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[发明专利]一种三氯氢硅的制备方法及制备装置-CN202110404851.2有效
发明人：武珠峰;刘兴平;银波;范协诚;宋高杰 -专利权人： 新疆硅基新材料创新中心有限公司;新特能源股份有限公司
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开一种三氯氢硅的制备方法，包括：以硅粉和氯化氢为原料，使硅粉和氯化氢在流化床反应器中进行合成反应生成三氯氢硅，并在所述合成反应过程中通入四氯化硅液作为冷却介质进行冷却，控制反应温度，以减少副产物四氯化硅的生成。本发明还公开一种三氯氢硅的制备装置，包括流化床反应器和冷却机构，流化床反应器用于硅粉和氯化氢进行合成反应；冷却机构包括冷却管束，冷却管束从流化床反应器的上部伸入到流化床反应器内，并沿流化床反应器的反应腔室向下延伸，冷却管束内通有四氯化硅液，其上设有开孔，以将四氯化硅液喷入到流化床的反应腔室内。本发明还公开一种后处理厂系统。本发明能够有效减少副产物四氯化硅的生成，提高三氯氢硅的收率。
一种三氯氢硅制备方法装置

[发明专利]一种尾气排放结构和还原炉-CN202110661114.0有效
发明人：冯留建;吴万里;王文;张霞飞;范协诚;银波;董越杰 -专利权人： 新疆硅基新材料创新中心有限公司;新特能源股份有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本申请公开了一种尾气排放结构和还原炉，尾气排放结构包括：连接体，连接体上设有环形孔，环形孔具有第一开口与第二开口；多个尾气支管的第一端与环形孔的第一开口连通；多个尾气支管的第二端与汇集管连通；尾气母管的一端与汇集管连通。将尾气排放结构应用于还原炉，连接体的第二开口与还原炉底部的排气孔连通，还原炉中的尾气通过排气孔进入环形孔，通过环形孔对尾气进行平衡，环形孔中的气体通过尾气支管进入汇集管，不同尾气支管中的气体流量可以在汇集管进行平衡，然后汇集管中的气体通过尾气母管排出，连接体的高换热面积和汇集管的流量平衡作用，降低了尾气支管内的结硅情况和硅渣清理频次，使得还原炉内的压力、流场、温度场稳定。
一种尾气排放结构还原

[发明专利]一种SiOX-CN201911360182.2有效
发明人：赵志宇;范协诚;袁芳伟;李硕;石佳光;刘朗;胡保平 -专利权人： 新疆硅基新材料创新中心有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： B01J6/00 文献下载
摘要：本发明公开一种SiOX@C复合材料热处理方法，将SiOX@C复合材料在不同温升条件下进行分级处理，具体步骤包括：S1除焦油：将SiOX@C复合材料加热至第一温度作初步热处理，使其中的碳源分解，并去除分解产生的焦油类副产物；S2碳化：再加热至第二温度作进一步热处理，使在SiOX表面形成纳米碳层。本发明还公开一种用于上述方法的一种SiOX@C复合材料热处理系统，包括：除焦油装置，用于对SiOX@C复合材料作初步热处理，并去除产生的焦油类副产物；碳化装置，与所述除焦油装置连接，用于对除焦油装置输出的物料作进一步碳化热处理。本发明采用两级热处理方式，不仅可以提高热处理效果，还可以防止材料被污染和污染环境，实现连续性生产。
一种 sio base sub

[发明专利]一种连续化生产硅烷偶联剂的方法及装置-CN201910595085.5有效
发明人：王瑞聪;银波;范协诚;仝少超;闵中龙 -专利权人： 新疆硅基新材料创新中心有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C07F7/12 文献下载
摘要：本发明公开一种连续化生产硅烷偶联剂的方法，包括：取含氢硅烷和烯烃类为原料，加入催化剂，将原料输入到反应精馏塔，在加热条件下，使原料在反应精馏塔中一边反应一边精馏分离出产物，实现对硅烷偶联剂的连续化生产。本发明还公开一种连续化生产硅烷偶联剂的装置，包括第一原料罐，设置有烯烃类管线和催化剂管线，用于混合所述催化剂和所述烯烃类；第二原料罐，用于放置含氢硅烷；反应精馏塔，与所述第一原料罐和所述第二原料罐连接，用于氢硅烷和烯烃类进行反应，并精馏分离；产物储罐，与所述反应精馏塔的塔釜连接，用于储存目标产物。本发明可以实现连续化生产，提高硅烷偶联剂生产效率，提升自动化生产水平。
一种连续化生硅烷偶联剂方法装置

