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[发明专利]一种减小换相失败期间功率淤积的方法及系统-CN202310923655.5在审
发明人：娄彦涛;曾嵘;余占清;马元社;王江平;张松;王宗泽;许超群;王康;崔斌;高奇;姚舒 -专利权人：西安西电电力系统有限公司;中国西电电气股份有限公司;清华大学
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02J3/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小换相失败期间功率淤积的方法，所述方法包括：在抑制阶段，抑制短路故障电流异常上升并创造电流通路，以减少直流系统功率淤积；其中，在所述抑制阶段：交流电网系统发生短路故障且直流电压跌落。本发明有效地减小了换相失败期间功率淤积。
一种减小失败期间功率淤积方法系统

[发明专利]制冷器具饰件及制冷器具-CN202210418490.1在审
发明人：程伟;文艺;曾嵘 -专利权人：博西华家用电器有限公司;BSH家用电器有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： F25D23/00 文献下载
摘要：一种制冷器具饰件及制冷器具，所述制冷器具饰件包括：饰件本体，具有外表面；固定板，连接于饰件本体，固定板具有相对设置的内表面和外表面，固定板的内表面面向饰件本体的外表面，其中，饰件本体的外表面与固定板的内表面中的一个设置有沉槽，饰件本体的外表面与固定板的内表面中另一个设有凸起，凸起与沉槽适配并且使得饰件本体与固定板之间形成有容置腔，容置腔沿着固定板的至少部分边缘延伸；装饰层覆盖固定板的外表面并包覆固定板的至少部分边缘，且装饰层的至少部分边缘位于固定板的内表面与饰件本体的外表面之间，并处于容置腔之内。上述方案提供的制冷器具饰件可以降低起皱或翘边的概率。
制冷器具

[发明专利]医用隧道器-CN202210470542.X在审
发明人：李方达;曾嵘;刘志丽;张慧;顾光超;吴亮霖;郑月宏 -专利权人：中国医学科学院北京协和医院
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： A61M25/01 文献下载
摘要：本发明涉及手术器械技术领域领域，公开了一种医用隧道器，该医用隧道器包括：空心针头；柔性管体，柔性管体包括主支撑部、弯折部和旁支部，主支撑部的周壁内设有螺旋状的金属丝，空心针头可移动地套设在主支撑部的外侧；弯折部和主支撑部的前端连接并位于主支撑部的内腔中，弯折部的内部形成有用于容纳止血药剂的药剂腔；旁支部和主支撑部连通并相对主支撑部斜向伸出，旁支部的周壁中设有刚性支撑层；充气管，充气管的一端和气源连接，充气管的另一端和旁支端盖上的充气口连接上，结构简单，易于生产制造，有利于减少医用隧道建立过程中对人体软组织的损伤。
医用隧道

[发明专利]一种IGCT-MMC换流阀子模块箝位电路损耗计算方法和装置-CN202011643943.8有效
发明人：郭明珠;赵彪;周兴达;白睿航;唐博进;周文鹏;郝峰杰;余占清;张若愚;曾嵘 -专利权人：中国长江三峡集团有限公司;清华大学
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F30/3323 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGCT‑MMC换流阀子模块箝位电路损耗计算方法和装置，计算方法包括如下步骤：建立二极管反向恢复过程的电流源等效模型；通过电流源等效模型对IGCT‑MMC换流阀子模块投切进行等效；分析IGCT‑MMC换流阀子模块投切引起的暂态过程；对暂态过程进行仿真；分析仿真结果，得到箝位电路损耗计算公式，计算出箝位电路损耗能量。本发明有效求解出IGCT‑MMC换流阀子模块箝位电路损耗能量计算公式，其中包括二极管关断后反向恢复电流产生的能量损耗，有助于箝位电路损耗能量的精确定量分析，便于系统优化设计。
一种 igct mmc 换流模块箝位电路损耗计算方法装置

[发明专利]基于降压型公共直流电压母线的并联构网型变压器-CN202110956890.3有效
发明人：曾嵘;孙长平;赵彪;尹立坤;余占清;唐博进;安峰;潘海宁;白睿航;郭明珠;崔彬;周兴达 -专利权人：中国长江三峡集团有限公司;清华大学
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02M3/28 文献下载
摘要：本发明提供一种基于降压型公共直流电压母线的并联构网型变压器，所述并联构网型变压器包括：中压直流母线，两端交流母线，其中，所述两端交流母线通过交流‑直流变换器接入所述中压直流母线。本发明的基于降压型公共直流电压母线的并联构网型变压器面向“双高”背景下的高可靠配电应用场景，低成本、紧凑化、高效率；本发明实现了中压交流配电网在线互联、高比例分布式能源汇集、大容量储能接入、“源网荷储”灵活互动的应用需求。
基于降压公共直流电压母线并联构网型变压器

