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[发明专利]太阳能电池及其制作方法-CN202110203419.7有效
发明人：董永志;李文琪;杨洁;余丁;赵世杰;柴嘉磊 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种太阳能电池及其制作方法，太阳能电池的制作方法包括：提供N型基底以及位于所述基底前表面的P型发射极；在所述基底前表面形成第一钝化层，所述第一钝化层包括多个氮氧化硅子层，所述氮氧化硅子层内掺杂有氢离子，在垂直于所述基底前表面的方向上，每一所述氮氧化硅子层的厚度不大于20nm，在远离所述基底的方向上，所述多个氮氧化硅子层的折射率递减；在所述第一钝化层表面形成第二钝化层，所述第二钝化层包括多个氮化硅子层，在远离所述基底的方向上，所述多个氮化硅子层的折射率递减；在所述基底后表面形成钝化接触结构。本发明实施例有利于提升太阳能电池的钝化效果。
太阳能电池及其制作方法

[发明专利]太阳能电池及其制作方法、光伏组件-CN202111040162.4有效
发明人： 柴嘉磊;余丁;赵世杰;张晓雯;李文琪;杨洁;张昕宇;金浩 -专利权人：上海晶科绿能企业管理有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件，太阳能电池包括：具有相对前表面和后表面的基底；位于前表面上的钝化叠层包括依次设置的含氧电介质层、第一钝化层和以及第二钝化层，含氧电介质层包含金属氧化物材料，第一钝化层包含氮化硅材料，第二钝化层包括氮氧化硅材料；其中，第一钝化层具有靠近含氧电介质层的第一界面和靠近第二钝化层的第二界面，第二钝化层具有远离第二界面的第三界面，氮元素和硅元素在第二界面处的含量分别大于在第一界面处和第三界面处的含量，氧元素在第二界面处的含量小于在第一界面处和第三界面处的含量；位于后表面上的隧穿氧化层和掺杂导电层。本申请实施例至少有利于提升太阳电池的光吸收效率。
太阳能电池及其制作方法组件

[发明专利]太阳能电池及光伏组件-CN202311001701.2在审
发明人： 柴嘉磊;余丁;赵世杰;张晓雯;李文琪;杨洁;张昕宇;金浩 -专利权人：上海晶科绿能企业管理有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：具有相对前表面和后表面的基底；位于前表面上的钝化叠层包括依次设置的含氧电介质层、第一钝化层和以及第二钝化层，含氧电介质层包含金属氧化物材料，第一钝化层包含氮化硅材料，第二钝化层包括氮氧化硅材料；其中，所述第一钝化层中硅元素含量占比大于氮元素含量占比，所述第二钝化层中硅元素含量占比大于氮元素含量占比且大于氧元素含量占比；位于后表面且在远离后表面的方向上依次设置的隧穿氧化层和掺杂导电层。本申请实施例至少有利于提升太阳电池的光吸收效率。
太阳能电池组件

[发明专利]太阳能电池及光伏组件-CN202210266471.1有效
发明人：张晓雯;李文琪;余丁;赵世杰;柴嘉磊;杨洁;张昕宇;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本申请提供太阳能电池及光伏组件，其中，太阳能电池包括半导体衬底，半导体衬底的前表面具有第一纹理结构，第一纹理结构包括金字塔状微结构，金字塔状微结构的斜边长度为Cμm，0.4≤C≤1.9；半导体衬底的后表面具有第二纹理结构，第二纹理结构包括至少部分堆叠的两个或多个第一子结构，在远离后表面且垂直于后表面的方向上，最外侧第一子结构的顶部表面及与其相邻的第一子结构的顶部表面的距离H小于等于2μm；位于第一纹理结构上的第一钝化层；位于后表面的隧穿层；位于隧穿层表面的掺杂导电层；位于掺杂导电层表面的第二钝化层。本申请提供的太阳能电池及光伏组件，能够提高形成的第一钝化层的均匀性，提升第一钝化层的减反效果，提高电池的光电转换效率。
太阳能电池组件

