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[发明专利]一种基于SOI衬底的MEMS气体流量芯片制备方法-CN202310909750.X有效
发明人：杨绍松;刘同庆 -专利权人： 无锡芯感智半导体有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01F1/684 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于SOI衬底的MEMS气体流量芯片制备方法。本发明包括提供硅衬底；沉积一层多晶硅层，形成P型多晶硅半导体层；对P型多晶硅半导体层通过光刻图形化，形成上游热电堆下层热电偶、下游热电堆下层热电偶和中心热源，并暴露出第二氧化硅支撑层；制作一层第一绝缘层进行电绝缘隔离；对第一绝缘层进行光刻并形成冷热端连接通孔；在第一绝缘层表面沉积一层导电层，形成上游热电堆下层热电偶导线结构、下游热电堆下层热电偶导线结构和中心热源导线结构；在硅衬底的两端制作微流道通道集成凹槽，得到MEMS气体流量芯片本体；将SOI衬底与MEMS气体流量芯片本体进行倒装集成。本发明微流量检测的灵敏度高、测量范围广以及抗干扰能力强。
一种基于 soi 衬底 mems 气体流量芯片制备方法

[发明专利]一种MEMS热温差型气体流量传感器芯片制备方法-CN202310825114.9有效
发明人：刘同庆 -专利权人： 无锡芯感智半导体有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01F1/684 文献下载
摘要：本申请提供一种MEMS热温差型气体流量传感器芯片制备方法，其可以基于较简单的工艺达到更高的灵敏度，同时可以基于较小尺寸实现芯片结构。在第一衬底的上表面设置了两组加热元件与热电堆，两个加热元件的温度场叠加，第一热电腿、互联金属区与第二热电腿共同构成的热电堆，热电堆和磁性薄膜组成了测温元件；测温元件与加热元件共同构成了MEMS热温差型气体流量传感器芯片。
一种 mems 温差气体流量传感器芯片制备方法

[发明专利]一种倒装封的微流道MEMS气体流量芯片-CN202310909912.X在审
发明人：杨绍松;刘同庆 -专利权人： 无锡芯感智半导体有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01F1/684 文献下载
摘要：本发明涉及一种倒装封的微流道MEMS气体流量芯片。本发明包括SOI衬底，设置有背腔；MEMS气体流量芯片本体，与SOI衬底相倒装集成，并与SOI衬底的背腔之间形成气体微流道通道结构；其中，MEMS气体流量芯片本体包括：硅衬底；热电堆，设置于硅衬底上，热电堆包括上游热电堆下层热电偶、下游热电堆下层热电偶以及中心热源；第一绝缘层，覆盖于热电堆且包括多个冷热端连接通孔；导线结构，包括分别通过冷热端连接通孔与上游热电堆下层热电偶、下游热电堆下层热电偶和中心热源相接触的上游热电堆下层热电偶导线结构、下游热电堆下层热电偶导线结构和中心热源导线结构。本发明改善了封装机械应力及大流量冲击对芯片的精度影响，提高了系统稳定性。
一种倒装微流道 mems 气体流量芯片

[发明专利]一种MEMS压电式压力传感器及其制备方法-CN202310689320.1有效
发明人：刘同庆 -专利权人： 无锡芯感智半导体有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：本发明涉及压力传感器技术领域，具体公开了一种MEMS压电式压力传感器及其制备方法，MEMS压电式压力传感器包括第二衬底层、压力敏感薄膜和热电发电机，压力敏感薄膜设置在第二衬底层的上表面，热电发电机设置在压力敏感薄膜的上表面，热电发电机包括第三衬底层、P型热电腿、N型热电腿、热电电极、绝缘层和散热层，第三衬底层位于压力敏感薄膜的上表面，P型热电腿和N型热电腿交错排列在第三衬底层的内部上端，热电电极位于第三衬底层的上表面，并且热电电极分别连接P型热电腿和N型热电腿，绝缘层位于热电电极的上表面，散热层位于绝缘层的上表面。本发明提供的MEMS压电式压力传感器，能够实现更高效的压力检测。
一种 mems 压电压力传感器及其制备方法

