“户田达也”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]切削工具-CN202080088441.5有效
发明人： 户田达也;古桥拓也;丰田亮二 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：改善切削工具的耐缺陷性。切削工具(1)是由氮化硅质烧结体(2)形成的，所述氮化硅质烧结体(2)包含：基质相(3)、硬质相(4)、及存在有玻璃相(11)和晶相(12)的晶界相(10)。氮化硅质烧结体(2)含有以氧化物换算计为5.0wt％以上且15.0wt％以下的钇，且含有作为硬质相(4)的氮化钛5.0wt％以上且25.0wt％以下。X射线衍射峰中，在氮化硅质烧结体(2)的内部区域中，在2θ为25°至35°的范围内示出光晕图案。在氮化硅质烧结体(2)的表面区域中，最大峰强度B相对于最大峰强度A之比即B/A满足下述式(1)的关系，在氮化硅质烧结体(2)的内部区域中，最大峰强度B相对于最大峰强度A之比即B/A满足下述式(2)的关系。0.11≤B/A≤0.40…式(1)0.00≤B/A0.10…式(2)。
切削工具

[发明专利]显示装置和显示装置的制造方法-CN202080019549.9在审
发明人：津吹将志;境武志;户田达也 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：显示装置包含晶体管和所述晶体管上的显示元件，所述晶体管包含：绝缘表面上的栅电极；所述栅电极上的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上且与所述栅电极重叠的氧化物半导体层；源电极‑漏电极，其包含在所述氧化物半导体层和所述栅极绝缘层上的含有氮的第1导电层和所述第1导电层上的第2导电层；以及所述氧化物半导体层和所述源电极‑漏电极上的含有氧的绝缘层。
显示装置制造方法

[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法-CN202011032169.7在审
发明人： 户田达也;津吹将志 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件和半导体器件的制造方法。本发明的半导体器件具有：包含铟的氧化物半导体层；与上述氧化物半导体层相对的栅极电极；上述氧化物半导体层与上述栅极电极之间的栅极绝缘层；从上述氧化物半导体层的上方与上述氧化物半导体层接触的第一导电层；和氧化部，其在上述氧化物半导体层的上方形成于上述第一导电层的端部，为上述第一导电层的氧化物。在俯视时与上述第一导电层重叠的区域的上述氧化物半导体层中，铟也可以偏置。根据本发明，能够实现可靠性高的半导体器件。
半导体器件制造方法

[发明专利]薄膜晶体管、显示装置和薄膜晶体管的制造方法-CN201980051695.7在审
发明人：境武志;户田达也;津吹将志 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明能够抑制将氧化物半导体作为活性层的晶体管中的随时间推移的低漏极电压时的电流降低。本发明的薄膜晶体管包括：由至少包含铟和镓的氧化物半导体形成的活性层；和形成在上述活性层上的具有钛层的电极层，从上述活性层与上述电极层的界面向上述活性层去的15nm的范围内的离子浓度中，铟浓度为氧浓度的1.3倍以下。
薄膜晶体管显示装置制造方法