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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光接收部件、图象形成设备以及图象形成方法-CN98106913.4无效
发明人：青木诚;植田重教;桥爪淳一郎 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1998-04-14 - 公布日： 2003-11-26 - 主分类号： G03G5/04 文献下载
摘要：提供了一种光接收部件，该光接收部件包括设置在导电基底上的光电导层以及设置在所述光电导层上的表面层，所述表面层包括至少包含氟的非单晶碳，其中所述表面层的其中心位于红外吸收谱中的1200cm-1或1120cm-1附近的峰的面积与其中心在2920cm-1附近的峰的面积的比值在从0.1至50的范围内。该光接收部件使得能够在任何条件下，在不采用用于光接收部件的加热装置的情况下，获得没有模糊图象或不清楚的图象的高质量的图象，并具有足以保持这种高质量特性的高耐久性。
接收部件图象形成设备以及方法

[发明专利]光敏部件及其制备方法和有该部件的成象装置和成象方法-CN98106915.0无效
发明人：青木诚;植田重教;桥爪淳一郎 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1998-04-14 - 公布日： 2003-11-05 - 主分类号： G03G5/00 文献下载
摘要：为了改善光敏部件表面上色调剂的释放性能和滑溜性，由具有低自旋密度和短的自旋松弛时间且至少包括氢原子的非单晶碳膜形成光敏部件的表面层，从而提供能形成很精密和高质量的图象且有很长的寿命，并提供一种光敏部件，它有高灵敏度，可不引起因泄放造成的有任何缺陷的图象，并能够随时间无任何变化、稳定地获得无重影、高质量的图象。
光敏部件及其制备方法成象装置

[发明专利]光接收部件及其生产工艺,电子照相装置与电子照相方法-CN96105669.X无效
发明人：植田重教;桥爪淳一郎;青木诚;土田伸史 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1996-04-26 - 公布日： 2003-07-23 - 主分类号： G03G5/08 文献下载
摘要：用于生产包括表层的光接收部件的一种工艺，该工艺包括形成包含碳原子、氧原子与氮原子之中至少一种的非单晶材料层，并以含氟原子的气体蚀刻该层，其中形成与蚀刻在一个能够减少其内部压力的反应器中交替地重复进行多次以便在一个衬底上形成表层；以及应用这种光接收部件的电子照相装置和应用这种光接收部件的电子照相方法。
接收部件及其生产工艺电子照相装置方法

[发明专利]带特定最外表面的表面保护层的光接收元件及其制法-CN97103146.0无效
发明人： 桥爪淳一郎;植田重教;青木诚 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1997-01-17 - 公布日： 2002-11-27 - 主分类号： G03G5/082 文献下载
摘要：一种光接收元件，包括导电衬底，光电导层，和由含氢原子的非单晶碳材料组成的表面保护层，其中表面保护层的20埃或更厚的表面侧层区域，用以50MHz到450MHz振荡频率的甚高频能(VHF)分解含氟的气产生的含氟等离子体，以0.1到50埃/秒的刻蚀速度刻蚀，使表面保护层具有100埃到10000埃的厚度的淀积了氟原子的刻蚀表面，以覆盖刻蚀表面。和一种生产上述光接收元件的方法。
特定外表表面保护层接收元件及其制法

[发明专利]光接收部件及采用该部件的静电复印装置-CN95119434.8无效
发明人： 桥爪淳一郎 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1995-12-21 - 公布日： 2002-08-07 - 主分类号： G11B7/00 文献下载
摘要：一种光接收部件和包括该部件的静电复印装置，该光接收部件包括导电基体，含有至少一种非单晶硅型材料能够呈现光导电性的第一层，含有硅原子和从碳原子、氮原子及氧原子构成的原子团中选择的一种的第二层，含有硅原子和从碳原子、氮原子及氧原子构成的原子团中选择的一种的第三层，其导电方式已调整为与充电极性相同的极性，第一、第二和第三层设置在导电基体上，其中上述光接收部件按正向充电使用而且不需要圆筒加热器。
接收部件采用静电复印装置

[发明专利]等离子体加工方法和等离子体加工装置-CN95120912.4无效
发明人：植田重教;桥爪淳一郎;土田伸史 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1995-12-15 - 公布日： 2000-10-11 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：提供了一种等离子体加工方法和一种等离子体加工装置，在此方法和装置中用施加范围在２０到４５０兆赫的高频电力，同时把范围在３０到３００Ｖ或－３０到－３００Ｖ的直流电压和／或范围在３０到６００Ｖ的交流电压施加到被抽空的反应室中的基底上的方法，在也用作一个电极的基底上制作沉积薄膜。这一方法使得把等离子体和薄膜厚度的分布变均匀成为实际可能的，而与放电频率和所施加的高频电力无关，从而加宽了加工（比如薄膜制作）条件允许的范围和装置设计的允许范围。
等离子体加工方法装置

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