[发明专利]一种制备高纯球形二氧化硅的方法及高纯球形二氧化硅-CN201910610051.9有效
发明人：王瑞聪;银波;范协诚;闵中龙;仝少超 -专利权人： 新疆硅基新材料创新中心有限公司
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备高纯球形二氧化硅的方法，包括：制备微乳液，在制备的微乳液中加入醇类物质形成微乳体系，取原料氯硅烷加入到含有醇类物质的微乳体系中，氯硅烷在微乳体系中进行水解和醇解反应，醇解反应得到的中间产物，进一步进行水解反应，获得二氧化硅。本发明还公开一种根据以上所述的方法制备而成的高纯球形二氧化硅。本发明制备的二氧化硅纯度高、球形率高、粒径小、分散性好，且反应平稳，便于可控。
一种制备高纯球形二氧化硅方法

[发明专利]一种硅基负极材料及制备方法、负极、锂离子电池-CN201911269286.2有效
发明人：石佳光;范协程;袁芳伟;李硕;胡保平;赵志宇;刘朗 -专利权人： 新疆硅基新材料创新中心有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开一种硅基负极材料的制备方法，包括，取氧化亚硅作为原料，先对氧化亚硅原料进行表面改性处理，再用表面改性处理后的氧化亚硅与少层石墨烯结合制备硅基容量单元，然后将硅基容量单元和碳基材料混合制得硅基负极材料。本发明还公开采用上述方法制备的锂离子电池的硅基负极材料、包含该硅基负极材料的负极、以及锂离子电池。本发明可以提高锂离子电池的可逆容量和库伦效率，减少体积膨胀。
一种负极材料制备方法锂离子电池

[发明专利]一种二氧化钛的制备方法及其方法制备的四氯化钛和二氧化钛-CN201911055699.0有效
发明人：武珠峰;银波;范协诚;刘兴平;宋高杰 -专利权人： 新疆硅基新材料创新中心有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C01G23/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：高钙镁富钛原料与氟化氢气体反应得到富钛料；富钛料与还原剂及氯气反应生成四氯化钛；四氯化钛与氧化剂反应生成二氧化钛。本发明还公开了一种四氯化钛，按照上述的二氧化钛制备方法中的前两个步骤的进行制备。另外，本发明还公开了一种二氧化钛，按照上述二氧化钛制备方法制备的得到。本发明的二氧化钛的制备方法降低了沸腾氯化法制备四氯化钛过程对于原料的要求，将低品位的钛矿用于四氯化钛制备，降低了生产成本。
一种氧化制备方法及其氯化

[发明专利]一种基于含高浓度硼纳米硅浆的高效电池及制作方法-CN201911359161.9有效
发明人：陈劲风;银波;范协诚 -专利权人： 新疆硅基新材料创新中心有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种基于含高浓度硼纳米硅浆的高效电池的制作方法，包括：S1，取硅片，清洗制绒，在硅片正面设定SE区域，并在所述SE区域印刷含磷纳米硅浆；S2，在POCl3氛围中进行磷扩散，在SE区域形成磷重摻区域，得到磷硅玻璃；S3，去除磷硅玻璃，进行背面刻蚀，在硅片正面沉积减反膜，在硅片背面沉积钝化膜；S4，在硅片背面的钝化膜上印刷高浓度硼纳米硅浆，再用激光扫描，以实现定域掺硼；S5，在硅片背面印刷铝浆，在硅片正面的所述SE结构上印刷银浆；S6，进行烧结，形成电池。本发明还公开一种采用上述方法制作的高效电池。本发明通过形成SE结构和进行局部定域掺硼，降低烧结温度，从而有效实现电池效率的提升。
一种基于浓度纳米高效电池制作方法

[发明专利]一种超临界水氧化法制备石英砂的方法-CN201910099244.2有效
发明人：王瑞聪;银波;仝少超;闵中龙;范协诚 -专利权人： 新疆硅基新材料创新中心有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种超临界水氧化法制备石英砂的方法，该制备方法包括以下步骤：以硅粉和水为原料，将硅粉与水混合均匀，放入反应釜，再加热到使水达到超临界状态，超临界水作为反应介质，将硅粉氧化，得到高纯度的石英砂。本发明具有产物结晶度好、纯度高、反应周期短、反应速率快、简单易行的优点。
一种临界氧化法制石英砂方法

[发明专利]一种硅基复合材料、制备方法以及负极和锂离子电池-CN202010237875.9有效
发明人：李硕;范协诚;袁芳伟;石佳光;胡保平;刘朗 -专利权人： 新疆硅基新材料创新中心有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开一种硅基复合材料的制备方法，包括：S1,将硅的粉料、氧化硅的粉料进行第一次碳包覆处理，得到第一粉体；S2,将第一粉体进行第二次碳包覆处理，得到第二粉体；S3，将第二粉体进行筛分、除磁处理，得到硅基复合材料。本发明还公开采用上述方法制备的硅基复合材料、以及包含上述硅基复合材料的锂离子电池负极和包含上述负极的锂离子电池。本发明具有首次库伦效率高、体积膨胀小等优点。
一种复合材料制备方法以及负极锂离子电池

