“松田脩平”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]硅晶片制造工序的评价方法和硅晶片的制造方法-CN201880041858.9有效
发明人：醍醐重;松田脩平 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种批量生产多个硅晶片的硅晶片制造工序的评价方法。使批量生产的硅晶片的寿命测定对各硅晶片在面内不同的部位进行，得到多个测定值。对各硅晶片，从上述多个测定值求出各硅晶片的代表值。对由多个硅晶片构成的每个晶片组利用包含于晶片组的各硅晶片的代表值求出判定阈值。判定在上述晶片组中是否包括在对各硅晶片得到的多个测定值中包含基于判定阈值确定的寿命异常值的硅晶片，判定上述制造工序是否是有可能产生不合格品的制造工序。
晶片制造工序评价方法

[发明专利]硅晶片及其制造方法-CN201580029564.0有效
发明人：工藤智司;中村浩三;村中寿行;松田脩平;金大基;平木敬一郎 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2015-04-10 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：该制造方法包括：薄切含有硼作为受体的单晶硅以得到未热处理硅晶片的工序；对于未热处理硅晶片求出硼浓度的工序；对于未热处理硅晶片求出氧供体浓度的工序；和基于求出硼浓度的工序中求出的硼浓度和求出氧供体浓度的工序中求出的氧供体浓度，判断是否对未热处理硅晶片实施在300℃以上的温度下的热处理。由此，可得到晶片上的偏在LPD减少的晶片。
晶片及其制造方法