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[发明专利]相移空白掩膜和光掩膜-CN201810513173.1有效
发明人：南基守;申澈;金东建;李钟华;梁澈圭;崔珉箕 -专利权人： 思而施技术株式会社
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：根据本公开的相移膜包括组成不同的多个层，其可以通过一种蚀刻剂进行蚀刻，并且形成为连续膜或多层膜，所述膜通过一次或多次层叠具有不同组成的层而具有至少两层。因此，不仅通过减小相移膜的厚度，而且还通过考虑各种变量从而使得在将相移膜图案化时，使边界部分的截面倾斜度变陡以获得更清晰的相移膜图案边界，由此确保了相移膜图案的透射率、相移量和均匀性，因此提供了这样的相移空白掩膜和光掩膜，其中光刻对象和相移膜图案的图案精度得以改善。
相移空白光掩膜

[发明专利]空白掩模和光掩模-CN201811558340.0有效
发明人：申澈;李锺华;梁澈圭;崔珉箕 -专利权人： 思而施技术株式会社
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本申请提供一种空白掩模和光掩模，所述空白掩模包含：遮光膜，设置在透明衬底上；以及硬掩模膜，设置在遮光膜上且包括钼铬(MoCr)。因此，硬掩模膜不仅具有提高的蚀刻速度，且还具有对氟(F)基干式蚀刻的足够的耐蚀刻性，以使得可减小对抗蚀剂膜的蚀刻负载且可改善硬掩模膜图案和遮光膜图案的线边缘粗糙度(LER)，从而形成用于高精确度图案印刷的光掩模。
空白光掩模

[发明专利]EUV光刻用防护膜及其制造方法-CN201810511606.X有效
发明人：南基守;李昌焄;洪朱憙;朴铁均 -专利权人： 思而施技术株式会社
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G03F1/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种极紫外(EUV)光刻用防护膜。该防护膜可以包括：支撑层图案，其通过蚀刻支撑层而形成；防护膜层，其形成在所述支撑层图案上；和蚀刻停止层图案，其形成在所述支撑层图案与所述防护膜层之间，并且在蚀刻所述支撑层时通过对停止蚀刻的蚀刻停止层进行蚀刻而形成。因此，本发明提供了一种EUV光掩模用防护膜，其在具有最小厚度的同时保持了高的EUV曝光光线透过率，并且机械强度和热特性优异。
euv 光刻防护及其制造方法

[发明专利]用于EUV光刻的防护膜及其制造方法-CN201810182229.X有效
发明人：南基守;李昌焄;洪朱憙;朴铁均 -专利权人： 思而施技术株式会社
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G03F1/48 文献下载
摘要：本发明公开了极紫外(EUV)光刻用防护膜及其制造方法，该防护膜的EUV曝光光线的透过率优异，且具有优异的机械强度。该防护膜包括支撑层图案；形成在所述支撑层图案上的埋入式氧化物层图案；以及由所述埋入式氧化物层图案支撑的防护膜层。该防护膜还可以包括用于增强防护膜层的机械强度的增强层，用于额外补充增强层的机械强度的辅助层以及用于使防护膜层散热的散热层。
用于 euv 光刻防护及其制造方法

[发明专利]相移空白掩膜及其制造方法-CN201810477224.X有效
发明人：南基守;申澈;李钟华;梁澈圭;申升协;公拮寓 -专利权人： 思而施技术株式会社
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：根据本公开的相移空白掩膜包括具有多层膜结构的相移膜，该多层膜结构包括位于透明衬底上的两层或更多层，其中相移膜仅含有硅(Si)，或者含有硅(Si)化合物而基本上不含过渡金属。根据本公开的相移膜由不含过渡金属的硅(Si)基材料制成，由此提供了这样的空白掩膜和光掩膜，其耐曝光光线的耐曝光性和耐化学品清洁的耐化学品性优异，能够精确地控制图案的CD，并延长了光掩膜的使用寿命。
相移空白及其制造方法

