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- [发明专利]半导体集成电路装置-CN201010158277.9有效
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浅野真弘;西原百合子
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株式会社瑞萨科技
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2010-03-30
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2010-11-24
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H04L12/40
- 本发明提供一种半导体集成电路装置，其中收发器/接收器(13)将通过CAN总线(Bc)接收到的差动信号的消息转换成数字信号，选择电路(14)判断转换后的消息是CAN格式还是UART格式，在为UART格式的情况下，向UART用电路(15)输出消息，UART用电路(15)判断消息是否与UART格式一致，在一致的情况下，ID判断电路(16)判断所输入的消息是否是指定了ECU自身的CAN ID，如果是ECU的CAN ID，则输出使能信号EN，使调节器(4)工作，向MCU(5)和致动器(Ac)提供电源。通过将连接在通信网络上的各ECU的电源供给控制为最佳，能大幅降低耗电。
- 半导体集成电路装置
- [发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201010194159.3有效
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古泽健志;儿玉大介;松本雅弘;宫崎博史
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株式会社瑞萨科技
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2007-01-12
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2010-10-27
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H01L23/532
- 本发明提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法，该半导体装置具有在铜合金布线与通道的连接面上形成了含氮的势垒金属膜的结构，其中，能够抑制铜合金布线与通道之间的电阻的上升以及可抑制电阻的分散。在本发明的半导体装置中，具有第一铜合金布线(3)、通道(4)以及第一势垒金属膜(7)。此处，第一铜合金布线(3)形成在层间绝缘膜(1)内，在作为主要成分的Cu中含有预定的添加元素。通道(4)形成在层间绝缘膜(2)内，与第一铜合金布线(3)的上表面电连接。在第一铜合金布线(3)与通道(4)的连接部上，与第一铜合金布线(3)接触地形成第一势垒金属膜(7)，该第一势垒金属膜(7)含有氮。预定的添加元素是通过与氮反应形成高电阻部的元素。此外，预定的添加元素的浓度为0.04wt％以下。
- 半导体装置以及制造方法
- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201010206130.2无效
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坪井信生;五十岚元繁
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株式会社瑞萨科技
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2006-10-08
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2010-10-13
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H01L27/11
- 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件能够减少SRAM的存储单元的面积。在SRAM单元的布局图中，采用了在栅极(2a)和栅极(2b)之间设置局部布线(3a)并连接了有源区(1a)和有源区(1b)的结构。由此，就不需要在栅极(2a)和栅极(2b)之间设置触点。因此，能够缩小存储单元区域C的短边方向的尺寸。此外，使栅极(2c)的左端部从栅极(2a)向后退，构成为：在倾斜方向上配置了连接有源区(1b)和栅极(2c)的局部布线(3b)的结构。因此，能够缩小存储单元区域C的长边方向的尺寸。
- 半导体器件及其制造方法
- [发明专利]抗蚀剂图案的形成方法-CN201010136569.2无效
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寺井护;萩原琢也
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株式会社瑞萨科技
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2010-03-11
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2010-09-22
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G03F7/00
- 本发明涉及一种抗蚀剂图案形成方法，其目的在于：提供方法简单、成本低、可进行高速扫描且赋予高疏水性的抗蚀剂图案形成方法，用于得到消除了显影缺陷的电子器件。本发明的抗蚀剂图案形成方法的特征在于，按如下顺序包含下述工序：对抗蚀剂膜实施液浸曝光的工序、将实施了液浸曝光的抗蚀剂膜溶于碱性显影液的工序，通过碱浸渍使已溶于碱性显影液的抗蚀剂膜显影的工序、对显影后的抗蚀剂膜进行纯水冲洗处理的工序，其中，溶于碱性显影液的工序不是将已进行了液浸曝光的抗蚀剂膜进行紫外线照射，而是将其暴露在臭氧气体中(以下有时也称“臭氧处理”)。
- 抗蚀剂图案形成方法
- [发明专利]半导体器件-CN201010163012.8有效
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菅野雄介;水野弘之;阪田健;渡部隆夫
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株式会社瑞萨科技
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2000-12-21
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2010-09-15
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H03K19/0175
- 本发明提供一种半导体器件，具备电平变换电路，由用低压电源(VDD)使电平变换电路(LSC)进行动作的升压部分和用高压电源(VDDQ)进行动作的电路部分(LSC2)构成。升压部分使用永远可以得到2×VDD电平的升压电路，以便使低压电源(VDD)可以在亚1V下进行动作。此外，使该低压电路作成为可以仅仅用可以高速动作的薄的氧化膜厚的MOSFET构成的电路构成。再有，为了使阻止在低压一侧电路CB1的睡眠模式时发生的电平变换电路的漏电流的设计容易化，在电路部分(LSC2)中，设置不需要来自外部的控制信号且在内部自律地对漏电流进行控制的电路(LPC)。
- 半导体器件
- [发明专利]数据处理设备及数据处理方法-CN201010113257.X无效
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望月义则;森野东海
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株式会社瑞萨科技
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2010-02-04
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2010-09-15
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H04L12/28
- 本发明提供一种数据处理设备及数据处理方法，可以动态切换网络主机，以使构成网络的各设备的处理负担不会变得过大。该数据处理设备具有定期输出用于使自己被其它识别的信标信息并且接收从外部供给的信标信息、由此进行近距离无线通信的近距离无线通信电路，利用该数据处理设备构成无线通信网络时，在近距离无线通信电路中采用在参加近距离无线通信网络时根据从外部供给的信标信息的识别结果动态切换并控制网络主机的功能。对于如UWB那样原本没有着眼于用于网络主机功能的无线通信网络的系统，利用其本来具有的信标信息的识别功能进行网络主机的切换所需的信息通信，因此能够极力抑制构成网络的各设备的处理负担的增大。
- 数据处理设备方法
- [发明专利]半导体器件-CN201010107742.6有效
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后藤聪;三宅智之;近藤将夫
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株式会社瑞萨科技
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2010-01-29
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2010-08-04
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H01L27/12
- 本发明涉及半导体器件。具体地，为了实现天线开关的成本降低，提供了一种技术，其可以尽可能多地降低在天线开关中产生的谐波失真，特别是在天线开关包括在硅衬底上方形成的场效应晶体管时。TX串联晶体管、RX串联晶体管和RX旁路晶体管中的每一个包括低压MISFET，而TX旁路晶体管包括高压MISFET。由此，通过减小构成TX旁路晶体管的高压MISFET的串行连接的数目，施加于各串联耦合的高压MISFET的电压幅度的不均匀性得以抑制。这样，可以抑制高阶谐波的产生。
- 半导体器件
- [发明专利]半导体器件-CN201010002087.8无效
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河野贤哉;芦田喜章;武藤邦治;清水一男;井上富文
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株式会社瑞萨科技
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2010-01-11
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2010-08-04
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H01L23/495
- 本发明提供一种半导体器件。通过销钉加工在源极引线(14)上设置突起(7)，以在突起(7)上连接接合线(4)时防止超声波衰减为目的，在源极引线(14)的背面的凹部(20)设置支柱(16)，从而防止接合线(4)与源极引线(14)的连接强度不够。另外，围绕源极引线(14)和接合线(4)的连接部而在突起(7)上设置连续的台阶(17)，防止由树脂(6)和源极引线(14)的分离引起的接合线(4)的断线。根据本发明，能够使用可简单加工且廉价制造的装置来实现防止由树脂(6)和引线框的界面分离引起的接合线(4)的断线、以及连接强度的提高。
- 半导体器件
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