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[发明专利]具有横向模态抑制效果的弹性波装置-CN202310616179.2在审
发明人：王园园;张树民;汪泉;王国浩 -专利权人： 杭州左蓝微电子技术有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了具有横向模态抑制效果的弹性波装置，包括压电性基板和设置在所述压电性基板上的IDT电极，所述IDT电极包括相对设置的第一汇流条、第二汇流条、一端与所述第一汇流条连接的多个第一电极以及一端与所述第二汇流条连接的多个第二电极，多个所述第一电极和多个所述第二电极相互交替设置；将弹性波传播方向设为第一方向且将与所述第一方向正交的方向设为第二方向，所述IDT电极与所述压电性基板之间设有高声速薄层，所有第一电极和第二电极在第一方向全部位于所述高声速薄层上。本发明在压电性基板与IDT电极之间增加高声速薄层，在电极工作横向传输时形成高低声速区域，有效解决现有技术的声表面波谐振器中横向杂散模态受抑制效果有限的问题。
具有横向抑制效果弹性装置

[实用新型]一种声表面波谐振器-CN202321024255.2有效
发明人：张树民;请求不公布姓名 -专利权人： 杭州左蓝微电子技术有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种声表面波谐振器，所述声表面波谐振器包括压电基板和设置在压电基板上的叉指换能器，叉指换能器包括第一叉指汇流条和第二叉指汇流条；第一叉指汇流条延伸出第一叉指电极和第一虚设电极，第二叉指汇流条延伸出第二叉指电极和第二虚设电极；其中，叉指电极区的宽度沿远离叉指换能器的对称轴线的方向逐渐减小；第一叉指电极的与对应的第二虚设电极相对的端面为第一倾斜面，第二叉指电极的与对应的第一虚设电极相对的端面为第二倾斜面，沿表面声波传播方向，同一方向上，各第一倾斜面和/或第二倾斜面的倾斜角度一致，且位于同一倾斜平面上。本实用新型实施例的声表面波谐振器可以有效抑制横向谐振模。
一种表面波谐振器

[发明专利]一种抑制横向模态的谐振器及弹性波装置-CN202310522416.9在审
发明人：王园园;张树民;汪泉;王国浩 -专利权人： 杭州左蓝微电子技术有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制横向模态的谐振器，包括压电基板及设置在其上的IDT电极，IDT电极包括第一汇流条及第二汇流条，第一叉指电极端部及该端部与第二叉指电极端部对应位置设有加宽部，第二叉指电极端部及该端部与第一叉指电极端部对应位置也设有加宽部；第一汇流条与第二汇流条形成有交叉区域，该交叉区域包括中央区域、加宽部对应的加宽区域，加宽区域位于中央区域两侧且声速低于中央区域声速，第一虚设电极对应的根侧区域，所述根侧区域比加宽区域更靠近汇流条，根侧区域声速大于加宽部区域声速。通过设置假指和加宽部结构能够有效抑制多层膜弹性波装置中声表面波的横向寄生模式，同时本申请公开一种具有上述结构的弹性波装置。
一种抑制横向谐振器弹性装置

[发明专利]一种高隔离声表面波双工器-CN202310441137.X在审
发明人：章雅晴;张树民;宋勇敢 -专利权人： 杭州左蓝微电子技术有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H03H9/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种高隔离声表面波双工器，包括天线端口、接收端口、发射端口、连接在天线端口与发射端口之间TX滤波器以及连接在天线端口与接收端口之间的RX滤波器，所述TX滤波器、RX滤波器均为梯形结构，且TX滤波器、RX滤波器中，每一至两个并联谐振臂配置有至少一个接地端口。本发明通过设置足够的接地端口，减少多个并联谐振臂共用一个接地端口的情况，大大降低了并联谐振臂的敏感度，有效降低调试的难度，防止出现谐振特性恶化、零极点线波特性变弱、零极点被湮灭、带外抑制恶化、隔离度降低的问题。
一种隔离表面波双工器

[实用新型]一种高性能谐振器-CN202321112075.X有效
发明人：王园园;张树民;汪泉;王国浩 -专利权人： 杭州左蓝微电子技术有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高性能谐振器，包括压电基板及设置在其上的IDT电极，IDT电极包括第一汇流条及第二汇流条及设置于汇流条两侧的反射栅，第一叉指电极端部及该端部与第二叉指电极端部对应位置设有加宽部，第二叉指电极端部及该端部与第一叉指电极端部对应位置也设有加宽部；第一汇流条与第二汇流条形成有交叉区域，该交叉区域包括中央区域、加宽部对应的加宽区域，加宽区域位于中央区域两侧且声速低于中央区域声速，第一虚设电极对应的根侧区域，所述根侧区域比加宽区域更靠近汇流条，根侧区域声速大于加宽部区域声速。通过设置假指和加宽部结构能够有效抑制多层膜弹性波装置中声表面波的横向寄生模式。
一种性能谐振器

