专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]包络检测-CN202210990467.X在审
  • D·佩兰;S·尼古拉斯 - 意法半导体(格勒诺布尔2)公司;意法半导体(ALPS)有限公司
  • 2022-08-18 - 2023-02-21 - H04B1/16
  • 本发明的实施例涉及包络检测。在一个实施例中,包络检测设备包括:输入端子,被配置为接收调幅射频信号;第一电阻元件和第一MOS晶体管,并联连接在输入端子和被配置为接收参考电位的第一节点之间;第一电容元件,连接在第一MOS晶体管的栅极和第一节点之间;包络检测电路,连接到输入端子,并被配置为供应表示调幅信号的包络的电压;以及电路,用于控制第一MOS晶体管,该电路被配置为:仅当电压小于第一阈值时,向第一MOS晶体管的栅极供应第一电流,并且仅当电压高于第二阈值时,从第一MOS晶体管的栅极汲取第二电流,第二阈值高于第一阈值。
  • 包络检测
  • [发明专利]低偏移电流感测放大器-CN201810234393.0有效
  • P·亚诺 - 意法半导体(ALPS)有限公司
  • 2018-03-21 - 2022-05-13 - H03F3/45
  • 本申请涉及低偏移电流感测放大器。电流感测放大器包括:第一中间节点和第二中间节点,通过斩波器耦合至感测电阻器的第一节点和第二节点,并且耦合至电流镜的相应分支;差分放大器,具有其输入耦合至第一中间节点和第二中间节点的输入,并且被适配为适应于生成第一电压信号和第二电压信号;以及第一晶体管和第二晶体管,被适配为适应于分别被由第一电压信号和第二电压信号控制,并且每一个晶体管的主电流传导节点中的一个被耦合至第一中间节点和第二中间节点中的相应一个。
  • 偏移流感放大器
  • [实用新型]电子设备和通信装置-CN202120440516.3有效
  • F·里沃伊拉德;F·戈捷 - 意法半导体(ALPS)有限公司
  • 2021-03-01 - 2022-02-11 - H04B1/40
  • 实施例公开了电子设备和通信装置。电子设备包括混频器模块。该混频器模块包括电压/电流跨导级和混频级。其中该电压/电流跨导级包括第一晶体管。该混频级包括:第二晶体管、电阻退化电路和校准输入端。该电阻退化电路连接到第二晶体管的源极;该校准输入连接到第二晶体管的栅极并旨在接收可调节的校准电压,并且第一晶体管的源极直接连接到冷电源点。实施例的电子设备和通信装置具有低功耗并且所产生的信号偏移具有良好精度。
  • 电子设备通信装置
  • [实用新型]图像传感器和集成电路-CN202120589271.0有效
  • 张宏亮;L·蔡;C·玛斯;W·Y·钦 - 意法半导体亚太私人有限公司;意法半导体(ALPS)有限公司
  • 2021-03-23 - 2021-12-17 - H04N5/374
  • 公开了图像传感器和集成电路。传感器包括:第一和第二电压轨;第一和第二调节器,分别在第一和第二电压轨处生成第一和第二调节电压;耦合到第一和第二电压轨的多个像素。每个像素包括分别耦合第一和第二存储电容器的第一和第二晶体管。第三晶体管耦合在第一晶体管的控制端与第一或第二电压轨之间。第三晶体管当图像传感器以全局快门模式操作时,将第二晶体管的控制端与第一或第二电压轨间流动电流的转换速率限制为第一转换速率,当图像传感器以滚动模式操作时,将上述电流的转换速率限制为第二转换速率,第一转换速率小于第二转换速率。本公开的方案避免了全局快门模式期间电压轨中的尖峰,并且避免了滚动模式期间的读出数据错误。
  • 图像传感器集成电路
  • [发明专利]用于图像传感器的转换速率控制电路-CN202110309709.X在审
  • 张宏亮;L·蔡;C·玛斯;W·Y·钦 - 意法半导体亚太私人有限公司;意法半导体(ALPS)有限公司
  • 2021-03-23 - 2021-09-28 - H04N5/374
  • 公开了用于图像传感器的转换速率控制电路。图像传感器包括:第一和第二电压轨;第一和第二调节器,被配置为分别在第一和第二电压轨处生成第一和第二调节电压;耦合到第一和第二电压轨的多个像素。每个像素包括:分别耦合第一和第二存储电容器的第一和第二晶体管。第三晶体管耦合在第一晶体管的控制端与第一或第二电压轨之间。第三晶体管被配置为当图像传感器以全局快门模式操作时,将在第二晶体管的控制端与第一电压轨或第二电压轨之间流动的电流的转换速率限制为第一转换速率,当图像传感器以滚动模式操作时,将在第二晶体管的控制端与第一电压轨或第二电压轨之间流动的电流的转换速率限制为第二转换速率,第一转换速率小于第二转换速率。
  • 用于图像传感器转换速率控制电路

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