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- [发明专利]相位差膜及制造方法-CN202211252755.1在审
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浅田毅
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日本瑞翁株式会社
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2018-05-18
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2023-01-20
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G02B5/30
- 本发明涉及一种相位差膜及其制造方法，该相位差膜由包含共聚物P的树脂C形成，共聚物P包含聚合单元A和聚合单元B，该相位差膜包含显现结构性双折射的相分离结构，上述相分离结构包含以上述聚合单元A为主成分的相和以上述聚合单元B为主成分的相，该相位差膜具有大于0且小于1的NZ系数，该相位差膜的面内延迟Re在120nm～160nm或者250nm～290nm的范围内。优选上述相分离结构具有层状、柱状、椭球状中任一种形态，上述相分离结构中的相间距离为200nm以下。本发明的相位差膜具有有用的光学特性，且能够以低成本容易地进行制造。
- 相位差制造方法
- [发明专利]微通道芯片及其制造方法-CN202180034465.7在审
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西冈宽哉
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日本瑞翁株式会社
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2021-05-24
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2023-01-13
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B81B1/00
- 本发明的目的在于提供一种微通道芯片及其制造方法，上述微通道芯片即使进行高温高压灭菌处理，通道也不会变形，可维持基板彼此的强有力的接合性。本发明的微通道芯片包含在至少一个表面形成有微细通道的通道基板、盖基板、以及将它们接合的接合层，通道基板、盖基板以及接合层由环状烯烃聚合物构成，构成通道基板的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度Tgs1、构成盖基板的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度Tgs2、构成接合层的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度Tg2的关系为：Tgs1＞Tg2、且Tgs2＞Tg2，接合层的厚度在规定的范围。
- 通道芯片及其制造方法
- [发明专利]放射线敏感性树脂组合物和电子部件-CN201880015012.8有效
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藤村诚
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日本瑞翁株式会社
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2018-01-31
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2023-01-13
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G03F7/023
- 本发明的目的在于提供一种可充分抑制显影残渣的产生且能够形成具有优异的伸长性的树脂膜的放射线敏感性树脂组合物。本发明的放射线敏感性树脂组合物含有：具有质子性极性基团的环状烯烃聚合物(A‑1)、具有质子性极性基团的环状烯烃聚合物(A‑2)、2官能环氧化合物(B)以及放射线敏感性化合物(C)，上述环状烯烃聚合物(A‑1)的重均分子量为1000以上且小于10000，上述环状烯烃聚合物(A‑2)的重均分子量为10000以上且100000以下，而且，上述环状烯烃聚合物(A‑2)的含量为上述环状烯烃聚合物(A‑1)和环状烯烃聚合物(A‑2)的合计含量的5质量％以上且55质量％以下。
- 放射线敏感性树脂组合电子部件
- [发明专利]容器-CN201980067985.0有效
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田中秀和;曾根笃;鹿野民雄
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日本瑞翁株式会社
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2019-10-31
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2023-01-13
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B65D77/10
- 本发明的目的在于提供一种能够反复开封和密封开口部的容器，其通过使一对树脂粘接部抵接而能够良好地封闭，并且可抑制附着物向各树脂粘接部的附着。本发明的容器具有主体和一对、即两个树脂粘接部，上述主体具有内部空间和将上述内部空间与外部连通的开口部，一对树脂粘接部配置成通过彼此抵接而能够密封上述开口部。在此，一对树脂粘接部的90°剥离力为0.02N以上，两个树脂粘接部的两者的动摩擦系数为1.50以下，并且两个树脂粘接部的两者的粘力为1.60N以下。
- 容器
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