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[发明专利]沟槽栅MOSFET的制造方法-CN202210459921.9在审
发明人：尹率;宋彦松;彭明亮;高欢欢;景晓娟;李玲悦;冯雪莹;何晶;韩鑫淼;曹静静 -专利权人：北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请公开了一种沟槽栅MOSFET的制造方法。沟槽栅MOSFET包括有源区以及围绕有源区的终端区。该制造方法包括：采用介质层形成屏蔽电介质和终端电介质，采用第一导电层形成屏蔽栅和终端导体；以及形成控制栅和栅极电介质，栅极电介质和屏蔽电介质分别位于第一沟槽上部内壁和下部内壁，控制栅和屏蔽栅分别填充第一沟槽上部空间和下部空间，其中，对介质层位于外延层上的部分依次进行减薄和第一蚀刻，从而将介质层分隔成屏蔽电介质和终端电介质，以及对屏蔽电介质进行第二蚀刻以达到与屏蔽栅的顶端相对应的高度。该制造方法可以提高器件的耐压性能、产品良率和可靠性。
沟槽 mosfet 制造方法

[发明专利]半导体器件及其沟槽栅结构的制造方法-CN202011416328.3在审
发明人：尹率;宋彦松;方宇;景晓娟;黄留敏;周源;王玉 -专利权人：北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其沟槽栅结构的制造方法，该沟槽栅结构的制造方法包括：在半导体结构表面形成牺牲层，其中半导体结构包括半导体层、位于半导体层中的沟槽、覆盖于半导体层上并填充于沟槽内的栅极导体层，且对应于沟槽的栅极导体层表面具有凹陷结构，牺牲层至少填充凹陷结构的一部分；同步刻蚀牺牲层与栅极导体层，以平坦化栅极导体层的表面。该沟槽栅结构的制造方法在保证该半导体器件的沟槽栅结构具有较高质量的同时，还降低了沟槽栅结构的制造难度与制造成本。
半导体器件及其沟槽结构制造方法

[实用新型]一种变电站球形摄像头清洁工具-CN201621366534.7有效
发明人：邹范岗;王菲;黄飞;王玉臻;刘玉霞;景晓娟;毕国松;段伟;尹生得;张晓明;王小龙;闫涛 -专利权人：国网青海省电力公司海西供电公司;国家电网公司;国网青海省电力公司
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： B08B1/00 文献下载
摘要：一种变电站球形摄像头清洁工具，用于方便实现对球形摄像头的清洁。它包括握持杆、仓型架、抹布和端盖，在所述握持杆的上端固定有仓型架，在所述仓型架的上方设有端盖，在所述端盖与仓型架之间设有抹布。所述锁止机构主要包括锁止器、活动块、插销、弹簧和拉环，所述锁止器固定在下杆上，在所述锁止器的内腔中滑动安装有活动块，在所述活动块上固定有插销，在所述活动块与锁止器内壁之间设有弹簧，在弹簧的作用下插销的作用端与上杆插接配合。该清洁工具，可以用于实现对球形摄像头的清洁，且抹布可拆卸的安装在仓型架上，既便于抹布的换洗，又能适应自身收缩时的需求。
一种变电站球形摄像头清洁工具

[发明专利]一种变电站球形摄像头清洁工具-CN201611147397.2在审
发明人：邹范岗;王菲;黄飞;王玉臻;刘玉霞;景晓娟;毕国松;段伟;尹生得;张晓明;王小龙;闫涛 -专利权人：国网青海省电力公司海西供电公司;国家电网公司;国网青海省电力公司
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： B08B1/00 文献下载
摘要：一种变电站球形摄像头清洁工具，用于方便实现对球形摄像头的清洁。它包括握持杆、仓型架、抹布和端盖，在所述握持杆的上端固定有仓型架，在所述仓型架的上方设有端盖，在所述端盖与仓型架之间设有抹布。所述锁止机构主要包括锁止器、活动块、插销、弹簧和拉环，所述锁止器固定在下杆上，在所述锁止器的内腔中滑动安装有活动块，在所述活动块上固定有插销，在所述活动块与锁止器内壁之间设有弹簧，在弹簧的作用下插销的作用端与上杆插接配合。该清洁工具，可以用于实现对球形摄像头的清洁，且抹布可拆卸的安装在仓型架上，既便于抹布的换洗，又能适应自身收缩时的需求。
一种变电站球形摄像头清洁工具