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[发明专利]膜电极组件以及由其制备的电化学电池和液流电池-CN201780050008.0在审
发明人：布赖恩·T·韦伯;布兰东·A·巴特林;奥努尔·S·约里德姆;安德鲁·T·豪格;约翰·E·阿布卢;格雷戈里·M·豪根;野田一树;铃木俊介;巴拉特·R·阿查理雅;丹尼尔·M·皮尔庞特;戴维·J·米勒;埃里克·J·艾佛森 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2017-08-09 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01M4/86 文献下载
摘要：本公开涉及膜电极组件以及由其制备的电化学电池和液流电池组。所述膜电极组件包括第一多孔电极；离子可渗透膜，所述离子可渗透膜具有第一主表面和相对的第二主表面；第一不连续输送保护层，所述第一不连续输送保护层设置在所述第一多孔电极与所述离子可渗透膜的所述第一主表面之间；和第一粘合剂层，所述第一粘合剂层与所述第一多孔电极以及与所述第一不连续输送保护层和所述离子可渗透膜中的至少一个接触。所述第一粘合剂层沿所述膜电极组件的周边设置。在不存在所述第一粘合剂层的情况下，所述第一多孔电极和第一不连续输送保护层不是整体结构，并且所述膜电极组件为整体结构。
膜电极组件第一粘合剂层多孔电极可渗透膜保护层不连续离子主表面电化学电池制备液流电池组液流电池周边设置

[发明专利]组装燃料电池周边衬垫的处理方法和系统-CN200780046285.0有效
发明人：丹尼尔·M·皮尔庞特;埃里克·J·汉森;迈克尔·T·希克斯;埃里克·J·艾佛森;戴维·J·米勒;斯科特·A·瑞普利 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2007-12-03 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： H01M8/02 文献下载
摘要：本发明描述了一种以卷绕法制备燃料电池组件的方法和装置。在各自包括粘合剂的第一和第二衬垫幅材上切出间隔开的孔。将所述第一和第二衬垫幅材传送到输送装置的粘合工位。将包括至少一片电解质膜的膜幅材也传送到所述粘合工位。在所述粘合工位，通过将所述第一和第二衬垫幅材附接到所述膜幅材来形成带衬垫的膜幅材。所述第一衬垫幅材通过所述第一衬垫幅材的粘合剂层附接到所述膜幅材的第一表面。所述第二衬垫幅材通过所述第二衬垫幅材的粘合剂层附接到所述膜幅材的第二表面。
组装燃料电池周边衬垫处理方法系统

[发明专利]双处理半导体异质结构和方法-CN00806100.9无效
发明人：格伦·S·所罗门;戴维·J·米勒;泰特苏佐·于达 -专利权人： CBL技术公司;松下电器产业株式会社
申请日： 2000-04-13 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种形成外延层的方法，包括由第一次淀积处理在基片上淀积缓冲层，随后由第二次淀积处理淀积外延层。通过使用这种双处理，对于每一层的不同材料，通过第一和第二次淀积处理使性能、生长率和成本最佳化。由双淀积处理制备的半导体异质结构包括由MOCVD在基片上形成缓冲层，外延层形成在缓冲层上，外延层由氢汽相淀积淀积。
处理半导体结构方法

[发明专利]用于汽相沉积的截头衬托器-CN00804723.5无效
发明人：格伦·S·所罗门;戴维·J·米勒;泰特苏佐·于达 -专利权人： CBL技术公司;松下电器产业株式会社
申请日： 2000-04-13 - 公布日： 2004-03-31 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：一种汽相沉积系统，包括一个或多个用来促进反应剂气体向下游通过的槽道装置，一汽相沉积系统的反应器包括一个或多个槽道来促使反应剂气体在衬托器斜面区段下面通过。一衬托器，在进行基片上外延生长过程中安置在反应器中，它包括一截头的斜面区段和一截头侧面。基片可与截头斜面段的下端缘对齐重合，以免化学沉积到基片上游的一些表面上。衬托器的一个或多个槽道可促使在反应器内的反应剂气体向下游通过。还公开了汽相沉积的方法和促使反应器内反应剂气体向下游通过的方法。
用于沉积衬托