[发明专利]一种声表滤波器封装结构及封装方法-CN202310325417.4在审
发明人：陈玲;吴延浪;张树民;王国浩 -专利权人： 杭州左蓝微电子技术有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种声表滤波器封装结构，包括：基板、滤波芯片、稠胶、内阻挡块、外阻挡块和塑封层，所述稠胶环绕设置在所述滤波芯片的侧壁与所述基板之间，以使所述滤波芯片与所述基板之间形成密封空腔；所述内阻挡块和所述外阻挡块之间形成凹槽，所述稠胶的底部位于所述凹槽内；塑封层，所述塑封层设于所述稠胶和所述滤波芯片的外侧。还公开了封装方法，在基板上设置好内外阻挡块并形成凹槽，滤波芯片焊接在基板上然后涂覆稠胶，最后再进行塑封。解决目前注塑层容易渗入到芯片和基板之间的问题。确保稠胶不会污染到IDT表面，从而确保封装不会影响到滤波芯片的性能，大大提高封装良品率。
一种滤波器封装结构方法

[发明专利]一种弹性波装置及其制作方法-CN202310338597.X在审
发明人：王园园;张树民;汪泉;王国浩 -专利权人： 杭州左蓝微电子技术有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种弹性波装置及其制作方法，弹性波装置包括支撑基板、中间层、压电层及电极层，所述中间层包括接合层、低电阻率层、若干声阻抗相对高的高声阻抗层和若干声阻抗相对低的低声阻抗层；其中，所述低电阻率层设置在两层低声阻抗层之间形成电子捕获结构；所述高声阻抗层与其余的低声阻抗层交替设置在所述支承基板上，形成反射结构；所述接合层设置在所述反射结构与所述电子捕获结构之间；所述压电层设置在两个电极层之间，电极层设置在电子捕获结构上。本发明的实质性效果包括：通过在低声阻抗层中设置接合层和低电阻率层，并进行组合能够有效的抑制插入的损耗的恶化并且可以改善IMD。并通过合适的材料选择强化这一效果。
一种弹性装置及其制作方法

[发明专利]一种空腔型声表面波谐振器及其加工方法-CN201710307554.X有效
发明人：王国浩;张树民;陈海龙;汪泉 -专利权人： 杭州左蓝微电子技术有限公司
申请日： 2017-05-04 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明提出一种声表面波谐振器及其制备方法，具体地：先在硅基板上预先挖好一些沟槽，填充牺牲层材料，然后在基板上沉积一层压电薄膜材料，并在上面沉积和光刻形成金属叉指，最后将沟槽内的牺牲层通过腐蚀液彻底释放，从而形成底部空腔结构。本发明的方案结合薄膜体声波谐振器的结构与制备思路，使得最终声表面波谐振器的漏波能够通过空气腔界面反射回来，从而提高谐振器的Q值。
一种空腔表面波谐振器及其加工方法

[发明专利]温度补偿声表面波谐振器及其制备方法-CN201710784976.6有效
发明人：张树民;陈海龙;王国浩;郑贵珍;汪泉 -专利权人： 杭州左蓝微电子技术有限公司
申请日： 2017-09-04 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种温度补偿声表面波谐振器，所述温度补偿声表面波谐振器包括基片、位于该基片上方的压电材料基板以及形成于该压电材料基板上的叉指结构，其中，所述基片和所述压电材料基板之间包括键合层、以形成复合基板。本发明的温度补偿声表面波谐振器能够有效降低工艺的难度；提高工艺的稳定性和可靠性，并且提高产品的良率；降低了频率温度系数，提高器件的性能。
温度补偿表面波谐振器及其制备方法

[发明专利]一种声波器件隔离基板-CN202310039780.X在审
发明人：赵子豪;张树民;蒋超;汪泉;王国浩 -专利权人： 杭州左蓝微电子技术有限公司
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03H9/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种声波器件隔离基板，包括双工器和隔离基板，双工器包括TX滤波器和RX滤波器，TX滤波器和RX滤波器均包含有至少两个并联谐振臂，其中两个并联谐振臂与接地电感级联构成LC谐振零点；隔离基板设有若干个基板金属层，一个基板金属层设有与双工器匹配的连接端口，基板金属层通过连接端口与双工器电连接。本发明采用两个并联谐振臂与接地电感级联组成LC谐振零点，可以有效地增加LC谐振容量，从而减小电感的体积。
一种声波器件隔离

