“梅田勇治”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果11个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]陶瓷烧结体以及半导体装置用基板-CN201880098397.9有效
发明人： 梅田勇治;大上纯史 -专利权人：日本碍子株式会社;NGK电子器件株式会社
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C04B35/119 文献下载
摘要：本发明提供一种陶瓷烧结体以及半导体装置用基板。陶瓷烧结体以及半导体装置用基板包含Zr、Hf、Al、Y、Mg、Si、Ca、和Na及K中的至少一者、以及这些以外的剩余部分，剩余部分的含量以氧化物换算为0.05质量％以下。Mg的MgO换算的含量、Si的SiO2换算的含量、Ca的CaO换算的含量、Na的Na2O换算的含量、K的K2O换算的含量、以及剩余部分的含量之和为0.3质量％以上且2.0质量％以下。
陶瓷烧结以及半导体装置用基板

[发明专利]半导体装置用基板-CN201880098366.3在审
发明人： 梅田勇治 -专利权人：日本碍子株式会社;NGK电子器件株式会社
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L23/15 文献下载
摘要：半导体装置用基板(2)具备陶瓷烧结体(3)、第1电路板(4)和第2电路板(4')。在陶瓷烧结体(3)中，将Mg的以MgO换算的含量设为S1质量％，将Zr的以ZrO2换算的含量设为S2质量％的情况下，下述的式1成立。将第1电路板(4)的厚度设为T1mm，将第2电路板(4')的厚度设为T2mm，并将陶瓷烧结体(3)的厚度设为T3mm的情况下，下述的式2、3、4成立。－0.004×S2+0.171＜S1＜－0.032×S2+1.427···(1)1.7＜(T1+T2)/T3＜3.5···(2)T1≥T2···(3)T3≥0.25···(4)。
半导体装置用基板

[发明专利]陶瓷烧结体以及半导体装置用基板-CN201880098368.2在审
发明人： 梅田勇治;河野浩 -专利权人：日本碍子株式会社;NGK电子器件株式会社
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C04B35/119 文献下载
摘要：陶瓷烧结体(3)包含Zr、Al、Y和Mg，Zr的含量以ZrO2换算为7.5质量％以上且23.5质量％以下，Al的含量以Al2O3换算为74.9质量％以上且91.8质量％以下，Y的含量以Y2O3换算为0.41质量％以上且1.58质量％以下，Mg的含量以MgO换算为0.10质量％以上且0.80质量％以下。陶瓷烧结体(3)的热老化后M相率为15％以下。
陶瓷烧结以及半导体装置用基板

[发明专利]陶瓷基体及其制造方法-CN201780002583.3有效
发明人：河野浩;梅田勇治;伊藤阳彦 -专利权人：日本碍子株式会社;NGK电子器件株式会社
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C04B35/119 文献下载
摘要：一种陶瓷基体，结晶相以Al2O3和ZrO2为主晶相，含有MgAl2O4和BaAl2Si2O8。X射线衍射图案中，相对于ZrO2的单斜晶相和正方晶相各自的峰强度之和，前述单斜晶相峰强度的比例低于0.1％。
陶瓷基体及其制造方法

[发明专利]陶瓷基体及其制造方法-CN201580070143.2有效
发明人：河野浩;梅田勇治;伊藤阳彦 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C04B35/18 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷基体及其制造方法。陶瓷基体的结晶相以3Al2O3·2SiO2为主结晶相，除此以外，包含Al2O3及ZrO2。弯曲强度为450MPa以上，杨氏模量为240GPa以下。
陶瓷基体及其制造方法

[发明专利]陶瓷基体及其制造方法-CN201580066723.4有效
发明人：河野浩;梅田勇治;伊藤阳彦 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： C04B35/111 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷基体及其制造方法。陶瓷基体的结晶相以Al2O3及ZrO2为主结晶相，除此以外，包含Mn3Al2(SiO4)3或MgAl2O4，且弯曲强度为650MPa以上，杨氏模量为300GPa以下。
陶瓷基体及其制造方法

[发明专利]配线基板-CN201680016103.4有效
发明人： 梅田勇治;伊藤阳彦 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2016-03-17 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明涉及配线基板。配线基板(12)是具有绝缘基板(18)、配置在该绝缘基板(18)表面的表面配线层(20、22)、以及配置在所述绝缘基板(18)内部的内部配线层(24)的配线基板(12)；绝缘基板(18)的结晶相至少以Al₂O₃或含有Al₂O₃的化合物为主晶相，Al₂O₃的晶体粒径小于1.5μm，表面配线层和内部配线层含有铜和钨、或者铜和钼、或者铜和钨及钼，钨和钼的粒径小于1.0μm，表面配线层及内部配线层的表面粗糙度Ra小于2.5μm。
配线基板

[发明专利]陶瓷基体及其制造方法-CN201480078507.7有效
发明人： 梅田勇治;伊藤阳彦 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： C04B35/111 文献下载
摘要：本发明涉及一种陶瓷基体及其制造方法。结晶相以Al₂O₃为主结晶相，除此以外，仅包含BaAl₂Si₂O₈结晶相。包含：按Al₂O₃换算计为89.0～92.0质量％的Al、按SiO₂换算计为2.0～5.0质量％的Si、按MnO换算计为2.0～5.0质量％的Mn、按MgO换算计为0～2.0质量％的Mg、按BaO换算计为0.05～2.0质量％的Ba。
陶瓷基体及其制造方法

[发明专利]陶瓷基体及其制造方法-CN201480078508.1有效
发明人： 梅田勇治;伊藤阳彦 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： C04B35/111 文献下载
摘要：本发明涉及一种陶瓷基体及其制造方法。结晶相以Al₂O₃为主结晶相，除此以外，仅包含ZrO₂结晶相。包含：按Al₂O₃换算计为89.0～92.0质量％的Al、按SiO₂换算计为2.0～5.0质量％的Si、按MnO换算计为2.0～5.0质量％的Mn、按MgO换算计为0～2.0质量％的Mg、按ZrO₂换算计为0.05～2.0质量％的Zr。
陶瓷基体及其制造方法

[发明专利]陶瓷封装体及电子器件-CN201480017049.6有效
发明人： 梅田勇治;清水秀树 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种陶瓷封装体及电子器件。本发明的陶瓷封装体使用高温密封材料(16)将上表面开口的陶瓷制容器(12)及封堵该容器(12)的开口的盖体(14)密封，其中，在容器(12)的侧壁(12b)的上端面与高温密封材料(16)之间包括接合层(24)。接合层(24)包括形成在侧壁(12b)的上端面的金属化层(26)和形成在该金属化层(26)上的应力缓和层(28)。应力缓和层(28)是膜硬度在50以上、低于500的非电解镀层。
陶瓷封装电子器件

[发明专利]压电/电致伸缩元件及其制造方法-CN201010104715.3无效
发明人：大西孝生;梅田勇治;后藤直树 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2010-01-28 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种压电/电致伸缩元件，即使压电/电致伸缩层开裂，该元件仍可用作传感器。所提供的压电/电致伸缩元件10具有基板11、固着于基板11上的下部电极层12以及固着于下部电极层12上的压电/电致伸缩层13，并且下部电极层12相对于基板11的覆盖率为98％以下。
压电伸缩元件及其制造方法

1
共 11 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top