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[发明专利]磁随机存取存储器-CN03817795.1有效
发明人：杉林直彦;本田雄士;崎村升;松寺久雄;上条敦;志村健一;森馨 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2003-07-28 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：一种磁随机存取存储器，其具备磁性材料结构体，该磁性材料结构体与设置在多条第1信号线和具有与第1信号线的方向垂直的方向的多条第2信号线之间的每个交点上的存储单元相对应。每个存储单元具有包括由第1阈值函数以上的外加磁场使自发磁化的方向反向的自发磁化层的磁阻元件。在每个磁性材料结构体中，由第2阈值函数以上的外加磁场生成的磁场比由未达到第2阈值的外加磁场生成的磁场强。在将由被选择的第1和第2信号线生成的第1合成磁场外加在磁性材料结构体上的磁随机存取存储器中，按照对选择存储单元变为第1阈值函数以上的强度，在非选择存储单元上变为未达到第1阈值函数的强度的方式生成第1合成磁场和磁性材料结构体磁场之间的第2合成磁场的元件外加磁场。
随机存取存储器

[发明专利]磁随机存取存储器-CN03816386.1有效
发明人： 松寺久雄;沼田秀昭 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2003-07-03 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供了一种使MRAM的存储单元的偏置磁场更有效地减少的技术。根据本发明的MRAM包括：具有能反转的自由自发磁化的自由层(11)；具有固定自发磁化的固定层(6)；和由非磁性体形成，插在所述自由层(11)和所述固定层(6)之间的间隔层(10)。形成固定层(6)，以便实质上使桔皮效应和静磁耦合效应不影响自由层(11)。
随机存取存储器