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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]化合物、薄膜形成用原料和薄膜的制造方法-CN202080082238.7有效
发明人： 斋藤昭夫;青木雄太郎 -专利权人：株式会社ADEKA
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C07F5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物，其由下述通式(1)或(2)表示。(式(1)中，R1～R4各自独立地表示氢原子、碳数1～5的烷基等，R5和R6各自独立地表示氢原子或碳数1～5的烷基，M1表示镓原子或铟原子。)(式(2)中，R7～R10各自独立地表示氢原子、碳数1～5的烷基等，R11表示氢原子或碳数1～5的烷基，M2表示镓原子或铟原子。)
化合物薄膜形成原料制造方法

[发明专利]钨前驱体及使用其形成含钨层的方法-CN201810556182.9有效
发明人：李沼姈;林载顺;尹至恩;斋藤昭夫;白鸟翼;青木雄太郎 -专利权人：三星电子株式会社;株式会社ADEKA
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C07F11/00 文献下载
摘要：本发明公开一种钨前驱体及一种形成含钨层的方法。所述钨前驱体具有由以下式1表示的结构。在式1中，R1、R2及R3独立地包括包含经取代或未经取代的C1到C5的直链或分支的烷基；R4及R5独立地包括包含C1到C5的直链或分支的烷基、卤素元素、具有C2到C10的二烷基氨基或者包含C3到C12的三烷基硅烷基；n为1或2，且m为0或1。此外，n+m＝2(例如，当n为1时，m为1)。当n为2时，m为0且R1及R2各有两个。两个R1彼此独立，且两个R2彼此独立。本公开的钨前驱体适用于沉积且限制及/或防止半导体器件的劣化。
前驱使用形成含钨层方法

[发明专利]钨化合物、薄膜形成用原料和薄膜的制造方法-CN201880042110.0有效
发明人： 斋藤昭夫;白鸟翼;青木雄太郎 -专利权人：株式会社ADEKA
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： C07F17/00 文献下载
摘要：本发明提供下述通式(1)表示的钨化合物(式中，X表示卤原子，R1～R5各自独立地表示氢原子或碳数1～5的烷基，R6表示叔丁基或叔戊基，R7表示碳数1～5的烷基；但是，当R1～R5全部为氢原子且R6为叔丁基时、以及当R1～R5全部为甲基且R6为叔丁基时，R7表示碳数1～3或5的烷基)。
化合物薄膜形成原料制造方法

[发明专利]铌化合物和形成薄膜的方法-CN202010585301.0在审
发明人：李沼姈;柳承旻;朴圭熙;林载顺;曺仑廷;斋藤昭夫;布施若菜;青木雄太郎;小出幸宜 -专利权人：三星电子株式会社;株式会社ADEKA
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C07F9/00 文献下载
摘要：铌化合物和使用所述铌化合物形成薄膜的方法，所述化合物由以下通式I表示：[通式I]其中，在通式I中，R1、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地是氢原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基，R4、R5、R6、R7和R8中的至少一个是C1‑C6直链烷基或支链烷基，并且R2和R3各自独立地是氢原子、卤素原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基。
化合物形成薄膜方法

[发明专利]金属化合物及使用其制造半导体器件的方法-CN202010407574.6在审
发明人：柳承旻;斋藤昭夫;小出幸宜;山下敦史;原野一树;朴圭熙;李沼姈;林载顺;曹仑廷 -专利权人：三星电子株式会社;株式会社ADEKA
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C07F9/00 文献下载
摘要：本文中描述了金属化合物和使用其制造半导体器件的方法。所述金属化合物包括化学式1的材料，其中M为Nb或Ta；R为取代或未取代的C3‑C10烷基；和X1、X2、X3、X4和X5各自独立地选自F、Cl、Br和I。[化学式1]
金属化合物使用制造半导体器件方法

