专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]模数转换器中添加的抖动的噪声整形-CN202310384979.6在审
  • N·戈皮纳特;V·A·潘塔卡塔;N·瑟瑞文斯塔文;H·穆德拉 - 德克萨斯仪器股份有限公司
  • 2023-04-12 - 2023-10-27 - H03M1/08
  • 本申请公开模数转换器中添加的抖动的噪声整形。一种利用抖动来减少乘性噪声的模数转换器电路模块。抖动生成电路(310、320)生成经噪声整形的模拟抖动信号,该信号在低于截止频率的频率处具有比在高于截止频率的频率处更低的幅度。将经噪声整形的模拟抖动信号添加(112)到要转换的输入模拟信号,并将求和信号应用于模数转换器(100)。抖动生成电路(310、320)可以被实施为模拟抖动生成器(312)后跟随模拟高通滤波器(314)。抖动生成电路(320)可以替代地以数字方式实施,例如利用将高通数字滤波器应用于伪随机二进制序列(322)的数字噪声整形滤波器(324)。可替代地,数字抖动生成电路可以由一个或多个1比特Σ‑Δ调制器(502[0]、502[1])来实施,每个调制器生成被转换为模拟的数字抖动序列的1个比特。
  • 转换器添加抖动噪声整形
  • [发明专利]具有穿过栅极结构的深阱注入的LDMOS晶体管-CN202310409315.0在审
  • A·萨多夫尼科夫;M-Y·庄;J·陈 - 德克萨斯仪器股份有限公司
  • 2023-04-17 - 2023-10-27 - H01L21/336
  • 本申请涉及具有穿过栅极结构的深阱注入的LDMOS晶体管。一种晶体管制造方法包含在具有第一导电类型的半导体衬底之上形成栅极结构。对所述栅极结构之上的光致抗蚀剂层进行图案化,以从所述栅极结构的未被覆盖部分及所述半导体衬底的与所述栅极结构的所述未被覆盖部分邻接的相邻区之上移除所述光致抗蚀剂层。使用第一掺杂剂以使得所述第一掺杂剂穿透所述栅极结构的所述未被覆盖部分以及被所述光致抗蚀剂层阻挡来形成具有所述第一导电类型的深阱区。通过注入第二掺杂剂以使得所述第二掺杂剂穿透所述相邻区以及被所述栅极结构的所述未被覆盖部分阻挡来形成浅阱区。
  • 具有穿过栅极结构注入ldmos晶体管
  • [发明专利]带有导线键合网的半导体封装-CN201880012045.7有效
  • S·P·古鲁姆;A·S·南吉亚 - 德克萨斯仪器股份有限公司
  • 2018-02-15 - 2023-10-27 - H01L23/18
  • 半导体封装包括引线框架,引线框架具有管芯附接焊盘(502)和引线(504)。管芯(300)附接到管芯附接焊盘(502)并电连接到引线(504)。管芯(300)包括沿管芯(300)的外围的键合焊盘(302)和围绕管芯(300)中的电路(314)的键合焊盘条(316)。第一键合导线(306)键合在键合焊盘条(316)的第一相对侧之间。第一键合导线(306)沿第一方向对齐。第二键合导线(308)键合在键合焊盘条(316)的第二相对侧之间。第二键合导线(308)沿第二方向对齐。模制化合物(502)覆盖引线框架(502,504)、管芯(300)、键合焊盘条(316)、第一键合导线(306)和第二键合导线(308)的部分。
  • 带有导线键合网半导体封装
  • [发明专利]用于共享引脚的故障保护-CN202310982596.9在审
  • S·杜比;N·阿加瓦尔 - 德克萨斯仪器股份有限公司
  • 2017-03-31 - 2023-10-24 - H03K17/08
  • 本申请题为“用于共享引脚的故障保护”。在所描述的示例中,一种集成电路IC(100A),其向共享故障保护引脚的模块提供改进的故障保护信号(PKEEP2),该故障保护引脚处的电压能够大于上部轨的电压。IC(100A)包括:第一电路部分(102、104、106),其接收第一故障保护信号(PKEEP)和第一掉电信号(PWDN),并且提供中间信号(PWDNZ1),其中第一故障保护信号(PKEEP)指示何时故障保护引脚处的电压大于上部轨,并且第一掉电信号(PWDN)指示何时模块掉电;以及第二电路部分(108、110),其经连接以接收中间信号(PWDNZ1)并且将改进的故障保护信号(PKEEP2)提供给模块。
  • 用于共享引脚故障保护
  • [发明专利]可编程增益放大器和包含PGA的ΔΣ模数转换器-CN202310908856.8在审
  • 张俊 - 德克萨斯仪器股份有限公司
  • 2017-09-21 - 2023-10-20 - H03M3/00
