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[发明专利]低衰减光纤及其在MCVD中的制造方法-CN200480043464.5无效
发明人： 李赞柱;张基完;徐永范 -专利权人： LS电线有限公司
申请日： 2004-07-07 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： C03B37/018 文献下载
摘要：本发明披露了一种低衰减光纤及其在MCVD中的制造方法，所述光纤为低衰减单模光纤，所述光纤具有光电导芯和包层，并且在MFD(模场直径)区内显示出非常低的OH浓度。所述光纤包括配置在其中心用于光电导的芯，和依次被覆于所述芯上的脱水包层和基体包层。脱水包层的折射率与基体包层的折射率基本相同。芯的折射率比脱水包层和基体包层的折射率大。脱水包层与基体包层相比具有相对较低的OH浓度。由芯和脱水包层构成的区域具有OH浓度小于0.8ppb的MFD区。
衰减光纤及其 mcvd 中的制造方法

[发明专利]利用包括脱水和脱氯步骤的改进化学汽相沉积法制造光纤预型体的方法以及由该方法制造的光纤-CN03802844.1无效
发明人：张基完;朴来赫;李赞柱 -专利权人： LG电线有限公司
申请日： 2003-08-20 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： C03B37/018 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用MCVD法制造光纤预型体，包括脱水和脱氯步骤的方法，该方法根据折射率分布采用不同组分的粉尘生成气体重复以下工序，所述工序包括：通过将粉尘形成气和氧气一同导入沉积管内，于低于粉尘烧结的温度下在沉积管内表面形成带孔隙的粉尘层；将脱水气体导入沉积管内，以脱去粉尘层内的羟基，同时保留粉尘层内的孔隙；将脱氯气体导入沉积管内而除去粉尘层内的氯杂质，同时保留粉尘层内的孔隙；在高于粉尘烧结温度下加热沉积管而烧结粉尘层。
利用包括脱水步骤改进化学沉积法制光纤预型体方法以及制造

[发明专利]在MCVD法中使用双喷灯制备光纤预制棒的方法和设备-CN03801635.4无效
发明人： 李赞柱;孙淳一;朴智想 -专利权人： LG电线有限公司
申请日： 2003-02-26 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： C03B37/018 文献下载
摘要：本发明公开了在MCVD中使用双喷灯制备光纤预制棒的方法，该方法包括：第一处理，在将反应气、氧气和脱水气体引入到石英管(10)中的同时，使用第一喷灯(21)将所述石英管加热到低于烧结温度的温度，以生成并沉积火焰水解物颗粒，然后在所述的第一喷灯(21)经过之后，通过使用与该第一喷灯(21)保持间隔的第二喷灯(22)来加热所述的石英管到预定的温度，以去除所述的火焰水解物颗粒中的水分；和第二处理，通过再次使用所述的第一喷灯(21)来去除所述的火焰水解物颗粒中的水分，从而进行去除水分的脱水处理，然后通过使用所述的第二喷灯(22)将所述的石英管加热到烧结温度以上，使去除了水分的所述火焰水解物颗粒玻璃化。
mcvd 使用喷灯制备光纤预制方法设备

[发明专利]核心不含羟基基团的光纤预制体的制作方法-CN03800975.7无效
发明人： 李赞柱;朴来赫;金在先;孙淳一 -专利权人： LG电线有限公司
申请日： 2003-06-26 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： C03B37/018 文献下载
摘要：核心基本上不含羟基基团的光纤预制体的制作方法，包括：将粉尘(SiO₂和GeO₂)沉积到石英管的内表面从而形成折射率相对较低的包覆层；在包覆层上形成具有相对较高折射率的核心层，其中核心层的形成步骤包括：(a)基础核心层形成步骤，该步骤通过对石英管进行加热使得石英管中的温度达到1000℃～1400℃并在石英管中引入反应气体(SiCl₄和GeCl₄)，然后在包覆层上堆积粉尘而产生粉尘；通过加热石英管使石英管内的温度达到600℃～1200℃，同时将脱水气体(He，Cl₂；O₂)引入石英管中以从粉尘和管中除去羟基基团(OH)和水蒸气；通过加热石英管使石英管内温度超过1700℃并引入脱水气体(He，Cl₂；O₂)以烧结粉尘并使之玻璃化；以及(b)补充核心层的形成步骤，通过至少重复一次(a)中的堆积/脱水/烧结步骤从而形成至少一层补充的核心层。
核心羟基基团光纤预制制作方法