[实用新型]一种烟株切块后消毒漂洗装置-CN202223262173.X有效
发明人：蔡永占;韩小女;白涛;曾嵘;黄飞燕;李俊强;刘佳妮;叶贤文;余磊 -专利权人：云南省烟草公司曲靖市公司;昆明学院;宣威市农业技术推广中心
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： A61L2/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种烟株切块后消毒漂洗装置，包括：箱体；所述箱体顶部活动连接有箱盖，箱体内设置有液压杆，液压杆与液压泵连接，液压泵与第一控制器连接；液压杆内设置有放置框，放置框侧壁上设置有卡孔，卡孔内设置有卡杆，卡杆与移动框连接，放置框、移动框均设置为网板结构。便于切块后的烟株进行消毒漂洗。
一种切块消毒漂洗装置

[发明专利]可关断器件与晶闸管串联换流器的缓冲回路及其控制方法-CN202210365352.1在审
发明人：余占清;曾嵘;许超群;王宗泽;张松;陈政宇;吴锦鹏;刘佳鹏;赵彪;屈鲁;任春频;庄池杰 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H02M1/34 文献下载
摘要：本发明涉及可关断器件与晶闸管串联换流器的缓冲回路及其控制方法。其中缓冲回路包括多个相同的桥臂，每个桥臂由晶闸管阀串和可关断阀串串联而成；所述可关断阀串用于延长晶闸管阀串恢复时间；可关断阀串包括相互并联的第一支路、第二支路与第三支路。控制方法包括以下步骤：电流过零或者可关断阀串主动关断时，TVS二极管上会先出现正向电压，晶闸管处在恢复阶段，缓冲电容上没有充电电流；电压逐渐升高，晶闸管完成恢复完全关断时或者完全关断之后，TVS二极管上的电压达到阈值，TVS二极管被击穿；可关断阀串和晶闸管上的电压一起上升。本发明能够使主动器件优先承受正压时晶闸管不会重新导通，同时还可以避免主动器件两端电压过高而烧毁。
可关断器件晶闸管串联换流缓冲回路及其控制方法

[发明专利]电场传感装置和方法-CN202311188214.1在审
发明人：庄池杰;鲍成英;马昕雨;曾嵘;刘向东;蔡兆雨 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01R29/12 文献下载
摘要：本申请提供一种电场传感装置和方法。该装置包括：测量系统和薄膜铌酸锂制成的传感探头，两者通过光纤连接；传感探头包括薄膜铌酸锂环形波导、薄膜铌酸锂直波导、薄膜铌酸锂平板、缓冲层和支撑材料，薄膜铌酸锂环形波导、薄膜铌酸锂直波导组成谐振腔；测量系统用于输出频率锁定至谐振腔的谐振频率的激光信号至传感探头，并接收通过谐振腔后输出的光信号；测量系统还用于将光信号转换为电信号，并根据电信号，获取谐振腔的谐振峰在频率方向上的移动；根据谐振腔的谐振峰在频率方向上的移动，计算出外界电场变化值。本装置可提高电场传感器的灵敏度并减小器件体积，增加电场传感装置的环境稳定性。
电场传感装置方法

[发明专利]铌酸锂薄膜芯片、光学器件及光学器件的耦合方法-CN202310458881.0在审
发明人：庄池杰;马昕雨;曾嵘;刘向东 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本申请提供一种铌酸锂薄膜芯片、光学器件及光学器件的耦合方法。其中，铌酸锂薄膜芯片，包括：衬底层、缓冲层以及铌酸锂层，缓冲层设置在衬底层的上方，铌酸锂层设置在缓冲层的上方；光波导，设置在铌酸锂层上，光波导与铌酸锂层为一体成形结构，光波导包括第一波导段以及与第一波导段连接的第二波导段，第二波导段具有靠近第一波导段的第一端和远离第一波导段的第二端，第二波导段的横截面积在从第二波导段的第一端至第二波导段的方向上逐渐增大，第一波导段的横截面积与第二波导段的第一端的横截面积相同。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的单模光纤与铌酸锂薄膜芯片的光波导光学耦合困难的问题。
铌酸锂薄膜芯片光学器件耦合方法

[发明专利]一种半导体器件热分布的测试装置-CN202210048574.0有效
发明人：吴锦鹏;曾嵘;刘佳鹏;尚再轩;赵彪;余占清;周文鹏 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件热分布的测试装置，包括：外部测试回路、压接组件和红外热像仪；所述外部测试回路与压接组件电性连接；所述红外热像仪通过支架设置在压接组件上方；所述外部测试回路，用于进行阻断耐压测试、浪涌测试和关断瞬态测试；所述压接组件，用于为半导体器件提供压力，使半导体器件与外部测试回路电性连接；所述红外热像仪，用于观测半导体器件内部的红外信息。本发明的测试装置为非接触式测量。在阻断耐压、浪涌的工况下，该测试装置可用于半导体器件的筛选以及故障原因分析。对于瞬态的半导体器件开关过程，该测试装置可以反映半导体器件内部电流的瞬态过程，可以用于研究半导体器件的内部物理过程和物理机理。
一种半导体器件分布测试装置

