专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于混合溶剂的全无机钙钛矿Cs3-CN202110213111.0有效
  • 徐闰;王文贞;徐珊瑚;孟华;洪子叶;戚焕震;李冬梅;赖建明;王林军 - 上海大学
  • 2021-02-25 - 2023-07-18 - C30B29/12
  • 本发明公开了一种基于混合溶剂的全无机钙钛矿Cs3Sb2Cl9的单晶生长方法,利用多溶剂法制备全无机钙钛矿材料Cs3Sb2Cl9的前驱体溶液,有效提高了前驱体溶液的饱和浓度值。通过添加多种溶剂,及调节溶剂之间的不同配比,有效提高氯化铯和氯化锑混合物在溶剂中的溶解度。通过对前驱体溶液进行相应处理并改进晶体生长环境,同时合理调节不同生长阶段的降温速度,使用正温结晶法生长出大尺寸,高结晶质量的纯无机钙钛矿Cs3Sb2Cl9单晶,使用生长出的高质量单晶。本发明能得到对深紫外有一定响应性的大尺寸、高质量Cs3Sb2Cl9单晶。该制备方法步骤简单,成本低廉,过程可控,且制备的材料无毒无害对人体和环境友好,为制备绿色友好型半导体探测器提供可行性方案,具有显著推广价值。
  • 基于混合溶剂无机钙钛矿csbasesub
  • [发明专利]温差定位诱导钙钛矿单晶的可控生长方法-CN202110214026.6有效
  • 徐闰;王文贞;景圣淇;戚焕震;曹港;徐飞;黄健;赖建明;李冬梅;王林军 - 上海大学
  • 2021-02-25 - 2022-12-23 - H01L31/00
  • 本发明公开了一种温差定位诱导钙钛矿单晶的可控生长方法,基于溶液法,利用有机‑无机杂化钙钛矿在特定溶剂中的溶解度随着温度的上升有着明显下降的特点,在析晶点附近,人为制造温差,可控诱导成核,达到晶体的可控生长。由于聚四氟乙烯易加工、耐高温、耐腐蚀、导热系数低、传热慢,金属传热快,在金属与聚四氟乙烯交界处附近形成一定温差,且该范围区域的温度高于其他位置,使该区域溶解度降低,相对低于其他位置,以诱导在该区域成核。这种方法制备相比于常规逆温生长方法能实现可控成核,可控生长;原料利用率高;生长出来的晶体质量高,形状规则,受到应力小,该制备方法制备出来的单晶可制作出优异性能的光电探测器以及高能粒子探测器。
  • 温差定位诱导钙钛矿单晶可控生长方法
  • [发明专利]MAPbI3-CN202110212877.7在审
  • 徐闰;王文贞;杨亦桁;戚焕震;仝向;赖建明;徐飞;王林军 - 上海大学
  • 2021-02-25 - 2021-06-22 - B24B29/02
  • 本发明公开了一种CH3NH3PbI3(MAPbI3)晶体的抛光方法,涉及抛光领域,包括以下步骤:准备好待抛光的晶体,对待抛光的晶体表面进行细砂纸的打磨处理;配制抛光液,通过煤油与硅油以1:9的体积比进行混合,配制抛光液溶剂;将25mL溶剂与2g氧化镁抛光粉混合后超声均匀分散,形成所用的抛光液;将抛光液均匀倾倒至金相绒布抛光垫上,对待抛光的晶体进行抛光;通过煤油对晶体进行清洗,得到理想的晶体表面。MAPbI3晶体通过此方法抛光后,表面缺陷显著减少,电学性质明显提高。
  • mapbibasesub

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