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[发明专利]具有高自旋极化率的半金属磁性材料-CN200510109166.8无效
发明人：刘国栋;代学芳;柳祝红;朱志永;陈京兰;吴光恒 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2005-10-20 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： H01F1/047 文献下载
摘要：本发明涉及一系列具有高自旋极化率的金属磁性材料，该系列材料具有化学式：Mn_xCo_yN_zM_w，其中，N是III－V族元素，如：Al，Ga，In，Si，Ge，Sn，Sb等的一种或多种，M为过渡族元素，如：V，Cr，Fe，Ni等的一种或多种；2.2≥x≥1.8，1.2≥y＞0，1.2≥z＞0，0.99≥w≥0，x+y+z+w＝4。所述的Mn_xCo_yN_zM_w系列材料：自旋极化率最高的为100％，是典型的半金属磁性材料，最低的自旋极化率是80％。
具有自旋极化金属磁性材料

[发明专利]具有磁场可控的超弹性的磁性单晶及制备方法-CN200410003419.9无效
发明人：陈京兰;代学芳;柳祝红;刘国栋;吴光恒 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2004-02-25 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： H01F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及具有磁场可控超弹性效应的磁性单晶及其制备方法。该磁性单晶具有Co_xNi_yFe_wGa_z化学式，其中：40＜x＜60；10＜y＜30；10＜z＜30；0.01＜w＜15，x+y+z+w＝100。该方法包括采用常规的提拉法生长，其生长条件为：加热原料到使之熔融；其在熔融环境下以0.5－50转/分钟的速率旋转的带有籽晶的籽晶杆；在1050－1320℃的熔融温度下保持10－30分钟，用籽晶下端接触熔体的液面，然后以3－80mm/小时的均匀速率提升籽晶杆，将凝固结晶的单晶向上提拉，并使生长的单晶直径变大或保持一定；当生长的单晶达到所需尺寸时，将单晶提拉脱离熔融的原料表面，以0.5－20℃/分钟的缓慢降低温度冷却至室温，最后取出。该材料能够产生的超弹性，在自由样品上达到20％，当外加一个0.1－2.0T的磁场时，超弹性形变的大小和方向可随磁场的变化而变化。
具有磁场可控弹性磁性制备方法

[发明专利]具有磁场可控的双向形状记忆效应的磁性单晶及制备方法-CN200310116066.9无效
发明人：陈京兰;张铭;柳祝红;刘国栋;代学芳;吴光恒 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2003-12-30 - 公布日： 2005-07-06 - 主分类号： C30B29/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有磁诱导高应变形状记忆效应的磁性单晶及其制备方法。该磁性单晶具有Co_xNi_yGa_z化学式，其中：40＜x＜60；10＜y＜30；10＜z＜30；x+y+z＝100其制备方法包括将称好的料盛放在坩埚中，采用常规的提拉法生长Co_xNi_yGa_z磁性单晶，其生长条件为：加热Co_xNi_yGa_z原料到使之熔融；其熔融环境下以0.5－50转/分钟的速率旋转的带有籽晶的籽晶杆；在1050－1320℃的熔融温度条件下保持10－30分钟，用籽晶下端接触熔体的液面，然后以3－80mm/小时的均匀速率提升籽晶杆，将凝固结晶的单晶向上提拉，并使生长的单晶直径变大或保持一定；当生长的单晶达到所需尺寸时，将单晶提拉脱离熔融的原料表面，以0.5－20℃/分钟的缓慢降低温度冷却至室温，最后取出。
具有磁场可控双向形状记忆效应磁性制备方法

[发明专利]具有双向形状记忆效应的磁性材料及其单晶制备方法-CN200410080015.X无效
发明人：刘国栋;柳祝红;代学芳;朱志永;陈京兰;吴光恒 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2004-09-24 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： H01F1/047 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有双向形状记忆效应的磁性材料及其单晶制备方法。该磁性单晶材料的化学式为Mn_xNi_yGa_z，其中，37＜x＜55，20＜y＜38，20＜z＜30，x+y+z＝100，x、y、z表示原子百分比含量。其单晶制备方法包括将称好的料盛放在坩埚中，采用提拉法生长Mn_xNi_yGa_z磁性单晶。本发明提供的具有双向形状记忆效应的磁性材料，其马氏体相变的各个特征温度点可通过改变Mn，Ni，Ga组成比而被转变或根据用途加以调整，马氏体相变的开始温度可被选为在36K和350K范围内符合应用的需要，而居里点Tc可被选为在140℃和330℃的范围内符合应用的需要。此外，本发明提供的制备方法适用于常规的提拉晶体的设备，因此成本低，易于工业化批量生产。
具有双向形状记忆效应磁性材料及其制备方法

[发明专利]一种具有高应变形状记忆效应的磁性带材及制备方法-CN02149352.9无效
发明人：张铭;崔玉亭;柳祝红;王文洪;陈京兰;吴光恒 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2002-11-13 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： H01F1/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高应变形状记忆效应的磁性材料及其制备方法。该磁性材料具有Ni_50+xFe_25+yGa_25+z化学式，其中：－24.9950+xFe_25+yGa_25+z磁性材料，其制备条件为：加热NiFeGa原料到使之熔融；其熔融环境下以1.0－1.50大气压的氩气将其喷出到以1－50米/秒的线速率旋转的铜轮表面上实现5－2000℃/秒的急速冷却，获得厚度在0.01－1毫米之间，宽度在1－20毫米之间长度在10－1000毫米之间的快淬薄带。快淬的加热方式包括：用50－245千赫兹的射频加热，或电阻加热方式。该材料马氏体相变的开始温度可被选为在120K和350K范围内符合应用的需要，由于含铁，韧性比不含有铁的好。其居里温度达到140℃。
一种具有应变形状记忆效应磁性制备方法

[发明专利]具有磁诱导高应变和形状记忆效应的磁性单晶及制备方法-CN02125681.0无效
发明人： 柳祝红;崔玉亭;张铭;王文洪;陈京兰;吴光恒 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2002-07-29 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： C30B29/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有磁诱导高应变形状记忆效应的磁性单晶及其制备方法。该磁性单晶具有Ni_50+xMn_25－yFe_yGa_25+z化学式，其中：－24.9950+xMn_25－yFe_yGa_25+z磁性单晶，其生长条件为：加热NiMnFeGa原料到使之熔融；其熔融环境下以0.5－50转/分钟的速率旋转的带有籽晶的籽晶杆；在1020－1250℃的熔融温度条件下保持10－30分钟，用籽晶下端接触熔体的液面，然后以3－80mm/小时的均匀速率提升籽晶杆，将凝固结晶的单晶向上提拉，并使生长的单晶直径变大或保持一定；4.当生长的单晶达到所需尺寸时，将单晶提拉脱离熔融的原料表面，以0.5－20℃/分钟的缓慢降低温度冷却至室温，最后取出。该NiMnFeGa单晶由于含铁，而韧性比不含有铁的好。该NiMnFeGa单晶含有铁，其居里温度比不含有铁得以提高。
具有诱导应变形状记忆效应磁性制备方法