  • 本申请涉及可编程增益放大器和包含PGA的ΔΣ模数转换器。可编程增益放大器(400A)包括运算放大器(402A)和耦合到运算放大器的输出节点(404A)的电阻器网络(405A)。电阻器网络包括串联耦合在输出节点和第一网络节点(406A)之间的第一多个电阻器(410A)。第二多个电阻器(415A)串联耦合在第一网络节点和第二网络节点(408A)之间。单元电阻器(418A)与第二多个电阻器并联耦合在第一电阻器网络节点和第二电阻器网络节点之间,并且第三多个电阻器(420A)并联耦合在第二电阻器网络节点和参考电压(VREF)之间。第二多个电阻器和第三多个电阻器中的每个电阻器包括单元电阻器。第三多个电阻器包含N个电阻器,并且第二多个电阻器包含N‑1个电阻器。
  • 可编程增益放大器包含pga转换器
  • [发明专利]倒装芯片封装组件-CN202310320204.2在审
  • R·J·L·格瓦拉 - 德克萨斯仪器股份有限公司
  • 2023-03-28 - 2023-10-17 - H01L23/488
  • 本申请公开了倒装芯片封装组件。所描述的示例包括:半导体管芯(图4H,402),该半导体管芯具有在器件侧表面上的键合焊盘(408);钝化层(411),该钝化层叠置在半导体管芯的器件侧表面上,其中在钝化层中有开口,该钝化层具有背离半导体管芯的器件侧表面的平坦表面(409);柱形连接件(414),这些柱形连接件形成在键合焊盘上和钝化层中的开口中,柱形连接件具有在键合焊盘上的近端并且从键合焊盘延伸到位于钝化层的平坦表面之下的远端(413);焊料(416),该焊料位于柱形连接件的远端处并且接触钝化层中的开口的侧壁;以及焊点,这些焊点形成于柱形连接件的远端处的焊料与封装衬底之间,半导体管芯的器件侧表面面向封装衬底。
  • 倒装芯片封装组件
  • [发明专利]高电压低功率电压调节器的启动电路-CN202310316691.5在审
  • T•梅 - 德克萨斯仪器股份有限公司
  • 2023-03-29 - 2023-10-17 - G05F1/56
  • 本申请题为“高电压低功率电压调节器的启动电路”。所描述实施例包括用于电压调节器启动的电路(100)。该电路包括具有第一调节器输入和第二调节器输入以及调节器输出(120)的电压调节电路(110)。启动电路(130)具有联接到第一调节器输入(102)的启动输入,以及启动输出。参考生成电路(140)具有第一参考输入和第二参考输入以及第一参考输出和第二参考输出。第一参考输入联接到调节器输出(120)。第二参考输入联接到启动输出,且第一参考输出联接到参考输出端子(150)和第二调节器输入。参考检测电路(132)具有联接到调节器输出(120)的第一检测输入,和联接到第二参考输出的第二检测输入,并响应于参考电压在参考规格内提供参考就绪信号(134)。
  • 压低功率电压调节器启动电路
  • [发明专利]使用瞬态辅助转换器的电池浪涌减少-CN202310330871.9在审
  • S·查克拉博蒂;K·斯科恩斯;P·阿塞姆 - 德克萨斯仪器股份有限公司
  • 2023-03-30 - 2023-10-17 - H02J7/34
  • 本申请涉及使用瞬态辅助转换器的电池浪涌减少。瞬态辅助转换器(180A,图2)包括:瞬态辅助转换器端子(186);具有第一侧和第二侧的电感器(L辅助),电感器(L辅助)的第一侧耦合到瞬态辅助转换器端子(186);具有第一电极和第二电极的电容器(C辅助),电容器的第二电极耦合到接地;在电感器(L辅助)的第二侧和电容器(C辅助)的第一电极之间的第一开关(M5);以及在电感器的第二侧和接地之间的第二开关(M6)。第一和第二开关(M5和M6)根据用于瞬态辅助转换器(180A)的充电模式和瞬态响应模式来操作。充电模式从瞬态辅助转换器端子(186)处的电荷在电容器(C辅助)上累积电荷。瞬态响应模式将电容器(C辅助)上的电荷释放到瞬态辅助转换器端子(186)。
  • 使用瞬态辅助转换器电池浪涌减少
  • [发明专利]用于识别处理器中的故障的方法和设备-CN202310387750.8在审
  • D·瓦拉达拉简;B·聂文辉斯 - 德克萨斯仪器股份有限公司
  • 2023-04-11 - 2023-10-17 - G06F11/22
  • 本申请涉及用于识别处理器中的故障的方法和设备。示例装置(206)包括内置的测试观察控制器电路系统(302),其被配置为:获得测试;向处理器(304)发送第一指令,以通过修改存储在多个存储器电路(306)中的值来开始执行测试;向处理器(304)发送第二指令,以在第一模拟时间停止执行测试,其中在测试执行的第二模拟时间期间不可观察的一个或多个存储器值在第一模拟时间期间可观察;以及增强型芯片访问跟踪扫描电路系统(310),其被配置为在测试停止时从多个存储器电路选择值的子集;以及签名电路系统(312),其被配置为:基于值的子集确定逻辑签名;以及提供逻辑签名以用于与预期签名进行比较,其中逻辑签名与预期签名之间的差异对应于处理器中的故障。
  • 用于识别处理器中的故障方法设备

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