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[发明专利]具坚固性的异质结双极性晶体管结构-CN201911293346.4有效
发明人：黄朝兴;金宇中;曾敏男;陈凯榆 -专利权人：全新光电科技股份有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：提供一种具坚固性的异质结双极性晶体管结构，包含基板与形成于基板上的多层结构，在多层结构中的射极层与欧姆接触层之间形成第一射极盖层与第二射极盖层或仅形成射极盖层；在设置有第一射极盖层与第二射极盖层的情形中，射极层之上形成第一射极盖层与第二射极盖层，借由使第一射极盖层或第二射极盖层的能隙发生变化，而提升HBT的坚固性；而在设置有一射极盖层的情形时，射极盖层是介于射极层与欧姆接触层之间，借由使至少一部分的射极盖层的电子亲和力小于或等于射极层的电子亲和力，而提升HBT的坚固性。
坚固异质结双极性晶体管结构

[发明专利]具有能隙渐变的电洞阻隔层的异质接面双极性晶体管结构-CN201810461188.8有效
发明人：金宇中;黄朝兴;曾敏男;陈凯榆 -专利权人：全新光电科技股份有限公司
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明提供一种具有能隙渐变的电洞阻隔层的异质接面双极性晶体管结构，包括一由N型III‑V族半导体形成并设置在一基板上的次集极层；一由N型III‑V族半导体形成并设置在次集极层上的集极层；一设置在集极层上的电洞阻隔层；一由P型III‑V族半导体形成并设置在电洞阻隔层上的基极层；一设置在基极层上并由N型能隙大于基极层的III‑V族半导体形成的射极层；一由N型III‑V族半导体形成并设置在射极层上的射极盖层；和一由N型III‑V族半导体形成并设置在射极盖层上的欧姆接触层；其中电洞阻隔层的能隙由基极层向集极层方向至少包含由小而大的能隙渐变且最大能隙大于基极层与集极层的能隙，可有效增进元件整体电气特性。
具有渐变阻隔异质接面双极性晶体管结构

[发明专利]定向磊晶的异质接面双极性晶体管结构-CN201410469535.3有效
发明人：金宇中;黄朝兴;曾敏男 -专利权人：全新光电科技股份有限公司
申请日： 2014-09-16 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：一种定向磊晶的异质接面双极性晶体管结构，是直接或间接成长在(100)朝向(111)B面倾斜的砷化镓基板上，包含在基板上由下而上依序堆栈的次集极层、集极层、基极层、射极层，射极盖层及欧姆接触层，其中射极层为N型能隙大于基极层的III‑V族半导体。此外，还可进一步包含夹在集极层及基极层之间的穿隧集极层，是由磷化铟镓(InGaP)或砷磷化铟镓(InGaAsP)形成。本发明是在(100)朝向(111)B面倾斜的砷化镓基板上成长，倾斜的角度为0.6°～25°，皆能在一般制程范围内轻易达成，使铟与镓在<111>方向上达到很有序的排列，缩小基极‑射极接面与基极‑穿隧集极接面导电带的不连续，增进整体电气特性。
定向异质接面双极性晶体管结构