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[实用新型]一种光电探测器-CN202221185080.9有效
发明人： 杨露寒 -专利权人：武汉华工正源光子技术有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10K30/65 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光电探测器，包括衬底，所述衬底上从下到上依次设有沟道层、电极和光诱导浮栅层。所述沟道层用于传输载流子，电极与沟道层之间形成肖特基结；光诱导浮栅层用于吸收光并与沟道层之间形成PN结，在沟道层和光诱导浮栅层之间界面处形成内置电场，用于分离载流子形成光生电子‑空穴对，所述光诱导浮栅层上设置有用于调控沟道层中载流子浓度的顶栅层，所述顶栅层采用具有铁电极化效应的材料，所述顶栅层利用材料的铁电极化效应，在光照的条件下分离电子‑空穴对，产生光电流。本实用新型可以实现在可见‑近红外波段，低功耗、高效率的光电探测。
一种光电探测器

[实用新型]一种片上光偏振测试结构-CN202221166727.3有效
发明人：李军;李哲;汪巧云;杨露寒;李春生;杨凌冈 -专利权人：武汉华工正源光子技术有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G01J4/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及光通信技术领域，具体涉及一种片上光偏振测试结构，包括顶层硅SOI晶圆，顶层硅SOI晶圆上制作有多模干涉耦合器、TE模式光栅耦合器和TM模式光栅耦合器；多模干涉耦合器具有入光端口、第一出光端口和第二出光端口，第一出光端口与TE模式光栅耦合器的一端连接，第二出光端口与TM模式光栅耦合器的一端连接。多模干涉耦合器的长度Lmmi、TE偏振光在多模干涉耦合器内的拍长Lpi(TE)、TM偏振光在多模干涉耦合器内的拍长Lpi(TM)满足如下关系式：Lmmi=n*Lpi(TE)=(n‑1)*Lpi(TM)。本实用新型将不同偏振状态的光栅级联在多模干涉耦合器相应的输出端口上，可以获得极高偏振相关性的测试结构，从而提取出高精度的所需偏振光，保证光纤耦合进硅光芯片的光偏振态是所需的。
一种上光偏振测试结构