[发明专利]化合物气体喷射系统和方法-CN00804725.1无效
发明人：格伦·S·所罗门;戴维·J·米勒;泰特苏佐·于达 -专利权人： CBL技术公司;松下电器产业株式会社
申请日： 2000-04-13 - 公布日： 2004-02-11 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：一汽相沉积系统的反应装置，它包括导向反应管出口的反应室和导向护套出口的护套。反应管出口和护套出口位于反应装置的远侧端，该远侧端包括化合物喷嘴。反应装置能产生用于喷向目标基片的化合物气体流。化合物气体流包括反应剂气体流和护套气体流，其中护套气体流至少部分地包围着反应剂气体流。还公开了产生和供送化合物气体流和进行汽相沉积的方法。
化合物气体喷射系统方法

[发明专利]掺杂镁的III－V氮化物及其制法-CN00805680.3无效
发明人：格伦·S·所罗门;戴维·J·米勒;泰特苏佐·于达 -专利权人： CBL技术公司;松下电器产业株式会社
申请日： 2000-04-13 - 公布日： 2003-04-09 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：掺杂镁的高质量III－V氮化物层及其制法。一种P型氮化镓，氮化铟，或氮化铝层可通过氢化物气相外延(HVPE)方法在兰宝石基片上生产，HVPE过程使用一种金属供料混合物，它包括镁和III族金属(Ga，In，Al)。氮化镓，氮化铟，或氮化铝层可从兰宝石基片上取下以提供一种掺杂镁的P型III－V氮化物基片，后者具有低位密度并适用于制造，例如，发光器件。
掺杂 iii 氮化物及其制法

[发明专利]有机酸洗涤器及方法-CN00804729.4无效
发明人：格伦·S·所罗门;戴维·J·米勒;泰特苏佐·于达 -专利权人： CBL技术公司;松下电器产业株式会社
申请日： 2000-04-13 - 公布日： 2002-07-03 - 主分类号： B01D47/00 文献下载
摘要：洗涤器组合,用来除去排放气流中的水溶性和/或碱性的气体。它应用的是盛放在至少一个洗涤器容器内的一个洗涤器混合物。洗涤器混合物包含一种酸的水溶液的液相和一种固态有机酸的固相。优选洗涤器混合物所含的固态羧酸毒性低,对体系组件的腐蚀性小。在一个实施方案中,多个含有洗涤器混合物的洗涤器容器串联在一起。洗涤器组合还可以包括一个含有指示剂混合物的指示剂槽。洗涤器混合物和/或指示剂混合物中的pH值可以被监测,这样使体系的操作更简单可靠,有效。从排放气流除去水溶的和/或碱性气体的方法也予以透露。
有机酸洗涤器方法

[发明专利]接续氢化物汽相外延-CN00805681.1无效
发明人：格伦·S·所罗门;戴维·J·米勒;泰特苏佐·于达 -专利权人： CBL技术公司;松下电器产业株式会社
申请日： 2000-04-13 - 公布日： 2002-05-22 - 主分类号： C30B23/06 文献下载
摘要：一种在非天然基片上形成III－V化合物的相对厚外延膜的方法,涉及在生长温度下在基片上接续形成多层外延层。在外延生长重新开始之前,通过将基片和每一接续生长的外延层冷却到亚生长温度,而将样品中的应力(由于基片与外延层之间的热学不匹配性所致)减弱。接续外延生长与系统的蚀刻相结合所提供的外延层不仅具有低的碎裂倾向,而且还改善了表面形态。接续氢化物汽相外延,利用HCl作为源气体和蚀刻剂,能将接续沉积和系统蚀刻结合成为单一的过程。
接续氢化物外延

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