[发明专利]一种扩散硅压阻式压力传感器模块-CN202310621406.0有效
发明人：李子文;苏杰;陆小红;刘同庆 -专利权人： 无锡芯感智半导体有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种扩散硅压阻式压力传感器模块，其能减小扩散硅压阻式压力传感器模块受热膨胀带来的影响。其包括包封外壳，包封外壳内安装有基板、绝压传感器、专用集成电路，绝压传感器通过胶水固定在基板上，包封外壳上开设有介质入口，介质入口通过设于基板内的介质通道与绝压传感器正面的接触介质面相连通，包封外壳内还开设有活塞腔、石蜡腔，活塞腔内安装有活塞，活塞将活塞腔分隔形成与石蜡腔连通的连通腔一、与介质通道连通的连通腔二，绝压传感器的背面位于石蜡腔内，石蜡腔和连通腔一内填充有石蜡。
一种扩散硅压阻式压力传感器模块

[发明专利]一种高频动态MEMS压阻式压力传感器及其制备方法-CN202310695679.X有效
发明人：刘同庆 -专利权人： 无锡芯感智半导体有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明涉及压力传感器技术领域，具体公开了一种高频动态MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，高频动态MEMS压阻式压力传感器包括包括基底、第一衬底和压力敏感薄膜，压力敏感薄膜设置在第一衬底上，第一衬底设置在所述基底上；压力敏感薄膜包括压敏电阻、欧姆接触区、第一钝化层、第二钝化层、压敏电极层、第三钝化层、第一驱动电极层、第一介电层、第二驱动电极层、第四钝化层、第五钝化层、第一应变电极层和第二介电层。本发明提供的高频动态MEMS压阻式压力传感器，能够有效提高MEMS压阻式压力传感器的高频动态特性，并且可以减小甚至消弭外界环境对传感器的冲击影响，降低压力传感器的零偏和温漂，提高压力传感器的精度。
一种高频动态 mems 压阻式压力传感器及其制备方法

[发明专利]双极型晶体管式MEMS压力传感器及其制备方法-CN202211528266.4有效
发明人：刘同庆 -专利权人： 无锡芯感智半导体有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种双极型晶体管式MEMS压力传感器及其制备方法，双极型晶体管式MEMS压力传感器包括：薄膜，悬设于基底上，被设置为根据受到的压力发生不同程度的形变；悬臂梁，设于薄膜的侧面并通过薄膜悬设于支撑结构上；双极型晶体管，包括基区、集电区和发射区，集电区和发射区设于悬臂梁上，基区包括感测段和连接段，感测段设于薄膜上，并通过连接段分别与集电区和发射区连接，基区被设置为通过阻值变化感测薄膜的形变。本申请的双极型晶体管式MEMS压力传感器，其可以在不改变量程和非线性度等性能指标的前提下有效提升传感器的灵敏度，并且，由于其使用双极型晶体管的作为压敏元件，还可以有效抑制传感器的温度漂移。
双极型晶体管 mems 压力传感器及其制备方法

[实用新型]适于注塑的磁电式转速传感器-CN202320765394.4有效
发明人：陈沛云;刘长立;陆小红;柳雪 -专利权人： 无锡芯感智半导体有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G01P1/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种适于注塑的磁电式转速传感器，包括骨架，所述骨架的侧面绕设有感应线圈，以及设于所述骨架的侧面并分别与感应线圈的两端相连接的第一端子接线柱和第二端子接线柱，其特征在于，所述骨架的侧面开设有点胶槽，所述第一端子接线柱和所述第二端子接线柱均沿所述点胶槽的深度方向设置于所述点胶槽内，所述点胶槽用于点防护胶；当进行注塑时，所述防护胶能够对所述感应线圈与所述第一端子接线柱和第二端子接线柱的连接点进行防护。本申请的磁电式转速传感器，无需将端子接线柱弯折，即可以减小结构径向尺寸，从而能够简化传感器的制作工艺。并且，还能够对端子接线柱上的焊锡和金属线进行防护，避免造成接触不良或断线。
适于注塑磁电转速传感器

[发明专利]一种柔性薄膜压力传感器及其制备方法-CN202211631617.4在审
发明人：刘同庆;吴俊;李文卿;杨绍松;华天恺;王烨 -专利权人： 无锡芯感智半导体有限公司;东南大学
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性薄膜压力传感器，所述柔性薄膜压力传感器包括由下而上依次叠加的下柔性基板、电极层，双面黏性垫片，复合材料敏感层和上柔性基板；所述制备方法包括如下步骤：S1，对下柔性基板、上柔性基板的表面分别进行改性处理；S2，在下柔性基板的上表面印刷银浆、金浆或铜浆，形成图案化电极，即电极层；S3，上柔性基板的下表面丝网印刷导电复合浆料，经过固化形成复合材料敏感层；S4，在电极层与复合材料敏感层之间设置双面黏性垫片，之后贴合在一起，形成所述柔性薄膜压力传感器。本发明柔性薄膜压力传感器具有高精度、高稳定性和高耐用性。
一种柔性薄膜压力传感器及其制备方法