[发明专利]太阳能电池及光伏组件-CN202210887189.5有效
发明人：余丁;李文琪;柴嘉磊;吴佳豪;赵世杰;张晓雯 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有相对的正面以及背面，基底的背面具有第一掺杂区，第一掺杂区的掺杂元素类型与基底内的掺杂元素类型相反；隧穿介质层，隧穿介质层位于基底背面；掺杂导电层，掺杂导电层位于隧穿介质层远离基底背面的表面，掺杂导电层具有掺杂元素，掺杂导电层内的掺杂元素类型与基底内的掺杂元素类型相反；背电极，背电极沿第一方向排布，背电极与掺杂导电层相接触。本申请实施例提供的太阳能电池及光伏组件，至少有利于提升太阳能电池的光电转换效率。
太阳能电池组件

[发明专利]太阳能电池及其制作方法、光伏组件-CN202310602156.6在审
发明人：余丁;李文琪;赵世杰;张晓雯;柴嘉磊;张昕宇;金浩;杨洁 -专利权人：上海晶科绿能企业管理有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件，太阳能电池包括：基底，所述基底具有相对的前表面和后表面；设置在所述前表面上的第一钝化层、第二钝化层以及第三钝化层，其中所述第一钝化层包含电介质材料，所述第二钝化层包含第一氮化硅SimNn材料，n/m∈[0.5，1]，所述第三钝化层包括氮氧化硅SiOiNj材料，j/i∈[0.1，0.6]；设置在所述后表面上的隧穿氧化层和掺杂导电层。本申请实施例有利于提升太阳电池的光吸收效率。
太阳能电池及其制作方法组件

[发明专利]太阳能电池及其制作方法、光伏组件-CN202110989144.4有效
发明人：余丁;李文琪;赵世杰;张晓雯;柴嘉磊;张昕宇;金浩;杨洁 -专利权人：上海晶科绿能企业管理有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件，太阳能电池包括：基底，所述基底具有相对的前表面和后表面；位于所述前表面上且在远离所述前表面的方向上依次设置的第一钝化层、第二钝化层以及第三钝化层，其中所述第一钝化层包含电介质材料，所述第二钝化层包含第一氮化硅SimNn材料，n/m∈[0.5，1]，所述第三钝化层包括氮氧化硅SiOiNj材料，j/i∈[0.1，0.6]；位于所述后表面上且在远离所述后表面的方向上依次设置的隧穿氧化层和掺杂导电层，其中，所述掺杂导电层与所述基底具有相同导电类型的掺杂元素。本申请实施例有利于提升太阳电池的光吸收效率。
太阳能电池及其制作方法组件

[发明专利]太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件-CN202211313858.4在审
发明人：李文琪;赵世杰;张晓雯;柴嘉磊 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请实施例涉及一种太阳能电池、太阳能电池制备方法及光伏组件，太阳能电池制备方法包括：提供基底；采用丝网印刷工艺在基底表面形成电极阵列，电极阵列包括沿第一方向间隔排布的多个电极组，电极组包括沿第二方向间隔排布的多个点电极；在基底表面上形成沿第二方向延伸的多个栅线，每一个栅线位于对应的电极组上，栅线包括连通电极组内各点电极的第一镀层。本申请实施例有利于降低太阳能电池的开压损失，提高太阳能电池的效率以及栅线与基底之间结合的稳固程度。
太阳能电池制备方法组件

[实用新型]光伏电池-CN202221929271.1有效
发明人：余丁;李文琪;王浩;吴佳豪;柴嘉磊;赵世杰;张晓雯 -专利权人：安徽晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请实施例涉及光伏领域，提供一种光伏电池，包括：基底，含氧层，位于所述基底的一侧；氮氧化硅层，位于所述含氧层远离所述基底的一侧；含氮层，位于所述氮氧化硅层远离所述含氧层的一侧，其中，所述氮氧化硅层包括靠近所述含氧层的富氧区以及靠近所述含氮层的富氮区。本申请实施例至少有利于提高含氮层的膜层均匀性，降低含氮层自身的内应力以及降低含氧层、氮氧化硅层以及含氮层三者之间的接触应力。
电池

[实用新型]太阳能电池及光伏组件-CN202222024279.X有效
发明人：余丁;李文琪;柴嘉磊;吴佳豪;赵世杰;张晓雯 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底内掺杂有N型掺杂元素或者P型掺杂元素的一者，基底内具有铝扩散层；铝硅合金层，铝硅合金层至少位于部分铝扩散层远离基底的背面的表面，基底露出铝硅合金层的表面；钝化层，钝化层位于基底的正面，钝化层还位于铝硅合金层的表面；电极，电极沿第一方向排布，电极贯穿钝化层与铝硅合金层电接触；隧穿介质层以及掺杂导电层，隧穿介质层位于基底背面，掺杂导电层位于隧穿介质层远离基底背面的表面，掺杂导电层内掺杂N型掺杂元素或者P型掺杂元素的另一者；背电极，背电极与掺杂导电层相接触，至少可以提升太阳能电池的光电转换效率。
太阳能电池组件

