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[实用新型]一种单晶炉装炉装置-CN201720026918.2有效
发明人：杨向东;李玉平;侯利伟;李晓 -专利权人： 新乡市神舟晶体科技发展有限公司
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉装炉装置，包括吊架、石英坩埚外侧固定装置和石英坩埚上端固定装置；吊架包括移动底座、竖直升降杆、水平移动杆和吊绳；石英坩埚外侧固定装置包括多组弧形卡盘，弧形卡盘的内弧面与石英坩埚外表面的弧面相匹配，相邻两组弧形卡盘通过对外侧固定装置旋紧螺栓连接；石英坩埚上端固定装置包括外套固定筒和多个内套弧形顶紧板，内套弧形顶紧板通过上端固定装置旋紧螺栓连接；外侧固定装置固定板上设置有固定孔和挂钩孔。本实用新型能够快速安全的进行石英坩埚的搬运及安装，提高工作效率，降低劳动强度，避免石英坩埚损坏。
一种单晶炉装炉装置

[实用新型]一种单晶炉热场加热系统-CN201720026912.5有效
发明人：杨向东;李玉平;侯利伟;李晓 -专利权人： 新乡市神舟晶体科技发展有限公司
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： C30B15/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉热场加热系统，包保温罩、炉底护盘、石墨加热器、石墨坩埚、石英坩埚、坩埚托盘和埚杆，每个石墨加热器的水平电极连接板的下表面设置有与石墨电极上端形状相匹配的石墨电极安装槽，石墨电极包括石墨凸台和石墨柱体，石墨凸台的直径大于石墨柱体的直径，石墨电极的外部套设有筒状的石英护套，筒状的石英护套的上端向外部延伸形成的圆锥台状的第一导流部，石英护套的外部套设有筒状的电极护套，筒状的电极护套的上端向内部延伸形成的圆锥台状的第二导流部；本实用新型能够有效避免从石英坩埚内漏出的液态硅对单晶炉内部件造成损坏，同时保证石墨电极与石墨加热器的有效稳定连接。
一种单晶炉热场加热系统

[实用新型]一种单晶炉机架水平调节机构-CN201720026929.0有效
发明人：杨向东;李玉平;侯利伟;李晓 -专利权人： 新乡市神舟晶体科技发展有限公司
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉机架水平调节机构，包括具有回字形容纳空间的回字形金属框体，回字形金属框体上部敞口设置，回字形容纳空间内设置有四个机架水平度调节装置，四个机架水平度调节装置分别设置在回字形容纳空间的四角，回字形金属框体的四角还设置有顶升机构，顶升机构的活动端设置有单晶炉机架卡板；机架水平度调节装置包括底部固定座、上部移动座和牵引螺杆；本实用新型能够快速、无损且省力地进行单晶炉机架水平调节，调节精度高。
一种单晶炉机架水平调节机构

[实用新型]一种单晶炉摄像机构安装支架结构-CN201720026919.7有效
发明人：杨向东;李玉平;侯利伟;李晓 -专利权人： 新乡市神舟晶体科技发展有限公司
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉摄像机构安装支架结构，包括炉体固定装置、左右移动装置、上下移动装置、前后移动装置、旋转调节装置和摄像机构；炉体固定装置与炉体观察窗可拆卸连接，左右移动装置包设有左右移动装置卡块的括水平连接板；上下移动装置包括滑动连接的竖直连接板和前后移动装置连接板；前后移动装置包括第一前后移动装置和第二前后移动装置；旋转调节装置包括第一旋转调节装置和第二旋转调节装置；摄像机构包括第一摄像机和第二摄像机；本实用新型能够实现摄像机构多角度方位调整，保证摄像机构对准观察点以实时监控单晶生长状态；同时，本实用新型还具有模块化的特点，便于维护更换，同时适应于多种规格的观察窗。
一种单晶炉摄像机构安装支架结构

[实用新型]一种砷化镓多晶合成装置-CN201720026915.9有效
发明人：杨向东;李玉平;侯利伟;李晓 -专利权人： 新乡市神舟晶体科技发展有限公司
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：一种砷化镓多晶合成装置,包括从外到内依次设置的合成炉体、石墨保温罩和石墨坩埚，石墨坩埚内设有若干氮化硼坩埚，石墨坩埚的底部连接有石墨坩埚杆，石墨坩埚和石墨保温罩之间设有加热器，所述加热器为环形，加热器沿周向分布在石墨坩埚的外侧，所述石墨保温罩的内壁从上到下设有若干个保温罩环形凸台，加热器的外壁上设有若干个加热器环形凸台，保温罩环形凸台与加热器环形凸台的位置相适配；本实用新型能及早发现石墨坩埚和加热器的触碰，防止触碰的幅度变大，甚至变为加热器和石墨保温罩的触碰，避免发生事故。
一种砷化镓多晶合成装置

[实用新型]一种切片机-CN201720026917.8有效
发明人：杨向东;李玉平;侯利伟;李晓 -专利权人： 新乡市神舟晶体科技发展有限公司
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：一种切片机，包括切割辊装置，切割辊装置包括两个侧边切割辊和位于中间位置的中间切割辊，位于中间切割辊左右两侧的两个侧边切割辊分别称之为左切割辊和右切割辊，中间切割辊位于左切割辊和右切割辊的连线的中点的上方；切割辊装置的前侧和后侧各设有一个底座，分别称为前底座和后底座，前底座和后底座并行设置。本实用新型通过在中间切割辊与相应一侧的切割辊直接设置调节辊，调节辊在钢线向下压时，可以在中间切割辊和切割辊之间形成支撑。
一种切片机