[发明专利]针对极紫外线的反射型空白掩模和其制造方法-CN202011318624.X在审
发明人：梁澈圭;公拮寓 -专利权人： 思而施技术株式会社
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G03F1/52 文献下载
摘要：一种针对极紫外线的反射型空白掩模、其制造方法及光掩模。空白掩模包含衬底、堆叠于衬底上的反射膜以及堆叠于反射膜上的吸收膜。反射膜包含至少一个Mo/Si层和至少一个Ru/Si层，至少一个Mo/Si层包含Mo层和Si层，至少一个Ru/Si层包含Ru层和Si层。形成反射膜的相应层之间的相互扩散在具有反射膜的针对极紫外线的空白掩模中受到抑制。因此，改良空白掩模的反射率，且防止反射率由于制造之后的使用而减小，由此延长光掩模的寿命。
针对紫外线反射空白制造方法

[发明专利]具有背侧导电层的空白掩模及利用其制造的光掩模-CN202011322130.9在审
发明人：徐暻原;公拮寓;梁澈圭 -专利权人： 思而施技术株式会社
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：一种具有背侧导电层的空白掩模及利用其制造的光掩模。空白掩模包含附接到衬底的背侧的导电层，且导电层包含依序堆叠在衬底的背侧上的第一层、第二层以及第三层。第一层和第三层由含有铬(Cr)和氧(O)的材料制成，且第二层由不含有氧(O)但含有铬(Cr)的材料制成。提供具有导电层的空白掩模，导电层具有低薄层电阻、对衬底的高粘着力以及施加到衬底的低应力的特性。
具有导电空白利用制造光掩模

[发明专利]空白罩幕以及光罩-CN201980085968.X在审
发明人：申澈;李锺华;梁澈圭;崔珉箕;申昇协;公拮寓 -专利权人： 思而施技术株式会社
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：一种空白罩幕包括形成于透明基板上的硬膜以及光屏蔽膜。所述硬膜是由硅化合物制成，除硅外，所述硅化合物含有氧、氮及碳中的至少一者。提供一种在分辨率、期望的CD(临界尺寸(critical dimension))以及制程窗口余裕(process window margin)方面得到改善的空白罩幕以及光罩。因此，当形成32纳米或小于32纳米、特别是14纳米或小于14纳米的图案时，可制造良好品质的空白罩幕以及光罩。
空白以及

[发明专利]用于平板显示器中的相移空白掩膜和光掩膜-CN202011485574.4在审
发明人：金东建;孔钟奎 -专利权人： 思而施技术株式会社
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于平板显示器(FPD)中的相移空白掩膜，该相移空白掩膜包括位于透明衬底上的相移膜。相移膜包括控制曝光光线的透射率的透射衰减层和控制曝光光线的相移量的相移层。透射衰减层的组成比为50原子％至100原子％的铬(Cr)、0原子％至50原子％的氮(N)和0原子％至50原子％的碳(C)。相移层的组成比为10原子％至60原子％的铬(Cr)、0原子％至60原子％的氮(N)、0原子％至60原子％的氧(O)和0原子％至40原子％的碳(C)。对于365nm(i线)、405nm(h线)和436nm(g线)的复合波长的曝光光线，使各波长的透射率差异最小化至4％以下或2％以下。
用于平板显示器中的相移空白光掩膜

[发明专利]用于极紫外光刻的空白掩模和光掩模-CN202011221137.1在审
发明人：申澈;李锺华;梁澈圭;公拮寓;徐暻原 -专利权人： 思而施技术株式会社
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于极紫外光刻的空白掩模以及光掩模，包含依序形成于透明基板上的反射膜、覆盖膜以及吸收膜，其中反射膜具有0.5纳米Ra或小于0.5纳米Ra的表面粗糙度。有可能防止极紫外光掩模图案的基脚发生，改善极紫外空白掩模的平坦度，且防止覆盖膜的氧化和缺陷。
用于紫外光刻空白光掩模

