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[发明专利]一种垂直LED芯片-CN201610169124.1在审
发明人：于婷婷;徐慧文;李起鸣 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直LED芯片，包括：表面具有N型GaN层的多边形垂直LED芯片；电极，形成于所述N型GaN层表面，所述电极包括中心焊垫、与所述中心焊垫电连并由所述焊垫指向芯片边缘的多插指主电极。本发明的垂直LED芯片通过芯片形状设计以及电极分布设计，提高了芯片的电流扩展能力以及芯片出光效率，从而进一步提高了芯片发光效率。
一种垂直 led 芯片

[发明专利]具有电流阻挡结构的LED垂直芯片及其制备方法-CN201510575405.2在审
发明人：魏天使;童玲;吕孟岩;张宇;李起鸣;徐慧文 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有电流阻挡结构的LED垂直芯片及其制备方法，包括：提供生长衬底，在生长衬底上依次生长非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层；在P型GaN层表面形成ITO透明导电层；在ITO透明导电层上蚀刻出第一开口及尺寸渐变的第二开口；在ITO透明导电层表面形成金属电极层；提供键合衬底，将键合衬底键合于金属电极层表面；依次去除生长衬底及非掺杂GaN层，并形成切割道；在N型GaN层表面形成N电极。本发明通过在ITO透明导电层上与N电极垂直投影位置蚀刻出第一开口，在第一开口外围蚀刻出自所述第一开口向外尺寸渐变的第二开口，形成良好的电流阻挡结构，缓解N电极下方电流的拥挤，提高电流的均匀分布，从而提高垂直结构LED的发光性能。
具有电流阻挡结构 led 垂直芯片及其制备方法

[发明专利]垂直LED芯片结构及其制备方法-CN201510955122.0在审
发明人：童玲;徐慧文;张宇;李起鸣 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直LED芯片结构及其制备方法，在制作完GaN发光外延结构之后，首先采用KOH对N-GaN层进行一次粗化，然后采用显影液（低碱性溶液）进行二次粗化，使得一次粗化形成的疏松的小金字塔逐渐变大，且不利于出光的平面区域出现密集的小金字塔形貌，这种大包小包共存的粗化形貌可使垂直芯片亮度大幅提升。本发明通过一种二次粗化工艺，可以明显改善现有垂直芯片N-GaN表面粗化效果不佳的状况，大幅提升垂直芯片的光提取效率。本发明的结构及方法简单，在半导体照明领域具有广泛的应用前景。
垂直 led 芯片结构及其制备方法

[发明专利]GaN基LED外延结构及其制备方法-CN201510646869.8在审
发明人：琚晶;马后永;游正璋;李起鸣;张宇;徐慧文 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN基LED外延结构及其制备方法，所述外延结构包括依次层叠的AlN薄膜、缓冲层、未掺杂的GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN浅量子阱超晶格结构、InGaN/GaN多量子阱发光层结构、P型电子阻挡层及P型GaN层，其中，所述缓冲层为AlN结构、AlN/GaN超晶格结构、或AlN到AlxGa1-xN的渐变结构中的一种。本发明先在衬底上镀一层AlN薄膜，然后再生长缓冲层来调节衬底与外延层之间的晶格及热膨胀失配，从而改善了外延底层的应力。本发明可以使外延底层晶体缺陷减少，质量提高，同时，较传统的外延生长方法，本发明具有明显的亮度提升效果，在LED生产制造领域具有广泛的应用前景。
gan led 外延结构及其制备方法

[发明专利]GaN基LED外延结构及其制备方法-CN201510617298.5在审
发明人：琚晶;马后永;游正璋;李起鸣;张宇;徐慧文 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN基LED外延结构及其制备方法，包括：提供生长衬底，利用原子层沉积技术在生长衬底上形成AlN缓冲层；在AlN缓冲层上依次生长未掺杂的GaN层及N型GaN层；在N型GaN层上生长InGaN/GaN超晶格量子阱结构；在InGaN/GaN超晶格量子阱结构上生长InGaN/GaN多量子阱发光层结构；在InGaN/GaN多量子阱发光层结构上生长P型电子阻挡层；在P型电子阻挡层上生长P型GaN层。利用原子层沉积技术形成的AlN缓冲层替代传统的低温GaN或AlN缓冲层，原子层沉积技术形成的AlN缓冲层具有良好的晶体质量，使得后续外延生长具有良好的结晶质量，从而外延结构的厚度可以减薄，生长速度也可以加快，进而提高了产能。
gan led 外延结构及其制备方法