[发明专利]铝化合物以及使用其制造半导体器件的方法-CN201910983502.3在审
发明人：朴圭熙;小出幸宜;真锅芳树;木村将之;斋藤昭夫;林载顺;曹仑廷 -专利权人：三星电子株式会社;株式会社ADEKA
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： C07F5/06 文献下载
摘要：提供了铝化合物以及使用该铝化合物制造半导体器件的方法。所述铝化合物可以由式1表示。[式1]
化合物以及使用制造半导体器件方法

[发明专利]金属醇盐化合物、薄膜形成用原料、薄膜的制造方法和醇化合物-CN201380035400.X有效
发明人：樱井淳;畑濑雅子;山田直树;白鸟翼;斋藤昭夫;吉野智晴 -专利权人：株式会社艾迪科
申请日： 2013-10-21 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： C07C251/08 文献下载
摘要：本发明提供一种具有适合作为CVD法中的薄膜形成用原料的物性的金属醇盐化合物，特别是具有适合作为金属铜薄膜形成用原料的物性的金属醇盐化合物。具体地说，提供一种由下述通式(I)表示的金属醇盐化合物以及含有该金属醇盐化合物的薄膜形成用原料。通式(I)中，R¹表示甲基或乙基，R²表示氢原子或甲基，R³表示碳原子数为1～3的直链或分支状的烷基，M表示金属原子或硅原子，n表示金属原子或硅原子的价数。
金属盐化薄膜形成原料制造方法醇化

[发明专利]醇盐化合物以及薄膜形成用原料-CN201280022056.6有效
发明人：和田仙二;斋藤昭夫;吉野智晴 -专利权人：株式会社艾迪科
申请日： 2012-05-15 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： C07C215/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种由下述通式（I）表示的醇盐化合物以及含有该醇盐化合物的薄膜形成用原料。式中，R¹表示碳原子数为2～4的直链或支链状烷基，R²、R³表示碳原子数为1～4的直链或支链状烷基。在下述通式（I）中，R¹优选为乙基。另外，还优选R²和R³中的任一者或两者为乙基。另外，含有由下述通式（I）表示的醇盐化合物的薄膜形成用原料优选用作化学气相沉积法用原料。
盐化以及薄膜形成原料

[发明专利]化学气相沉积用原料及使用了该原料的含硅薄膜形成方法-CN201080004703.1有效
发明人：佐藤宏树;水尾克英;斋藤昭夫;上山润二 -专利权人：株式会社艾迪科
申请日： 2010-02-15 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种化学气相沉积用原料，其特征在于，其含有HSiCl(NR1R2)(NR3R4)(R1、R3表示碳原子数为1～4的烷基或氢，R2、R4表示碳原子数为1～4的烷基)表示的有机含硅化合物，可以特别适合用作通过化学气相沉积法在基体上形成氮化硅薄膜的原料。使用本发明的化学气相沉积用原料时，能够在300～500℃这样的低温下实现成膜。
化学沉积料及使用原料薄膜形成方法

[发明专利]多异氰酸酯剩余物的分解系统及其启动方法-CN200680025502.3有效
发明人：吉田忠;大户泰道;斋藤昭夫 -专利权人：三井化学聚氨酯株式会社
申请日： 2006-07-12 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： C08J11/14 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种多异氰酸酯剩余物的分解系统，以及多异氰酸酯剩余物分解系统的启动方法，所述分解系统能够抑制多异氰酸酯剩余物与高温高压水之间的反应以允许操作的顺利启动。该分解系统用于使用高温高压水将多异氰酸酯剩余物水解为多胺，包括水解器、与水解器连接的水供料管、与水供料管连接的剩余物供料管、用于在剩余物供料管的溶剂注入部分注入溶剂的溶剂供料管道和溶剂排出管道。在启动操作时，首先通过溶剂供料管道和溶剂排出管道在溶剂注入部分中预先注入有机溶剂，然后高温高压水从水供料管供料到水解器。然后，先将有机溶剂从剩余物供料管供料到水供料管中，接着进行供料多异氰酸酯剩余物。
氰酸剩余物分解系统及其启动方法

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