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[发明专利]金属材料OLED沉积掩模及沉积掩模的残余应力的测量方法-CN202310109595.3在审
发明人：白智钦;金海植;曹荣得;李相侑;曹守铉;孙晓源 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明涉及金属材料OLED沉积掩模及沉积掩模的残余应力的测量方法。特别地，所述沉积掩模包括：沉积区域和非沉积区域，其中，所述沉积区域包括有效部分和非有效部分，其中，所述有效部分包括多个通孔，多个所述通孔包括从一个表面沿深度方向的小表面孔和从与所述一个表面相反的另一表面沿深度方向与所述小表面孔连通的大表面孔、以及在所述另一表面上位于多个所述大表面孔之间的岛状部分，并且其中，所述非沉积区域包括第一凹槽部分，所述第一凹槽部分包括沿所述沉积掩模的深度方向的凹槽。
金属材料 oled 沉积残余应力测量方法

[发明专利]金属板和使用其的沉积掩模-CN202310105173.9在审
发明人：李相侑;金南昊;曹荣得 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明涉及金属板和使用其的沉积掩模。根据一个实施方案的用于制造沉积掩模的金属板具有30μm或更小的厚度并且包含含有氧(O)和铬(Cr)的铁(Fe)‑镍(Ni)合金金属材料，其中金属材料为铬(Cr)的原子浓度为0.03原子％或更小的殷钢，金属材料包括外部部和排除外部部的内部部，所述外部部包括表面，在距离表面14nm或更小的深度范围内，外部部具有60原子％或更小的铁(Fe)的最大原子浓度、40原子％至45原子％的镍(Ni)的最大原子浓度和10原子％或更小的氧(O)的最大原子浓度。
金属板使用沉积

[发明专利]用于OLED像素沉积的金属材料沉积掩模及其制造方法-CN201880058019.8有效
发明人：白智钦;金海植;曹荣得;李相侑;曹守铉;孙晓源 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H10K71/16 文献下载
摘要：根据本发明的实施方式的用于OLED像素沉积的金属材料沉积掩模包括用于形成沉积图案的沉积区域和除沉积区域之外的非沉积区域。沉积区域包括沿纵向方向间隔开的多个有效部分和除有效部分之外的非有效部分。有效部分包括：形成在一个表面上的多个小面积孔；形成在与一个表面相反的一侧的背面上的多个大面积孔；连通小面积孔和大面积孔的通孔；以及位于多个通孔之间的岛状部分，其中，通孔的直径不大于33μm并且通孔中的两个相邻通孔的中心之间的距离不大于48μm，这对应于500PPI的分辨率，大面积孔相对于背面的倾斜角为40度至55度，非沉积区域的在纵向方向上的平均中心线平均表面粗糙度和非沉积区域的在宽度方向上的平均中心线平均表面粗糙度为0.1μm至0.3μm，非沉积区域的在纵向方向上的平均十点平均表面粗糙度(Rz)和非沉积区域的在宽度方向上的平均十点平均表面粗糙度为0.5μm至2.0μm，在纵向方向上的平均中心线平均表面粗糙度值相对于在宽度方向上的平均中心线平均表面粗糙度的偏差小于50％，并且在纵向方向上的平均十点平均表面粗糙度值相对于在宽度方向上的平均十点平均表面粗糙度的偏差小于50％。
用于 oled 像素沉积金属材料及其制造方法

[发明专利]用于制造有机发光二极管沉积掩模的金属板-CN202210426416.4在审
发明人：白智钦;金海植;曹荣得;李相侑;曹守铉;孙晓源 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造有机发光二极管沉积掩模的金属板，该金属板包括：第一表面和第二表面，第二表面与第一表面相对，其中，金属板的第一表面或第二表面的在纵向方向上的平均中心线平均表面粗糙度和在侧向方向上的平均中心线平均表面粗糙度中的每一者为0.1μm至0.3μm，其中，金属板的第一表面或第二表面的在纵向方向与侧向方向之间的对角线方向上的平均中心线平均表面粗糙度为0.1μm至0.3μm，其中，纵向方向是金属板的轧制方向，其中，侧向方向是垂直于金属板的轧制方向的方向，并且其中，对角线方向是纵向方向与侧向方向之间的+45度方向或‑45度方向。
用于制造有机发光二极管沉积金属板

[发明专利]用于制造有机发光二极管沉积掩模的方法-CN202210426815.0在审
发明人：白智钦;金海植;曹荣得;李相侑;曹守铉;孙晓源 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造有机发光二极管沉积掩模的方法，该方法包括：准备已经被轧制和退火的具有30μm或更大的厚度的金属板；将金属板蚀刻成具有在15μm至25μm的范围内的厚度；以及在金属板上形成多个通孔，通孔包括多个小表面孔和多个大表面孔，其中，金属板的蚀刻包括：蚀刻经轧制和退火的金属板的一个或两个表面，使得金属板的第一表面或第二表面的在纵向方向上的平均中心线平均表面粗糙度、在侧向方向上的平均中心线平均表面粗糙度和在对角线方向上的平均中心线平均表面粗糙度中的每一者为0.1μm至0.3μm，其中，纵向方向是金属板的轧制方向，侧向方向是垂直于金属板的轧制方向的方向，对角线方向是纵向方向与侧向方向之间的+45度方向或‑45度方向。
用于制造有机发光二极管沉积方法

