专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管-CN200520107535.5无效
  • 贾海强;李卫;李永康;彭铭曾;朱学亮 - 中国科学院物理研究所
  • 2005-05-30 - 2006-08-09 - H01L33/00
  • 本实用新型涉及一种可解决P电极和N电极边缘间发光损失的桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管,通过金属有机物化学气相沉积生长技术,在异质材料或双抛面蓝宝石衬底上生长氮化镓基LED的多层材料结构,经过光刻、淀积、刻蚀、蒸发、剥离等步骤制备,其结构包括:淀积在氮化镓基基片上的至少一片状P电极和至少两个N电极;N电极为呈点状分布于片状P电极之间的多个点状N电极;淀积在点状N电极之间的条状绝缘介质层;以及蒸镀在条状绝缘介质层上,并与相应N电极相连接的金属反射薄膜层。可以增加P型区面积,减小结电流密度,提高内、外量子效率,并且芯片有更高的饱和电流,大幅提高了倒装焊LED芯片的发光效率。
  • 桥式电极氮化镓基大管芯发光二极管

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