[发明专利]GaN基LED外延结构及其制备方法-CN201510551284.8在审
发明人：马后永;琚晶;李起鸣;游正璋;张宇;徐慧文 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2015-09-01 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN基LED外延结构及其制备方法，包括：提供生长衬底，在生长衬底上生长成核层；于线性渐变的生长压力条件下或线性渐变与保压相结合的生长压力条件下在成核层上生长未掺杂的GaN层；在未掺杂的GaN层上生长N型GaN层；在N型GaN层上生长InGaN/GaN超晶格量子阱结构；在InGaN/GaN超晶格量子阱结构上生长InGaN/GaN多量子阱发光层结构；在InGaN/GaN多量子阱发光层结构上依次生长AlGaN层、低温P型层及P型电子阻挡层；在P型电子阻挡层上生长P型GaN层。通过调整生长压力条件可以改变生长过程中外延结构的翘曲度，调整翘曲度的幅度较大，便于找到合适的翘曲度使外延结构在生长多量子阱发光层结构时和载盘能很好的匹配，有效地改善单片外延结构的波长均匀性。
gan led 外延结构及其制备方法

[发明专利]GaN基LED外延结构及其制备方法-CN201510617296.6在审
发明人：琚晶;马后永;游正璋;李起鸣;张宇;徐慧文 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN基LED外延结构及其制备方法，包括：提供生长衬底，在生长衬底上生长缓冲层；在缓冲层上依次生长未掺杂的GaN层及N型GaN层；在N型GaN层上生长InGaN/GaN超晶格量子阱结构；在InGaN/GaN超晶格量子阱结构上生长InGaN/GaN多量子阱发光层结构；生长InGaN/GaN多量子阱发光层结构的过程中通入H₂，生长InGaN势阱的过程中通入的H₂的流量远小于生长GaN势垒过程中通入的H₂的流量；在InGaN/GaN多量子阱发光层结构上生长P型电子阻挡层；在P型电子阻挡层上生长P型GaN层。通过控制InGaN/GaN多量子阱发光层结构生长过程中的H₂流量，即能改善晶体质量，又不会对InGaN势阱材料造成腐蚀破坏，降低了量子阱结构中的晶体缺陷，从而降低了InGaN/GaN多量子阱发光层结构中有源区电子与空穴的非辐射性复合效率。
gan led 外延结构及其制备方法

[发明专利]具有粗化侧壁的LED垂直芯片结构及制备方法-CN201510532173.2在审
发明人：童玲;张宇;吕孟岩;李起鸣 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明提供一种具有粗化侧壁的LED垂直芯片结构及其制备方法，所述制备方法包括：1）于蓝宝石衬底上生长UID-GaN层、N-GaN层、多量子阱层以及P-GaN层；2）于P-GaN层上形成P电极；3）提供导电衬底，键合所述导电衬底与P电极；4）剥离所述蓝宝石衬底；5）去除所述UID-GaN层，并采用ICP刻蚀法去除切割道区域的GaN，同时形成GaN侧壁；6）对所述N-GaN层表面及GaN侧壁进行表面粗化，形成粗化微结构；7）制备N电极。本发明采用湿法腐蚀工艺将台面的侧壁及台面表面同时进行粗化，形成有利于出光的金字塔形微结构，一方面可以对台面的侧壁进行一次较为彻底的清洗，避免侧壁沾污造成的漏电，另一方面能够最大限度地提高垂直结构LED芯片内部光的提取效率。
具有侧壁 led 垂直芯片结构制备方法

[发明专利]GaN基LED外延结构及其制作方法-CN201510166452.1在审
发明人：马后永;琚晶;李起鸣;张宇;徐慧文 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2015-04-09 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN基LED外延结构及其制作方法，所述外延结构包括依次层叠的成核层、未掺杂GaN层、高温N型GaN层、低温N型GaN层、多量子阱结构、AlGaN层、低温P型AlInGaN层、P型电子阻挡层及P型GaN层。采用所述低温N型GaN层取代传统LED外延结构中的超晶格结构，由于所述低温N型GaN层的生长温度较低，会使得所述低温N型GaN层内的C元素的含量较高，又所述低温N型GaN层不含In元素，这不仅可以有效地降低外延电压，还可以有效地改善LED器件的漏电和反向电压，进而提高LED芯片的品质。
gan led 外延结构及其制作方法

