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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种自组装氧化锡氧化镉纳米结构超晶格的制备方法-CN202310847105.X有效
发明人：王治洋;李金华;陈泽磊;马广思;揣明艳 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明属于光电检测技术领域，特别涉及一种自组装氧化锡氧化镉纳米结构超晶格的制备方法，包含如下步骤：将醋酸锌，氢氧化钠，五水四氯化锡，四水硝酸镉加入去离子水中混合均匀，完全溶解，获得前驱液；将前驱液高温加热，冷却致室温后得到初始白色沉淀产物；初始白色沉淀产物通过酒精和去离子水洗涤离心后干燥得到氧化锡氧化镉纳米结构超晶格前驱物粉末；将氧化锡氧化镉纳米结构超晶格前驱物粉末放置于管式炉中高温煅烧，得到目标产物。通过上述方法获得的超晶格结构，具备较短的尺寸厚度，通过人为调控使得电子在两种材料交替形成的量子阱中具备紫外波段的能级结构，这在紫外波段检测具有非常重要的意义。
一种组装氧化纳米结构晶格制备方法

[发明专利]电解型的MnO2-CN202210718754.5在审
发明人：陈维;揣明艳;袁园 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01M6/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种阳离子加速器优化的电解型MnO2‑Zn水系电池，包括：正极，正极为MnO2；负极，负极为Zn；电解液体系，电解液体系为含有金属阳离子的酸性溶液，其中，金属阳离子至少同时包括Mn2+、Zn2+；阳离子加速器，通过与金属阳离子Mn2+或Zn2+、水分子形成水合离子结构，调节金属阳离子Mn2+、Zn2+的溶剂化结构，促进金属阳离子Mn2+、Zn2+的沉积和溶解过程，提高电解型的MnO2‑Zn水系电池的电化学性能。
电解 mno base sub

[发明专利]金属离子诱导的水系锌锰二次电池-CN202110568669.0有效
发明人：陈维;揣明艳 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01M10/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属离子诱导的水系锌锰二次电池，包括正极集流体、负极和电解液，其中，电解液包括水、锰盐、钴盐、镍盐、锌盐和酸。
金属离子诱导水系二次电池

[发明专利]铈掺杂硫化铜量子点纳米材料的制备方法-CN201710809656.1有效
发明人：张明喆;揣明艳 -专利权人：吉林大学
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： C01G3/12 文献下载
摘要：本发明的铈掺杂硫化铜量子点纳米材料的制备方法属于量子点纳米材料制备的技术领域，有配制待反应溶液、气体和液体化学反应制备掺铈硫化铜材料、产物提纯等步骤。本发明具有成本低廉、实验装置简易，操作简单等特点，制备的铈掺杂硫化铜量子点纳米材料具有较高的比电容量，可用于制备超级电容器电极，对于研究能量存储设备具有重要的价值，制备样品的重复性很好，适于工业大规模生产使用。
制备量子点纳米材料硫化铜铈掺杂超级电容器电极能量存储设备化学反应比电容量反应溶液实验装置提纯可用配制简易研究

[发明专利]孪晶氧化铜掺铕室温铁磁半导体材料的制备方法-CN201710809651.9有效
发明人：张明喆;揣明艳 -专利权人：吉林大学
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： C01G3/02 文献下载
摘要：本发明的孪晶氧化铜掺铕室温铁磁半导体材料的制备方法属于晶体材料制备技术领域。使用简单的实验装置并利用气体和液体化学反应无机合成及热处理方法制备孪晶氧化铜掺铕材料，有配置气体和液体化学反应所需的原料、气体和液体化学反应及热处理制备孪晶氧化铜掺铕材料等步骤。本发明制备的样品具有独特的孪晶晶体结构，拥有特殊的孪晶晶面的氧化铜掺铕材料在光、电、磁学材料等领域具有潜在的应用前景。此外，本发明实现了对孪晶氧化铜半导体材料进行有效的稀土元素掺杂，丰富了孪晶氧化铜材料的晶体结构，使其具有较高的室温饱和磁化强度，是一种潜在的稀磁半导体材料，对自旋电子器件及非易失性存储器等方面的研究具有重要的价值。
氧化铜室温半导体材料制备方法

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