“松尾达彦”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基板处理装置-CN202011446244.4在审
发明人：秋山政宪;松尾达彦;片庭哲也 -专利权人：开美科技股份有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置，使功能部有效地发挥作用，并且防止功能部与基板的干涉。升降体(33)在输送基准面的上方配置于第一旋转轴与第二旋转轴之间，在第一辊以及第二辊的双方未搭上基板的上表面的期间，相对于输送基准面被维持在规定的下降位置，在第一辊以及第二辊的至少一方搭上基板的上表面的期间，利用搭上基板的上表面的辊的旋转轴被从下降位置向上方抬起该升降体并维持。升降方向限制单元将从下降位置升降时的升降体的升降方向限制为相对于输送基准面大致垂直的方向。功能部以在升降体下降到下降位置的状态下位于输送基准面的上方的方式被一体或分体地固定设置于所述升降体，从上方与输送中途的基板的上表面对置而发挥作用。
处理装置

[发明专利]蚀刻方法及蚀刻装置-CN201210382207.0有效
发明人：秋山政宪;松尾达彦 -专利权人：开美科技股份有限公司
申请日： 2012-10-10 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：一种蚀刻方法，具备：第1蚀刻工序，将蚀刻液从一流体喷嘴（20）喷射而喷附于蚀刻对象物（1）的蚀刻对象面，从而将蚀刻对象面蚀刻；以及第2蚀刻工序，将蚀刻液与气体混合后从二流体喷嘴（30）喷射，将蚀刻液喷附于在第1蚀刻工序中被蚀刻后的蚀刻对象面，从而将蚀刻对象面进一步蚀刻。在第2蚀刻工序中，将与第1蚀刻工序相比液滴微小的蚀刻液以比第1蚀刻工序强的冲击力喷附于蚀刻对象面。
蚀刻方法装置