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[发明专利]一种用于微米级薄膜测试的数字化正电子湮没多普勒展宽谱仪及其测试方法-CN202310866482.8在审
发明人：陈奕文;李钰环;罗迷;刘建党;张宏俊;叶邦角 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明涉及用于正电子湮没多普勒展宽测量的多普勒谱仪的技术领域，具体为一种用于微米级薄膜测试的数字化正电子湮没多普勒展宽谱仪及其测试方法。包括高纯锗探测器、放大器、反符合模块和数据采集处理模块，高纯锗探测器用于接收正负电子湮没产生的湮没光子并沉积能量；放大器对负指数核脉冲信号进行放大和高斯成型处理，得到高斯脉冲信号；高速数字示波器的一路采集反符合脉冲信号，另一路采集放大器的高斯脉冲信号；计算机得到高速数字示波器的双通道信号进行反符合逻辑判断，得到多普勒展宽谱并计算其S‑W参数，获得薄膜样品内缺陷信息。本发明采用反符合模块对湮没光子位置进行判断，实现了用于微米级薄膜测试的数字化反符合多普勒谱仪。
一种用于微米薄膜测试数字化正电子湮没多普勒展宽及其方法

[发明专利]一种正电子湮没寿命二维分布测量系统-CN202310285340.2在审
发明人： 李钰环;赵秋贺;徐巍;叶邦角;张宏俊;刘建党 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明涉及正电子湮没寿命的技术领域，具体涉及一种正电子湮没寿命二维分布测量系统。本发明的一种正电子湮没寿命二维分布测量系统，包括反符合模块、第一探测模块、第二探测模块、位移模块、数据采集模块和数据处理模块；反符合模块可以使得正电子打在待测样品的区域大小和放射盲孔的孔口大小一致，可准确得到待测样品该区域的寿命信息，进而分析出待测样品该区域的缺陷信息，本发明的测量系统可以通过改变薄塑料闪烁体中放射盲孔的大小，控制正电子射入待测样品的区域大小，进而得到不同位置分辨下的正电子湮没寿命二维分布，经数据处理模块处理分析处理得到待测样品不同位置分辨下的缺陷分布。
一种正电子湮没寿命二维分布测量系统