专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于QMIX的分布式网内拥塞控制方法-CN202110370309.X在审
  • 姚海鹏;王尊梁;张尼;忻向军;吴云峰;韩宝磊;江亮 - 北京邮电大学
  • 2021-04-07 - 2021-08-27 - H04L12/801
  • 本发明涉及一种基于QMIX的分布式网内拥塞控制方法,本发明通过直接将相关方法部署在网内的三层交换机中,进行数据包的调度与拥塞控制来克服上述传统技术的缺点,同时进一步提升了拥塞控制效果。本发明受到近年来,多智能体系统控制领域中的分布式强化学习方法的启发,采用多智能体强化学习方法中的集中式训练,分布式执行的算法框架,将QMIX算法直接在交换机内部实现,在快速响应毫秒级流量波动的同时,又做到了各交换机之间的协调控制,从而达到稳定的全局最优系统状态,进行网络拥塞控制。利用日趋成熟的多智能体深度强化学习方法来解决传统网络拥塞问题。
  • 基于qmix分布式拥塞控制方法
  • [发明专利]一种基于超薄盖层的竖槽型石墨烯光调制器结构-CN202110562864.2在审
  • 饶岚;忻向军;何晓颖;张琦;杨雷静;田清华;刘人豪;田凤;刘博 - 北京邮电大学
  • 2021-05-21 - 2021-08-24 - G02F1/01
  • 本发明公开发明了一种基于超薄盖层的竖槽型石墨烯光调制器结构。本发明属于集成光子与硅基光子学领域。该调制器由上往下依次包括超薄盖层、双层石墨烯层、竖槽型光波导、衬底层。其中,竖槽型光波导由硅基波导和狭缝构成。本发明中采用非对称的波导结构设计,将竖槽型光波导厚度减薄的同时引入超薄盖层置于双层石墨烯的上层,可以更好地将光场限制在狭缝上的双层石墨烯层中,有效地提高光场与石墨烯的相互作用,从而提高器件调制效率。超薄盖层为一层硅波导,在制作上只需在双层石墨烯上生长一层硅,而不需要后续的波导结构工艺,因而大大的简化了器件的制作工艺。本发明提出的基于超薄盖层的竖槽型石墨烯光调制器具有调制速率高、结构紧凑、与CMOS兼容工艺简单等优点,可广泛应用于批量化、高速高密度硅基光电子集成系统中。
  • 一种基于超薄盖层竖槽型石墨调制器结构

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