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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有增强的热辐射性能的薄膜覆晶型半导体封装-CN201210017507.9无效
发明人：朴相弘;任俊成;洪性元;姜锡勋;崔荣玟;田珉浩 -专利权人： 株式会社乐恩
申请日： 2012-01-19 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有增强的热辐射性能的薄膜覆晶(COF)型半导体封装，该COF型半导体封装包括绝缘薄膜110、金属图案120和130、表面绝缘层140、半导体晶片200。金属图案由与半导体晶片电气连接的电路图案120以及与电路图案电气绝缘的绝缘图案130构成。绝缘薄膜110形成有热辐射孔150，以允许绝缘图案130的一部分暴露于绝缘薄膜110的底部表面。电路图案120的一部分在绝缘薄膜110上延伸，以构造成为与其它电路图案120相比具有宽表面积的扩展图案。由于从半导体产生的热通过其底部的绝缘图案130排放到基底100的后部内，所以绝缘图案130起到热辐射垫的作用。此外，电路图案120的上述部分构造为利用绝缘薄膜110上的额外空间占据宽区域的扩展图案125，并且扩展图案125通过热辐射孔150暴露于绝缘薄膜110的底部表面，从而通过晶片200的端子与扩展图案125相接触而增强热辐射效果。
具有增强热辐射性能薄膜覆晶型半导体封装

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