[发明专利]直流耗能装置和开关子模块-CN202310658431.6有效
发明人：余占清;曾嵘;陈家祺;屈鲁;陈政宇;许超群;张松;赵彪;崔康生 -专利权人：清华大学;清华四川能源互联网研究院
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H02J3/38 文献下载
摘要：本发明提出一种直流耗能装置和开关子模块，适用于电力电子技术领域，可以解决现有直流耗能装置的高成本问题。该方案包括：一个或多个耗能电阻器；一个或多个限流电抗器；以及，开关模块；其中，开关模块、一个或多个限流电抗器，以及一个或多个耗能电阻器串联在两条直流母线之间，开关模块用于控制开关模块、一个或多个限流电抗器，以及一个或多个耗能电阻器组成的主耗能回路的导通或关断。
直流耗能装置开关模块

[发明专利]一种dq变换的风电变流器电网电压故障检测方法-CN202110707022.1有效
发明人：孙长平;屈鲁;郭明珠;余占清;陈煜坤;郝峰杰;曾嵘;赵彪 -专利权人：中国长江三峡集团有限公司;清华大学
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H02J3/38 文献下载
摘要：本发明提供一种dq变换的风电变流器电网电压故障检测方法，所述方法包括步骤：转换：将三相静止坐标系下的三相电压ua、ub、uc转换成为两相旋转坐标系下的电压ud、uq；延迟信号消除：将所述两相旋转坐标系下的电压uq进行延时处理，并求得两相旋转坐标系d轴和q轴上的正序分量#imgabs0#和#imgabs1#本发明的dq变换的风电变流器电网电压故障检测方法能在极短的时间内检测到电压幅值的变化，因此非常适合对时效性要求较高的海上风电低压穿越应用场合。
一种 dq 变换变流器电网电压故障检测方法

[发明专利]一种基于直接信号卷积的线路短路故障定位方法及系统-CN202210034934.1有效
发明人：庄池杰;王冠博;曾嵘 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G01R31/08 文献下载
摘要：本发明提供一种基于直接信号卷积的线路短路故障定位方法及系统，方法包括：将不同短路支路上的暂态信号与故障产生的暂态信号进行卷积处理，得到不同短路支路上对应的卷积信号；根据不同短路支路上对应的卷积信号分别计算不同短路支路上对应的卷积信号能量；从不同短路支路上对应的卷积信号能量中获取卷积信号能量最大值，卷积信号能量最大值对应的短路支路位置即真实故障定位位置，将卷积信号能量最大值对应的短路支路位置作为真实故障定位位置输出。方法适用于拓扑结构不同的网络；故障定位过程无需对故障产生的暂态信号进行时域反演；只需使用EMTP软件进行一次仿真计算，通过硬件系统即可实现线路短路故障定位。
一种基于直接信号卷积线路短路故障定位方法系统

[发明专利]一种耐受复杂激励的柔直大容量三相隔离变压器-CN202310755445.X在审
发明人：赵彪;杨哲;崔彬;屈鲁;余占清;曾嵘 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01F27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐受复杂激励的柔直大容量三相隔离变压器。各相副边绕组之间无电气连接，三相五柱铁芯的上下铁轭截面积与每相主柱截面积相等，旁柱截面积与每相主柱截面积的一半的差值不超过第一预设值，B相器身结构与A、C相的器身结构不同，B相无直流偏置电压，A、C相承受直流偏置电压，A或C相绕组间纸板层数及厚度都与B相绕组间纸板层数及厚度的两倍相差不超过第二预设值。能够提高变压器可靠性，并降低系统成本，长期耐受大量三次零序谐波电压、直流偏置叠加电压、不平衡直流偏置电压等复杂的电压激励，降低变压器成本，减轻变压器重量，降低变压器制造难度。
一种耐受复杂激励柔直大容量三相隔离变压器

[发明专利]一种低锆的卫生陶瓷乳浊釉、卫生陶瓷制品及其制备方法-CN202310916488.1在审
发明人：仝元东;唐小勇;曾嵘;陈俊;程志浩;汪昭斌 -专利权人：景德镇乐华陶瓷洁具有限公司;箭牌家居集团股份有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C03C8/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种低锆的卫生陶瓷乳浊釉、卫生陶瓷制品及其制备方法，该低锆的卫生陶瓷乳浊釉由包括以下重量份的原料制成：钾钠长石55‑60份、烧滑石13‑18份、苏州土13‑17份、白云石1‑3份、氧化锌1‑2份、碳酸钡0.5‑0.8份、硅酸锆2‑4份、磷酸钙1‑3份。本发明的卫生陶瓷乳浊釉原料来源广泛、成本低廉，通过优化配方组成，精选原料组成，并合理配比，选择了适当配比的钾钠长石、烧滑石、苏州土、白云石、氧化锌、碳酸钡、硅酸锆、磷酸钙，既充分发挥各自的优点，又相互补充，相互促进，在降低釉料成本的情况下，釉面具有高白度(白度在81以上)和高光泽度(光泽度在74以上)，并减少釉面中的毛孔，改善釉面综合外观性能。
一种卫生陶瓷乳浊釉卫生陶瓷制品及其制备方法

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