[发明专利]沉积掩模-CN202210427718.3在审
发明人：白智钦;金海植;曹荣得;李相侑;曹守铉;孙晓源 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种沉积掩模，该沉积掩模包括：金属板，金属板用于有机发光二极管像素图案的有机材料沉积；多个小表面孔，小表面孔形成在金属板的一个表面上；多个大表面孔，大表面孔形成在与金属板的一个表面相反的另一表面上；以及多个通孔，通孔将小表面孔和大表面孔连通；其中，小表面孔的在金属板的纵向方向上的横截面中的高度与小表面孔的在金属板的侧向方向上的横截面中的高度不同。
沉积

[发明专利]沉积掩模-CN202210426824.X在审
发明人：白智钦;金海植;曹荣得;李相侑;曹守铉;孙晓源 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种沉积掩模，包括：金属板，该金属板包括沉积区域和非沉积区域，其中，沉积区域包括：多个小表面孔，所述小表面孔形成在金属板的一个表面上；多个大表面孔，所述大表面孔形成在与金属板的一个表面相反的另一表面上；以及多个通孔，所述通孔将小表面孔和大表面孔连通；并且其中，在金属板的纵向方向上的横截面中相对于另一表面将大表面孔的一个端部和另一端部连接的第一倾斜角与在垂直于金属板的纵向方向的侧向方向上的横截面中相对于另一表面将大表面孔的一个端部和另一端部连接的第二倾斜角不同。
沉积

[发明专利]半导体器件-CN201580042507.6有效
发明人： 曹荣得 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：根据实施方案的半导体器件包括衬底、在衬底上的外延层、以及设置在外延层上的包括多个颗粒并且接触外延层的簇电极，所述颗粒被设置成彼此间隔开。
半导体器件

[发明专利]用于沉积的掩模及用于制造该掩模的方法-CN201880074235.1在审
发明人：李相侑;曹荣得;金南昊 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：实施方式涉及一种用于制造用于沉积OLED像素的沉积掩模的方法，该方法包括以下步骤：准备金属板；在金属板的一个表面上设置第一光致抗蚀剂层，并且通过对第一光致抗蚀剂层进行曝光和显影而使第一光致抗蚀剂层图案化；通过对图案化的第一光致抗蚀剂层的开口部分进行半蚀刻而在金属板的所述一个表面上形成第一凹槽；在金属板的与所述一个表面相反的另一表面上设置第二光致抗蚀剂层，并且通过对第二光致抗蚀剂层进行曝光和显影而使第二光致抗蚀剂层图案化；通过对图案化的第二光致抗蚀剂层的开口部分进行半蚀刻而形成连接至第一凹槽的通孔；以及通过移除第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层而在金属板上形成掩模图案，其中，金属板具有由以下等式1表示的平直度值，金属板的平直度为0.006％或更小。
用于沉积制造方法

[发明专利]金属板和使用其的沉积掩模-CN201880074868.2在审
发明人：李相侑;金南昊;曹荣得 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：根据一个实施方案的用于制造沉积掩模的金属板具有30μm或更小的厚度并且包含含有氧(O)和铬(Cr)的铁(Fe)‑镍(Ni)合金金属材料，其中金属材料为铬(Cr)的原子浓度为0.03原子％或更小的殷钢，金属材料包括外部部和排除外部部的内部部，所述外部部包括表面，在距离表面14nm或更小的深度范围内，外部部具有60原子％或更小的铁(Fe)的最大原子浓度、40原子％至45原子％的镍(Ni)的最大原子浓度和10原子％或更小的氧(O)的最大原子浓度。
金属板使用沉积

[发明专利]用于生长半导体晶体的半导体设备和方法-CN201280015140.5有效
发明人：金武成;曹荣得;孙昌铉;金范燮 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种半导体设备包括：基座衬底；在所述基座衬底上的图案；在所述基座衬底上的缓冲层；以及在所述缓冲层上的外延层。所述图案是自组装图案。一种半导体晶体的生长方法，所述方法包括：清洗碳化硅衬底；在所述碳化硅衬底上形成自组装图案；在所述碳化硅衬底上形成缓冲层；以及在所述缓冲层上形成外延层。一种半导体设备，包括：包括图案凹槽的基座衬底；以及在所述基座衬底上的外延层。一种半导体晶体的生长方法，所述方法包括：清洗碳化硅衬底；在所述碳化硅衬底上形成自组装凸起；中形成图案凹槽；以及在所述碳化硅上形成外延层。
用于生长半导体晶体半导体设备方法

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