[实用新型]抑制能量横向泄露的薄膜体声波谐振器及体声波滤波器-CN202223351853.9有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 杭州左蓝微电子技术有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抑制能量横向泄露的薄膜体声波谐振器，包括衬底、位于衬底上方的压电三明治结构，其特征在于：所述三明治结构上方与下方均设有质量负载层，所述三明治结构包括压电层、位于压电层上方的上电极与位于压电层下方的下电极，上、下质量负载层分别沉积在上、下电极表面。同时上下电极上设有质量负载层及屋檐结构，这样设置能更好的抑制上下电极端的横向能量的泄露，提升Q值，进一步提升滤波器的性能。同时，本方案提出具备上述方案的体声波滤波器。
抑制能量横向泄露薄膜声波谐振器滤波器

[发明专利]一种基于纵声表面波的高性能声学器件-CN202211591699.4在审
发明人：王园园;张树民;汪泉;王国浩 -专利权人： 杭州左蓝微电子技术有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H04R17/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于纵声表面波的高性能声学器件，属于声学器件技术领域。所述声学器件包括依次叠加的衬底、温度补偿层、压电薄膜和叉指换能器，其中，所述衬底采用碳化硅单晶衬底或金刚石衬底，所述压电薄膜采用X‑Y切铌酸锂单晶压电薄膜，且所述X‑Y切铌酸锂单晶压电薄膜的旋切角为φ，传播角为ψ，‑25°≤φ≤+18°，+19°≤ψ≤+52°。所述声学器件具有高声速、高机电耦合系数和稳定的温度频率特性的特点，使所述声学器件能够满足5G通信系统的应用环境。
一种基于纵声表面波性能声学器件

[实用新型]横向激励薄膜体声波谐振器-CN202222853232.4有效
发明人：刘建生;张树民 -专利权人： 杭州左蓝微电子技术有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种横向激励薄膜体声波谐振器，横向激励薄膜体声波谐振器包括压电板、叉指换能器、若干镂空槽和介电材料，镂空槽设在压电板上，若干镂空槽分别设在靠近两个汇流条的位置，且位于叉指电极的末端附近，介电材料声速低于压电板声速，介电材料包括填充在镂空槽内的填充介电材料。本实用新型提供的横向激励薄膜体声波谐振器通过设置镂空槽形成强烈的活塞模式，并在镂空槽内填充低声速介电材料，改善了具有活塞模式结构的横向激励薄膜体声波谐振器的结构强度和散热能力，利于未来高功率器件的设计。
横向激励薄膜声波谐振器

[实用新型]一种基于纵声表面波的高性能声学器件-CN202223336102.X有效
发明人：王园园;张树民;汪泉;王国浩 -专利权人： 杭州左蓝微电子技术有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本实用新型涉及芯片技术领域，提供了一种基于纵声表面波的高性能声学器件。所述声学器件包括依次叠加的衬底、温度补偿层、压电薄膜和叉指换能器，其中，所述压电薄膜采用X‑Y切铌酸锂单晶压电薄膜，且所述X‑Y切铌酸锂单晶压电薄膜的旋切角为φ，传播角为ψ，‑25°≤φ≤+18°，+19°≤ψ≤+52°。所述声学器件具有高声速、高机电耦合系数和稳定的温度频率特性的特点，使所述声学器件能够满足5G通信系统的应用环境。
一种基于纵声表面波性能声学器件

[实用新型]一种集成化声波器件-CN202223182745.3有效
发明人：汪泉;张树民;洪春;王国浩;王园园 -专利权人： 杭州左蓝微电子技术有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成化声波器件，包括复合基板、三明治结构、叉指结构，其中所述复合基板被分为第一谐振区域和第二谐振区域，第一谐振区域包含第一基底，第二谐振区域从下至上包含第一基底及第二基底，复合基板在第一谐振区域设有空腔，所述三明治结构设置在所述空腔上形成第一谐振器，所述叉指结构设置在所述复合基板的第二谐振区域上形成第二谐振器。本实用新型的复合基板包含了适用于不同谐振器的基底，通过三明治结构、叉指结构分别与对应的基底组成谐振器，实现了谐振器的集成化，能够同时激发两种声波模式。
一种集成化声波器件

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