[实用新型]一种用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器-CN201320447028.0有效
发明人：陈颖超;翟喜人;李磊;吕云安 -专利权人： 新乡市神舟晶体科技发展有限公司
申请日： 2013-07-25 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：一种用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器，本实用新型的目的是设计一种能够有效提升GaAs晶体产品质量的用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器。本实用新型的技术方案是，一种用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器，它包括加热器，保温罩，在保温罩内设有加热器，位于上部的加热器与位于下部的加热器套接，两个相邻的加热器的连接部位部分重叠，在加热器内壁设置有匀热管。本实用新型结构合理，使用效果好，能够大大的提高了GaAs晶体生长的成晶率和GaAs晶体的性能。
一种用于 gaas 晶体生长套筒石墨加热器

[发明专利]一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺-CN201310315978.2无效
发明人：吕云安;李玉萍;李磊 -专利权人： 新乡市神舟晶体科技发展有限公司
申请日： 2013-07-25 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺，本发明的技术方案要点是：一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺，将称量好的三碲化二镓放置在砷化镓原材料中，再将装有三碲化二镓的砷化镓原材料、籽晶及B2O3顺序放置在热解氮化硼坩堝内，然后将热解氮化硼坩堝放置在石墨坩堝中，最后将放有物料的石墨坩堝放入单晶炉中进行单晶生长。本发明对生长的砷化镓单晶掺杂量能精确控制，并同时使生长的n型低阻砷化镓单晶具有良好的电学性能。
一种用于型低阻砷化镓单晶生长掺杂工艺

[实用新型]中压冷壁半绝缘砷化镓单晶生长炉-CN200920088846.X有效
发明人：李百泉;吕云安;陈颖超;刘琴琴;王利娜 -专利权人： 新乡市神舟晶体科技发展有限公司
申请日： 2009-03-09 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种中压冷壁半绝缘砷化镓单晶生长炉，涉及砷化镓单晶生长装置。它包括籽晶杆、石墨加热器，在籽晶杆的周围安装多个套接的桶状石墨加热器，相邻的两个石墨加热器的连接处安装有电极板，电极板与电极杆连接。每个石墨加热器配有两个电极板和两个电极杆。所述的多个石墨加热器至少为2个。本实用新型结构简单，生产高品质的砷化镓单晶成品率高。
中压冷壁半绝缘砷化镓单晶生长

[发明专利]一种砷化镓多晶尾料的合成利用方法-CN200910064346.7无效
发明人：李百泉;韩振坤;李玉平 -专利权人： 新乡市神舟晶体科技发展有限公司
申请日： 2009-03-09 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓多晶尾料的合成利用方法，本发明首先将砷化镓多晶尾料表面处理干净，即用水磨砂纸将砷化镓多晶尾料表面的杂质及氧化层打磨掉，再用盐酸与硝酸按3∶1配比液腐蚀3-5分钟，达到表面光亮为准，二是对原料的配比进行调整，使砷与镓的重量比为1∶1，并加入砷化镓总重量为0.5％的砷一齐装入石英管内进行合成，三是在合成生长过程中调整合成热场的升温速率为2∶1，并保持石英管内的气压不高于一个大气压。用本发明的方法主要是对原料重量比和热场升温速率进行了调整，不但使合成料的利用率达到99％以上，而且有利于提高生产过程的安全性。
一种砷化镓多晶合成利用方法

[发明专利]大偏角籽晶的加工方法-CN200910064345.2无效
发明人：李百泉;陈坚邦;李闯 -专利权人： 新乡市神舟晶体科技发展有限公司
申请日： 2009-03-09 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大偏角籽晶的加工方法，本发明首先选取比较完整、电学参数好的水平砷化镓单晶锭，在单晶锭的头部先确定出(111)晶面，在晶面上根据晶向要求确定偏角值，然后用(331)衍射角衍射，根据所需长度切割出单晶块，再用环氧树脂把截取的单晶段晶头朝上粘接在底部粘固有金属块的石墨板上，粘贴后切片定向(211)晶面的偏差角度，用(311)衍射角衍射，根据所需高度切割，然后将单晶块旋转90°，定准(110)晶面的偏差角为零度时切割出所需宽度，然后进行清洗即可。本发明不仅能解决了大偏角籽晶加工的难题，而且具有简单、准确、快捷的优点。
偏角籽晶加工方法

[发明专利]一种水平掺铬半绝缘砷化镓晶体的生长设备-CN200610017717.2无效
发明人：李百泉;郑松龄 -专利权人： 新乡市神舟晶体科技发展有限公司
申请日： 2006-04-28 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种水平掺铬半绝缘砷化镓晶体的生长设备，它包括一个水平放置的筒形热场装置，热场装置内对应于保温层上的视窗在反应室内反应舟的籽晶腔下部设有一个砷压腔。本发明用一个反应室来完成掺铬半绝缘砷化镓晶体的生长过程，使设备简化，制造容易，晶体生长成本低，而且只用一个加热体热稳定性好，成晶率高。
一种水平掺铬半绝缘砷化镓晶体生长设备

[实用新型]一种水平梯度凝固法生长单晶体的热场装置-CN200620031769.0无效
发明人：李百泉;郑松龄 -专利权人： 新乡市神舟晶体科技发展有限公司
申请日： 2006-04-28 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水平梯度凝固法生长单晶体的热场装置，它包括有一个水平放置的筒状加热场，在加热场的保温层内沿圆周轴向均布有多个分支加热体，各个加热体之间分别设有绝缘子。在保温层上对应于上部加热体设有一个长条形透明观察窗。本实用新型因采用多个加热体来控制各横截面上和水平的梯度温度，并在上部加热体对应的保温层上设置透明观察窗，所以可以方便调整场内各处的温度，观察晶体的生长状况，有利于提高晶体的成品率，保证产品质量。
一种水平梯度凝固生长单晶体装置

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