一 - 佳能株式会社
  • 2004-02-10 - 2006-03-15 - H01L27/146
  • 在包括把辐射转换成电信号的传感器元件和与传感器元件连接的薄膜晶体管的辐射图像摄像设备中,与薄膜晶体管连接的传感器元件的电极被置于薄膜晶体管之上,薄膜晶体管具有顶栅型结构,其中半导体层,栅极绝缘层和栅电极层依次层叠在衬底上,以致薄膜晶体管的沟道部分受栅电极保护,从而能够获得稳定的TFT特性,而不会因为由与来自传感器电极的输出对应的电势的波动导致的后栅极效应,不合需要地导通任何TFT元件,从而极大地提高图像质量。
  • 辐射图像摄像设备
  • [发明专利]摄象装置、放射线摄象装置和放射线摄象系统-CN200310114918.0无效
  • 森井稔子;森下正和;渡边实 - 佳能株式会社
  • 2003-11-13 - 2004-06-02 - H05G1/00
  • 本发明的摄象装置和放射线摄象装置是在基板上,2维地配置由成对的将射入的电磁波转换为电信号的半导体转换元件、与上述半导体转换元件连接的开关元件构成的多个像素,具有与排列在一个方向上的多个上述开关元件共通连接的驱动布线、与排列在与上述一个方向不同的方向上的多个上述开关元件共通连接的信号布线,上述开关元件包含第1半导体层,上述半导体转换元件包含在形成上述开关元件后被形成的,并且在形成上述第1半导体层后被形成的第2半导体层,其特征在于:上述半导体转换元件的电极被形成为在上述驱动布线、上述开关元件的电极和上述信号布线中的2个相互不重叠的区域中,至少除去上述驱动布线上的一部分和上述开关元件的电极上的一部分。
  • 装置放射线系统
  • [发明专利]利用放射线进行图像摄影的装置及方法-CN03127802.7有效
  • 森井稔子;森下正和;辻井修;渡边実;石井孝昌 - 佳能株式会社
  • 2003-08-08 - 2004-02-11 - H04N5/32
  • 本发明公开了一种放射线图像摄影装置。根据本发明的放射线刷新图像,不需要另外准备AEC传感器,可以避免如以往那样因AEC传感器配置在放射线图像摄影装置上,图像传感器接收衰减的放射线,从而导致图像质量下降,同时有助于装置本体的小型化。为此,提供一种放射线图像摄影装置,具有将入射的放射线变换成电信号的第一光变换元件,根据从第一光变换元件输出的电信号来生成图像信息,其中,在与第一光变换元件的间隙匹配的其下方部位上,配有检测来自该间隙的放射线的入射量的多个第二光变换元件,根据第二光变换元件的检测结果,进行对入射的放射线的露出控制和所述光变换元件的控制。
  • 利用放射线进行图像摄影装置方法

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