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[发明专利]PZT基压电陶瓷固相烧结工艺优化方法-CN202310788785.2在审
发明人：逯景桐;毕科;李昭;许建春;李陈博文;曹进清 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C04B35/491 文献下载
摘要：本申请提供一种PZT基压电陶瓷固相烧结工艺优化方法，该优化工艺主要在压电陶瓷的高温固相烧结阶段，将传统的烧结装置改进为具有双层坩埚嵌套的高铅分压气氛装置。高铅分压气氛的保证，减少了因为铅的大量挥发导致的烧结过程中第二相的产生，进而缓解陶瓷烧结过程中由于铅挥发带来的成分不均匀，致密度低等的问题。两层坩埚的设置，既能保证高温烧结过程高铅气氛不会收到本身高温形变的影响，又有利于环境保护。进一步的，在内层坩埚边缘铺撒氧化铅粉末，充分保证铅的含量。另外在传统固相烧结法PZT陶瓷胚体与预烧粉叠放基础上，添加上下两层的PZT垫片，优化烧结过程中的温差，使得高温烧结更加均匀稳定。通过以上几步的PZT基压电陶瓷固相烧结工艺优化，调整烧结过程中的实验设置，可以实现缓解PZT基压电陶瓷烧结过程中由于铅大量挥发引发的性能下降，优化方式简洁，成本低，实用性强。
pzt 压电陶瓷烧结工艺优化方法

[发明专利]铌酸钠锂基陶瓷相界调控及性能优化方法-CN202310788913.3在审
发明人：逯景桐;李陈博文;李昭;曹进清;庞亚琛 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本申请提供一种铌酸钠锂(LNN)基陶瓷相界调控及性能优化方法，所述陶瓷材料由下列所示的化学通式所组成(1‑x)LiαNa1‑αNbO3‑x BaTiO3，其中0.04≤α≤0.20,0≤x≤0.30。该方法室温下为四方相的钛酸钡(BT)组分构建二元体系，在掺杂组分为0.88LNN‑0.12BT中成功将正交‑四方的相转变温度降低至室温附近并实现了压电常数d33的提升，相较原始组分在压电常数d33上提高了约77％。通过过量Li元素补偿的方式在LNN陶瓷中实现了增强的电致应变，其逆压电常数较未过量的组分提升约41％。这为压电陶瓷的改性提供了的新途径。
铌酸钠锂基陶瓷调控性能优化方法

[发明专利]一种铌酸锂钠基无铅压电陶瓷及其制备方法-CN202010782448.9在审
发明人：王轲;李陈博文;李敬锋;龚文;吴超峰;俞胜平;高洪伟;张丹阳;李庚 -专利权人：清华大学;浙江清华长三角研究院;歌尔股份有限公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公布了一种铌酸锂钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，所述铌酸锂钠基无铅压电陶瓷由下列所示的化学通式所组成(1‑x)LiαNa1‑αNbO3‑xBaTiO3；在制备过程中，将Li2CO3、Na2CO3、Nb2O5、TiO2、BaCO3混合加入无水乙醇球磨，烘干得到混合粉料，将该粉料进行预烧结；对预烧结后的粉料进行二次球磨，然后冷压成型得到陶瓷粗坯；陶瓷粗坯在空气气氛中高温烧结得到陶瓷样品，最后对样品进行极化处理得到铌酸锂钠基无铅压电陶瓷。本发明制备的铌酸锂钠基无铅压电陶瓷不仅具有高压电系数、高介电常数和高机电耦合系数的特点，同时还具有原料易于获得、成分简单不含剧毒元素铅、减少环境负担的优点；且制备工艺简单，耗时短。本发明具有广阔的应用前景。
一种铌酸锂钠基无铅压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种铌酸锂钠基无铅压电陶瓷的极化方法-CN202010782897.3在审
发明人：王轲;李陈博文;李敬锋;俞胜平;高洪伟;张丹阳;龚文;吴超峰;李庚 -专利权人：清华大学;歌尔股份有限公司;浙江清华长三角研究院
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L41/257 文献下载
摘要：本发明公布了一种铌酸锂钠基无铅压电陶瓷的极化方法，主要分为第一次极化和第二次极化；将铌酸锂钠无铅压电陶瓷放入硅油中，升温至设定温度，在设定的极化电场强度下保持一定时间，进行第一次极化；随后降温取出陶瓷样品静置后再次放入硅油中，升温加热，在设定的极化电场强度下保持一定时间，进行第二次极化，最后降温取出去除表面硅油，在室温(25℃)下测试其压电性能，实验表明，其压电常数能从普通极化的60pC/N提升至115pC/N。本发明合理选择极化条件，通过控制极化时压电陶瓷样品电极间的极化电场大小和时长，以及样品所处环境及温度，来提升压电性能；使用本发明的极化方法，可以让铌酸锂钠基无铅压电陶瓷具有优异的压电性能。
一种铌酸锂钠基无铅压电陶瓷极化方法