[发明专利]一种SiOx材料表面包覆处理的方法及装置-CN201911310208.2有效
发明人：赵志宇;范协诚;袁芳伟;李硕;石佳光;刘朗;胡保平 -专利权人： 新疆硅基新材料创新中心有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01M4/1391 文献下载
摘要：本发明公开一种SiOx材料表面包覆处理的方法，包括：S1制浆，取SiOx、添加剂A、有机溶剂，混合，再进行高速分散处理，以制得SiOx颗粒表面包覆添加剂A的所需粒径分布的浆料；S2造粒，将浆料雾化、加热蒸发、分离，得到表面包覆添加剂A的SiOx颗粒产品。本发明还公开一种用于上述SiOx材料表面包覆处理的方法的SiOx材料表面包覆处理的装置。本发明可以对SiOx颗粒的表面进行均匀包覆。
一种 siox 材料表面处理方法装置

[发明专利]一种多晶硅还原尾气的余热利用方法及系统-CN202110517842.4在审
发明人：冯留建;赵鹏;范协诚;银波;王文;张霞飞;谢瑞;吴建宏 -专利权人： 新疆硅基新材料创新中心有限公司;新特能源股份有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： F27D17/00 文献下载
摘要：本发明公开一种多晶硅还原尾气余热利用方法，包括：在第一尾气换热器中利用第一进料气的冷量对来自第一还原炉的第一还原尾气进行冷却处理，并使冷量已被第一尾气换热器利用后的第一进料气进入第二还原炉；在第二尾气换热器中利用第二进料气的冷量对来自第二还原炉的第二还原尾气进行冷却处理，并使冷量已被第二尾气换热器利用后的第二进料气进入第一还原炉。本发明还公开一种多晶硅还原尾气余热利用系统。本发明能够实现在对还原尾气余热进行回收利用，使还原炉在各个运行阶段都保持在相对较高的沉积速率，使各运行阶段的转化率始终维持在较高水平。
一种多晶还原尾气余热利用方法系统

[发明专利]一种多晶硅生产的控制方法、系统-CN202011526351.8在审
发明人：王文;范协诚;张兆东;冯留建;赵鹏;张霞飞;谢瑞;宋高杰 -专利权人：新疆新特晶体硅高科技有限公司;新疆硅基新材料创新中心有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开一种多晶硅生产的控制方法，包括：对多晶硅生产设备进行优化控制，以获取优化后的设备参数；根据优化后的设备参数对所述多晶硅生产设备进行改进；对改进后的多晶硅生产设备的多晶硅生产过程进行优化控制，以获取目标多晶硅产品。相应的，还公开一种多晶硅生产的控制设备。该控制方法和设备可实现准确控制多晶硅生产的过程，提高产品质量。
一种多晶生产控制方法系统

[发明专利]一种多晶硅生产模拟的控制系统及方法-CN202011529976.X在审
发明人：王文;范协诚;张兆东;冯留建;赵鹏;张霞飞;谢瑞;宋高杰 -专利权人：新疆新特晶体硅高科技有限公司;新疆硅基新材料创新中心有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明公开一种多晶硅生产模拟的控制系统，包括3D仿真系统、试炉设备、以及大数据智能控制系统。3D仿真系统用于根据设备参数进行仿真模拟，并将得到的热场、流场输出给大数据智能控制系统。试炉设备用于根据设备参数及生产过程参数，进行生产并实时采集生产状态数据，将之输出给大数据智能控制系统。大数据智能控制系统用于根据热场、流场和生产状态数据，得到优化后的设备参数输出给3D仿真系统进行下一次的三维仿真模拟，得到优化后的生产过程参数及设备参数输出给试炉设备进行下一次的多晶硅生产。相应的，还公开一种多晶硅生产模拟的控制方法。该控制系统可提高多晶硅生产的仿真模拟的可靠性。
一种多晶生产模拟控制系统方法

[发明专利]一种有机硅单体制备方法及系统、多晶硅系统-CN202011371742.7在审
发明人：刘兴平;武珠峰;范协诚;银波;宋高杰 -专利权人： 新疆硅基新材料创新中心有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C07F7/12 文献下载
摘要：本发明公开一种有机硅单体的制备方法，包括将氯硅烷高沸物与氯化剂在催化剂条件下反应生成有机硅单体。本发明还公开一种有机硅单体的制备系统，包括反应器、氯硅烷高沸物进料管线、氯化剂进料管线、以及催化剂进料管线，氯硅烷高沸物进料管线、氯化剂进料管线、以及催化剂进料管线均与反应器连通，分别用于向反应器内通入氯硅烷高沸物、氯化剂、以及催化剂；反应器用于使通入的氯硅烷高沸物和氯化剂在催化剂作用下反应生产有机硅单体。本发明还公开一种包含上述有机硅单体的制备系统的多晶硅系统。本发明可利用氯硅烷高沸物制备有机硅单体，既可以降低有机硅单体的生产成本，又可以实现氯硅烷高沸物的回收利用，还可以提高生产的多晶硅品质。
一种有机硅单体制备方法系统多晶

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