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[发明专利]超快电脉冲下氧化铪基铁电薄膜畴和畴壁运动的分析方法-CN202011191969.3有效
发明人：蒋丽梅;邵宴萍;王渊曜;赖彬;邓宇辉;杨宛亭 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：一种超快电脉冲下氧化铪基铁电薄膜畴和畴壁运动的分析方法，包括：分别构建预设厚度的氧化铪基铁电薄膜的力场方程式、极化场方程式和电场方程式，得到氧化铪基铁电薄膜模型,其中力场方程式和所述极化场方程式中，力场持续的时间和极化场持续的时间相同，都是0.1‑100纳秒；分别推导出力场方程式的弱形式、极化场方程式的弱形式和电场方程式的弱形式；对力场方程式的弱形式、极化场方程式的弱形式和电场方程式的弱形式求解得到不同时刻所述铁电薄膜内的畴结构；根据不同时刻的铁电薄膜内的畴结构得到畴壁随时间的变化曲线。分析得到超快电脉冲幅值及持续时间与氧化铪基铁电薄膜保持性能、wake up效应之间的关联，为氧化铪基铁电薄膜宏观性能优化提供指导。
电脉冲氧化铪基铁电薄膜运动分析方法

[发明专利]掺杂元素对HfO2-CN202210783101.5在审
发明人：蒋丽梅;杨宛亭;邓宇辉;廖宁涛;林鑫;朱冰妍;姜杰;杨琼 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂元素对HfO2铁电薄膜畴结构影响的相场分析方法。该方法包括建立极化序参量的总能量方程；基于所述总能量方程建立基于掺硅元素影响的力场控制方程、极化场控制方程和电场控制方程；基于掺杂元素的化学能和梯度能建立掺杂元素能量方程；基于所述掺杂元素能量方程建立浓度场控制方程；根据所述力场控制方程、极化场控制方程、电场控制方程和浓度场控制方程建立铁电薄膜的相场计算模型；基于所述相场计算模型，通过调整掺杂元素的浓度和分布方式模拟所述HfO2铁电薄膜的相变规律。该方法通过引入掺杂元素的掺杂元素能量方程，使得HfO2铁电薄膜的相场计算模型能够为掺杂元素的浓度和分布方式提供优化指导。
掺杂元素 hfo base sub

[发明专利]一种氧化铪基铁电薄膜基于氧空位影响的相场分析方法-CN202111656161.2在审
发明人：蒋丽梅;王渊曜;邵宴萍;邓宇辉;杨宛亭;廖宁涛;林鑫;朱冰妍;姜杰;杨琼 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本申请公开了一种氧化铪基铁电薄膜基于氧空位影响的相场分析方法，包括：考虑氧空位浓度对氧化铪基铁电薄膜的影响，确定总的能量方程；通过能量方程，建立基于氧空位影响的各物理场的本构方程；确定各个物理场的控制方程；通过有限元方法进行求解，推导得到基于氧空位影响的各个物理场控制方程的弱形式，根据所述方程的弱形式建立氧化铪基铁电薄膜基于氧空位影响的相场计算模型，以此模拟基于不同氧空位浓度下氧化铪基铁电薄膜多态共存的畴结构云图及其相转变规律。本申请通过计算模式的建立，能够为实验人员在实验过程中提供关于氧空位影响的理论指导，以此有效降低实验成本，并对实验过程中使用到的氧空位浓度有一个预设的范围调控值。
一种氧化铪基铁电薄膜基于空位影响分析方法