[实用新型]一种MEMS传感器封装结构-CN202223317368.X有效
发明人：林智敏;刘同庆 -专利权人： 无锡芯感智半导体有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种MEMS传感器封装结构，所述封装结构包括：电路板，依次绝缘堆叠设置于所述电路板的MEMS传感器芯片和调理芯片，以及封装所述电路板、所述MEMS传感器芯片和所述调理芯片的壳体；所述MEMS传感器芯片和所述调理芯片分别与所述电路板电连接，所述调理芯片用于对所述MEMS传感器芯片检测的压力信号进行补偿。本公开实施例将MEMS传感器芯片和调理芯片堆叠在电路板上，缩小了封装外形尺寸，降低功耗，节约封装空间；优化了键合引线的走线路径，减小键合引线之间的信号干扰。
一种 mems 传感器封装结构

[外观设计]消防压力传感器-CN202130779159.9有效
发明人：林智敏;刘同庆 -专利权人： 无锡芯感智半导体有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： 10-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：消防压力传感器。2.本外观设计产品的用途：检测消防栓内水压情况，主要用于消防报警领域。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
消防压力传感器

[发明专利]一种液体介质压力传感器-CN202310098625.5在审
发明人：李子文;苏杰;陆小红;刘同庆;柳雪 -专利权人： 无锡芯感智半导体有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G01L19/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种液体介质压力传感器，包括：介质通道，用于传输待测液体介质；压力测量器件，与所述介质通道连通，用于测量所述待测液体介质的压力；多孔结构，位于所述介质通道和所述压力测量器件之间，所述多孔结构内部具有大量连续型孔洞，所述连续型孔洞能够将所述介质通道和压力测量器件连通，所述连续型孔洞的孔径小于1mm，在低温环境下，所述连续型孔洞能够提供结晶核使位于所述连续型孔洞内的所述待测液体介质先行结冰。本申请的液体介质压力传感器，其多孔结构在保证检测功能的同时可以实现对液体介质传感器的防冻保护。相对于现有技术，本申请结构简单，无需设置气泡或者改变压力测量器件的安装方式，从而能够降低生产难度和成本。
一种液体介质压力传感器

[实用新型]一种霍尔式转速传感器-CN202223521372.8有效
发明人：陈沛云;刘长立;陆小红;柳雪 -专利权人： 无锡芯感智半导体有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G01P3/44 文献下载
摘要：本申请公开了一种霍尔式转速传感器,包括支架、磁钢、霍尔芯片、输出端子和注塑层，所述磁钢、所述霍尔芯片、所述输出端子设于所述支架上并通过注塑层与所述支架形成一体；所述支架上还设有印制板和防护层，所述印制板用于连接所述霍尔芯片和所述输出端子，所述防护层位于所述印制板和所述注塑层之间，用于防止所述印制板在注塑过程中受压损坏。本申请的霍尔式转速传感器设有印制板并采用整体注塑结构，相对于传统不含印制板的霍尔式转速传感器，不仅可以通过印制板提高传感器的可靠性，还可以避免印制板在注塑过程中受压损坏。
一种霍尔转速传感器

[实用新型]一种电路板加外壳的单模差压压力传感器封装结构-CN202222437191.0有效
发明人：孙晓丽;林智敏;刘同庆 -专利权人： 无锡芯感智半导体有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01L13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种电路板加外壳的单模差压压力传感器封装结构，其尺寸小、结构简单、成本低，适用推广应用。其特征在于：所述封装结构包括电路板、压力传感器芯片、金属端子引脚和外壳；所述电路板通过焊盘焊接固定压力传感器芯片和金属端子引脚，所述电路板上开设有通孔，所述通孔与压力传感器芯片的底部进气孔相连通；所述壳体包括带气嘴的上壳体和带气嘴的下壳体，所述带气嘴的上壳体通过密封胶固定在电路板的上表面，所述压力传感器芯片位于带气嘴的上壳体的腔体内部；所述带气嘴的下壳体通过密封胶固定在电路板的下表面，所述通孔位于带气嘴的下壳体的腔体内部；所述金属端子引脚位于壳体的外部。
一种电路板外壳单模压压传感器封装结构

[外观设计]血压传感器-CN202230243833.6有效
发明人：林智敏;胡博文;刘同庆;柳雪 -专利权人： 无锡芯感智半导体有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： 10-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：血压传感器。2.本外观设计产品的用途：用于智能穿戴设备领域，检测人体血压情况。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
血压传感器

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