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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]晶体管-CN201480041463.0有效
发明人： 松本孝典;竹谷纯一 -专利权人：凸版资讯股份有限公司;国立大学法人大阪大学;国立大学法人东京大学
申请日： 2014-07-09 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种具备表面的平滑性高且能通过简略化的工艺形成的栅电极的晶体管。本发明的晶体管在基板(11)上具备栅电极(12)、绝缘层(13)、半导体层(14)、源电极(15)以及漏电极(16)，上述栅电极(12)使用下列通式(1)表示的β‑酮羧酸银形成：。
栅电极晶体管绝缘层半导体层漏电极平滑性酮羧酸源电极基板

[发明专利]堆积物去除方法-CN201280047417.2有效
发明人：田原慈;西村荣一;松本孝典 -专利权人：东京毅力科创株式会社;株式会社东芝
申请日： 2012-09-25 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种堆积物去除方法，其是将在利用蚀刻而形成于基板之上的图案的表面上堆积的堆积物去除的堆积物去除方法，其中，该堆积物去除方法包括以下工序：第1处理工序，将基板暴露在含有氟化氢气体的气氛中；氧等离子体处理工序，在第1处理工序之后，加热基板并使基板暴露在氧等离子体中；以及第2处理工序，在氧等离子体处理工序之后，将基板暴露在含有氟化氢气体的气氛中。
堆积物去除方法

[发明专利]银油墨组合物以及基材-CN201180037072.8无效
发明人： 松本孝典 -专利权人：凸版资讯股份有限公司
申请日： 2011-07-27 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： C09D11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种银油墨组合物以及基材，该银油墨组合物由选自由异丁酰乙酸银、苯甲酰乙酸银、丙酰乙酸银、乙酰乙酸银、α-甲基乙酰乙酸银和α-乙基乙酰乙酸银组成的组中的一种以上的β-酮基羧酸银以及碳数为1至10的脂肪族伯胺或仲胺混合而形成，该基材在其表面设置有将上述银油墨组合物加热而形成的金属银层。根据本发明能够得到一种适于形成具有优良光泽度及镜面性的金属银层的银油墨组合物以及使用该银油墨组合物在表面形成有金属银层的基材。
油墨组合以及基材

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200510056067.8有效
发明人： 松本孝典 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-03-23 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明的半导体器件具有：半导体衬底；高深宽比的槽，形成在该半导体衬底的表面，侧壁部分相对于底面部分的倾斜角度在底面部分一侧成为接近直角的第一倾斜角度，而在开口部分一侧则成为小于第一倾斜角度的第二倾斜角度；以及，低深宽比的槽，以低于上述高深宽比的槽的低深宽比形成，其侧壁部分相对于底面部分的倾斜角度成为从底面部分一侧到开口部分一侧几乎一致、且接近上述第二倾斜角度的第三倾斜角度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN02143342.9无效
发明人：園田真久;田弘昭;坂上栄人;金高秀海;松崎憲二;松本孝典 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-09-26 - 公布日： 2003-04-16 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明提供了一种在具有STI的半导体装置中使用的沟槽内壁的平面和平面边界及边、角或者角落的交界等的周边部分上没有应力集中，在交界部分上结晶缺陷难以发生的半导体装置。本发明半导体装置100，包含具有形成元件的基板表面12的半导体基板10；电气分离在基板表面中形成元件的元件区域和其他区域的沟槽60；其中，位于沟槽侧面62和底面64间的交界部分80，被形成具有80nm以上的曲率半径的曲面形状。
半导体装置

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