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[发明专利]硅晶片的抛光方法及硅晶片的制造方法-CN202180085438.2在审
发明人： 村上雅大;寺川良也 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：一种硅晶片的抛光方法，其包括将前段抛光工序和其后的精抛工序作为最终抛光工序进行的步骤，所述硅晶片的抛光方法中，所述最终抛光工序中的所述精抛工序包括：精浆料抛光工序，使用磨粒的密度为1×1013个/cm3以上的抛光液作为所述第二抛光液；及预抛光工序，在所述精浆料抛光工序之前进行且使用磨粒的密度为1×1010个/cm3以下的抛光液作为所述第二抛光液。一种硅晶片的制造方法，其在通过切克劳斯基法生长的单晶硅锭的外周部形成缺口部，接着切片而得到硅晶片之后，通过上述硅晶片的抛光方法，对得到的硅晶片实施抛光处理。
晶片抛光方法制造

[发明专利]半导体晶片的评价方法和制造方法以及半导体晶片的制造工序管理方法-CN201980086184.9在审
发明人：长泽崇裕;村上雅大 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G01N21/956 文献下载
摘要：提供了半导体晶片的评价方法，其是具有研磨面的半导体晶片的评价方法，包含利用一种以上洗净液对上述半导体晶片进行洗净的洗净工序，包含：在上述洗净工序之前和之后分别使用激光表面检查装置来测定上述研磨面的LPD，基于通过上述测定得到的测定结果，根据表A所示的判别基准，来判别作为LPD被测定到的缺陷或异物的种类。表A：测定结果缺陷或异物的种类上述洗净工序之前的检测尺寸X和上述洗净工序之后的检测尺寸Y满足X＜Y的关系的LPDPID在上述洗净工序之前被检测到但是在上述洗净工序之后未被检测到的LPD通常颗粒上述洗净工序之前的检测尺寸X和上述洗净工序之后的检测尺寸Y满足X≥Y的关系的LPD粘附颗粒
半导体晶片评价方法制造以及工序管理