[发明专利]用于极紫外光刻的半色调衰减式相移空白掩模和光掩模-CN202011136791.2在审
发明人：申澈;李锺华;郑始俊;梁澈圭 -专利权人： 思而施技术株式会社
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于极紫外光刻的半色调衰减式相移空白掩模和光掩模，用于极紫外光刻的半色调衰减式相移空白掩模包含：顺序地设置于透明衬底上的反射膜、覆盖膜、第一蚀刻终止膜、相移膜、第二蚀刻终止膜以及吸收膜。相移膜具有20％或大于20％的高反射率，如此在晶片印刷期间改进归一化图像对数斜率和掩模误差增强因数的特性。
用于紫外光刻色调衰减相移空白光掩模

[发明专利]相移底板掩模和光掩模-CN201710066943.8有效
发明人：南基守;申澈;李钟华;徐成旼;金世民 -专利权人： 思而施技术株式会社
申请日： 2017-02-07 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：公开一种相移底板掩模和光掩模，其中相移膜形成为至少两个或更多层的多层膜或者连续膜，所述相移膜的膜由可以相对于一种蚀刻剂进行蚀刻并且成分彼此不同的材料组成，而且成分不同的所述膜中的每个堆叠一次或多次。因此，有可能减少所述相移膜的厚度，并且使边缘处的截面具有陡峭坡度，以使得在所述相移膜被图案化时相移膜图案可以具有清晰边界，从而保证所述相移膜图案的透射率和相移度的均匀性。另外，有可能改进所述相移膜图案和印刷图案的精度。
相移底板光掩模

[发明专利]用于极紫外光微影的薄膜以及其制造方法-CN201911374751.9在审
发明人：南基守;李昌焄;尹钟源;朴铁均 -专利权人： 思而施技术株式会社
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：公开一种用于极紫外光(EUV)微影的薄膜以及其制造方法，所述薄膜具有形成于薄膜框架上的核心层，所述核心层包括：第一层；以及第二层。所述第一层包含硅。所述第二层包含具有硅及金属的金属硅化物、具有硅及轻元素的硅化合物、以及具有硅以及金属及轻元素的金属硅化物化合物中的一者。藉此，所述薄膜在光学特性损失最小的情况下在机械、热及化学稳定性方面得到改善。
用于紫外光薄膜及其制造方法

[发明专利]空白掩模和光掩模-CN202010401171.0在审
发明人：申澈;李钟华;梁澈圭;崔珉箕;申昇协 -专利权人： 思而施技术株式会社
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明提供一种空白掩模和光掩模，所述空白掩模包含透明衬底、相移膜以及光遮蔽膜。相移膜例如具有30％到100％的透射率，且在这种情况下，光遮蔽膜具有40纳米到70纳米的厚度和30原子％到80原子％铬、10原子％到50原子％氮、0原子％到35原子％氧以及0原子％到25原子％碳的组成比。堆叠有光遮蔽膜和相移膜的结构具有2.5到3.5的光学密度。因此，当在光掩模的制造工艺中对光遮蔽膜进行蚀刻时，最小化临界尺寸偏差。
空白光掩模

[发明专利]用于防止静电破坏的空白掩模和光掩模-CN201811140761.1在审
发明人：南基守;金东建;金世民;金大汉;柳熙山 -专利权人： 思而施技术株式会社
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于防止静电破坏的空白掩模及光掩模。空白掩模在透明衬底上具有至少一层金属化合物膜以形成光掩模图案。金属化合物膜包含：金属膜，形成于透明衬底上；以及非起电膜，形成于金属膜上，非起电膜防止因图案之间的在表面上积聚的电荷的差所引起的静电放电所导致的对图案的破坏。有可能通过在没有额外薄膜制造工艺的情况下改进形成空白掩模的金属化合物膜中的电阻组分来使光掩模的金属化合物膜图案之间的由光刻工艺期间的反复接触或处理所产生的静电最小化来防止对转移图案的破坏，且还可避免修正和重新制造光掩模的成本。
金属化合物膜空白掩模光掩模静电破坏金属膜图案衬底起电光掩模图案额外薄膜光刻工艺静电放电制造工艺转移图案透明电荷静电最小化电阻积聚修正制造改进

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