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[发明专利]反应腔室泄漏的检测方法以及蚀刻/沉积制程-CN200410046189.4有效
发明人：张圣文;简益辉;林仲仁;林佩筠 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2004-06-02 - 公布日： 2005-12-07 - 主分类号： G01M3/26 文献下载
摘要：本发明是关于一种反应腔室泄漏的检测方法以及蚀刻/沉积制程。该反应腔室泄漏的检测方法，是首先在一反应腔室中通入一气体，且所通入的气体是以全流量的条件通入反应腔室中。之后，量测反应腔室中的压力是否异常，即可判断出反应腔室是否有泄漏。若有泄漏的情形发生，外界的空气将会进入反应腔室中而使反应腔室的压力提高，如此即可判断出反应腔室有泄漏。
反应泄漏检测方法以及蚀刻沉积

[实用新型]具调整剪切断面角度的剪具-CN200420050589.8无效
发明人： 林佩筠 -专利权人： 林佩筠
申请日： 2004-05-11 - 公布日： 2005-07-06 - 主分类号： B23D29/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具调整剪切断面角度的剪具，其具有相交枢合并可弹性张合活动的第一柄杆及第二柄杆，该第一柄杆前端设有一剪刃；其特征在于，该剪具更包含有：一转盘底座，其设置于该第二柄杆的前端，与该剪刃所剪切的工作件相配合；一转盘轴体，其轴设于该转盘底座的中心线处，并于其顶端突露设有两挡片，且该两挡片中央设有一供该剪刃通过的穿槽。藉此，使用者可转动该转盘轴体，并调整该挡片与剪刃的角度，以控制工作件剪切面的角度。
调整剪切断面角度

[发明专利]图案化金属层的方法与金属内连线的制造方法-CN200310102322.9无效
发明人：黄政阳;李士敬;林佩筠;吴敬斌;连楠梓;刘信成 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-10-24 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种图案化金属层的方法与金属内连线的制造方法，该图案化金属层的方法，是首先提供基底，且基底上已形成有数个元件结构，以及与这些元件结构所对应的数个内连线结构；之后，在基底上方形成介电层；接着，在介电层上形成金属材料层；然后对金属材料层进行电浆蚀刻制程，形成图案化的金属层，其中电浆蚀刻制程是以较低功率变压偶合式电浆进行，所以可解决现有技术中晶圆中心与晶圆边缘处的介电层其过度蚀刻程度不一致的问题。本发明可降低晶圆中心处与边缘处的介电层其过度蚀刻程度的差异性，另可使得晶圆中心处与边缘处的介电层被移除的厚度一致，还可使反应室的温度保持一致，而可提高晶圆中心处与晶圆边缘处的过度蚀刻速率的一致性。
图案金属方法连线制造