[发明专利]太阳能电池及其制作方法、光伏组件-CN202110204237.1在审
发明人：余丁;李文琪;杨洁;董永志;赵世杰;柴嘉磊;张晓雯 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件，太阳能电池包括：N型基底以及位于所述基底前表面的P型发射极；位于所述基底前表面且在远离所述P型发射极的方向上依次堆叠的第一钝化层、第二钝化层、第三钝化层以及第四钝化层，所述第一钝化层包括氧化硅材料，所述第二钝化层包括第一氮氧化硅SiOxNy材料，所述第三钝化层包括氮化硅SimNn材料，所述第四钝化层包括第二氮氧化硅SiOiNj材料，所述第二钝化层包括靠近所述第一钝化层的第一部分和靠近所述第三钝化层的第二部分，所述第一部分的氮原子浓度小于所述第二部分的氮原子浓度；位于所述基底后表面的钝化接触结构。本发明实施例有利于提高太阳能电池的光利用率。
太阳能电池及其制作方法组件

[实用新型]太阳能电池和光伏组件-CN202221032637.5有效
发明人：余丁;杨洁;李文琪;吴佳豪;王浩;柴嘉磊;张晓雯;赵世杰 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开一种太阳能电池和光伏组件，涉及电池技术领域，包括第一钝化接触台阶设置于晶体硅衬底的表面；第二钝化接触台阶设置于第一钝化接触台阶的远离晶体硅衬底的一面；第一钝化减反射台阶设置于第一钝化接触台阶的远离晶体硅衬底的一面；第二钝化减反射台阶设置于第二钝化接触台阶的远离第一钝化接触台阶的一面；电极的一端与第一钝化接触台阶接触，另一端依次贯穿第二钝化接触台阶和第二钝化减反射台阶。本实用新型提供的方案设置多级钝化接触台阶，第一钝化接触台阶厚度较薄，能够减少对长波段光线的寄生吸，有效提升太阳能电池的长波响应以及双面率。第二钝化接触台阶的厚度较厚，能够保证金属化过程中与金属浆料形成良好的欧姆接触。
太阳能电池组件

[发明专利]太阳能电池及其制备方法、光伏组件-CN202111074502.5有效
发明人：张晓雯;李文琪;余丁;赵世杰;柴嘉磊;杨洁;张昕宇;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本申请提供太阳能电池及其制备方法、光伏组件，其中，太阳能电池包括半导体衬底，半导体衬底的表面具有第一纹理结构，第一纹理结构包括金字塔状微结构，金字塔状微结构的斜边长度为Cμm，0.4≤C≤1.9；位于半导体衬底的第一纹理结构上的第一钝化层，第一钝化层的不均匀度N≤4%，不均匀度N=（Dmax‑Dmin）/Dmax，其中，Dmax为位于金字塔状微结构上的第一钝化层的最大厚度，Dmin为位于金字塔状微结构上的第一钝化层的最小厚度。本申请提供的太阳能电池及其制备方法、光伏组件，能够提高形成的第一钝化层的均匀性，提升第一钝化层的减反效果，提高电池的光电转换效率。
太阳能电池及其制备方法组件

[发明专利]太阳能电池及光伏组件-CN202111211518.6有效
发明人：张晓雯;李文琪;赵世杰;余丁;柴嘉磊;杨洁;徐孟雷 -专利权人：浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请提供了一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：硅基底、第一栅线导电件及第二栅线导电件。硅基底表面上设置有钝化层，第一栅线导电件至少部分设置于钝化层上，第一栅线导电件包括线段部及位于线段部两端的点状部，点状部在线段部宽度方向上的长度大于线段部的宽度。第二栅线导电件至少部分设置于钝化层上，第二栅线导电件的至少一部分与点状部重叠。本申请提供的太阳能电池及光伏组件的开路电压高、转化效率高。
太阳能电池组件

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