[发明专利]倒装LED芯片及其制造方法-CN201510144434.3在审
发明人：李智勇;徐慧文;李起鸣;张宇 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种倒装LED芯片及其制造方法。提供包括蓝宝石衬底，形成于所述蓝宝石衬底正面上的N型氮化镓层、量子阱层和P型氮化镓层的前端结构；在前端结构上形成有欧姆接触层、反射层，然后形成连接N型氮化镓层的第一电极和连接反射层的第二电极，之后在蓝宝石衬底的背面进行减薄，并形成粗糙氧化铝层。相比现有技术，这一层表面粗糙的同衬底材料一致的氧化铝层，达到表面粗化提升出光效率的效果，也克服了现有技术中容易对正面产生影响、成本高等缺陷，因此制备成本低、工艺复杂程度低、易实现大规模量产。
倒装 led 芯片及其制造方法

[发明专利]LED芯片的制造方法-CN201510145433.0在审
发明人：于婷婷;徐慧文;张宇;李起鸣 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种LED芯片的制造方法。包括：提供衬底，所述衬底具有衬底侧壁；刻蚀所述衬底形成台阶，所述台阶具有台阶侧壁；在所述衬底上形成电流阻挡层，同时在所述衬底侧壁及台阶侧壁上形成钝化层；在所述衬底上形成透明导电层，所述透明导电层覆盖所述电流阻挡层；在所述透明导电层上和台阶上分别形成电极。相比现有技术，省去了一道光刻工艺，同时并未缺少所需要的膜层，因此也确保了LED芯片的质量。
led 芯片制造方法

[发明专利]LED结构及其制造方法-CN201510145448.7在审
发明人：张宇;李起鸣;徐慧文 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明揭示了一种LED结构的制造方法。包括：提供前端结构，所述前端结构包括衬底，形成于所述衬底上的氮化镓层；在所述氮化镓层上形成氧化铝层作为保护层。本发明还提供由该方法获得的LED结构。本发明能够提高出光率，获得更好的出光角度，提高了LED结构的外量子效率，提高了LED结构可靠性。
led 结构及其制造方法

[发明专利]倒装LED芯片及其制造方法-CN201510144432.4在审
发明人：李智勇;徐慧文;李起鸣;张宇 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种倒装LED芯片及其制造方法。包括提供包括衬底，形成于所述衬底上的N型氮化镓层、量子阱层和P型氮化镓层的前端结构；在前端结构上形成有欧姆接触层、反射镜介质层及反射镜金属层，然后形成连接N型氮化镓层的第一电极和连接反射镜金属层的第二电极。在本发明提供的倒装LED芯片中，在氮化镓与反射镜介质层全反射角外的入射光线可完成全反射，降低了反射镜对光的吸收比例，同时提高了反射镜全入射角度的平均反射率，提高了芯片的出光效率，提升了LED芯片的光电转换效率。
倒装 led 芯片及其制造方法

[发明专利]垂直结构LED芯片及其制造方法-CN201510144465.9在审
发明人：张宇;李起鸣 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明揭示了一种垂直结构LED芯片及其制造方法。所述制造方法包括：提供第一衬底，在第一衬底上形成N型氮化镓层、量子阱层及P型氮化镓层；刻蚀形成第一凹槽，暴露出N型氮化镓层；在P型氮化镓层上形成欧姆接触层、反射镜及绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第一凹槽，刻蚀绝缘层位于第一凹槽中央的部分，暴露出N型氮化镓层；在第一凹槽中形成N电极，在所述绝缘层及N电极上形成键合层；提供键合层与一键合衬底键合，并去除第一衬底；刻蚀所述N型氮化镓层、量子阱层及P型氮化镓层，形成第二凹槽；在第二凹槽中形成P电极。本发明还提供获得的垂直结构LED芯片。本发明简化芯片封装难度，提高电流的扩展均匀性，实现在较高电流下的驱动。
垂直结构 led 芯片及其制造方法

[发明专利]一种简易倒装LED及其制作方法-CN201510082021.7有效
发明人：于婷婷;徐惠文;张宇;李起鸣 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2015-02-15 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种简易倒装LED及其制作方法，包括步骤：首先提供一衬底，在所述衬底表面自下而上依次生长N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层；然后刻蚀所述P型GaN层、多量子阱层及N型GaN层，形成暴露所述N型GaN层的第一通孔；接着在所述P型GaN表面形成反射金属；接着在所述第一通孔底部的N型GaN层表面形成N金属层，同时在所述反射金属表面形成阻挡层；再形成隔离层，刻蚀所述隔离层形成暴露所述N金属层的第二通孔、同时形成暴露所述阻挡层的第三通孔；最后淀积电极层，在隔离层表面及第二通孔中形成N电极，在隔离层表面及第三通孔中形成P电极。本发明制作的倒装LED芯片，从工艺上简化，从而减少了生产成本，为倒装芯片大规模量产提供了可能性。
一种简易倒装 led 及其制作方法