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[发明专利]具有测试结构的半导体器件以及半导体器件测试方法-CN200780022780.8无效
发明人：马塞尔·佩尔戈姆;比奥莱塔·彼得雷斯库;普鲁维·斯恩达克拉 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2007-06-14 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： G01R31/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，包括用于对半导体器件的结构的变化进行检测的测试结构(100)，测试结构(100)包括：第一供电轨(110)；第二供电轨(120)；环形振荡器(130)，耦合在第一供电轨(110)与第二供电轨(120)之间，环形振荡器(130)具有用于提供测试结果信号的输出(130)；以及单独可控制的晶体管(142)的阵列(140)，单独可控制的晶体管并行耦合在第一供电轨(110)与环形振荡器(130)之间。阵列(140)中各个晶体管(142)的输出电流的变化引起环形振荡器(130)中相应输出频率的变化。这给出了对前述结构变化的定性指示。通过包含基准电流源(160)能够得到更精确的结果，基准电流源(160)用于在对单独晶体管(142)的电流输出进行测量之前校准环形振荡器(130)。
具有测试结构半导体器件以及方法

[发明专利]硅上互连电容提取-CN200580044815.9无效
发明人： 普鲁维·斯恩达克拉;马塞尔·佩尔戈姆;吉恩·G·威尔宁;亨德里克斯·J·M·维恩德里克 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2005-12-19 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于硅上互连电容(C_x)提取的芯片上电路，所述电路对集成的晶体管中的工艺变化进行自补偿。所述电路(10)包括：信号发生装置(20)，用于产生连接到第一信号延迟装置(31)和第二信号延迟装置(32)的周期性脉冲信号，所述第一信号延迟装置(31)和第二信号延迟装置(32)用于分别延迟所述脉冲信号，其中，所述第二信号延迟装置(32)被构造成具有受所述互连电容(C_x)影响的延迟；逻辑XOR门(35)，用于连接所述第一延迟装置(31)的第一延迟信号和所述第二延迟装置(32)的第二延迟信号，所述逻辑XOR门(35)连接到信号积分装置(40)；以及所述信号积分装置(40)连接到模数转换装置(50)。同时，在传统的未补偿(如只有延迟线)的系统中的误差可能高至30％，而在根据本发明的电路中，由于前端中的工艺变化导致的误差为大约2％。此外，提供数字格式的输出，因而能够以简单的外部硬件快速地测量输出。此外，脉冲信号频率可以用作监视器，来测量前端中的工艺变化。此外，由于电路(10)非常精确且很容易测量，所以该电路是作为将来制造的各种芯片的工艺监视器的最好选择。
互连电容提取

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