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[发明专利]一种超高熔点稀土掺杂氧化铪光学单晶体的生长方法-CN202211701832.7有效
发明人：邓文;武文霞;张辉婷;曾甯菡;朱中华;徐守磊;熊定康;黄宇阳 -专利权人：广西大学
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了单晶薄膜技术领域的一种超高熔点稀土掺杂氧化铪光学单晶体的生长方法，所述生长方法包括以下步骤：S1、提高光学浮区炉的加热温度；S2、陶瓷料棒的制备：称量→混料→搅拌→烘干→制作料棒→抽气→等静压→烧结；S3、晶体生长：对直→对接→缩颈→扩肩→等径→收尾；S4、晶体加工：退火→切割→抛光；本发明中HfO2作为一种高介电常数材料可替代目前硅基集成电路的核心器件的栅极绝缘层二氧化硅，实现最小化有效电容厚度；加入氧化镨、氧化镥可以稳定氧化铪晶体，具有很好的结构稳定性；由于氧化铪的熔点极高，用一般的方法无法生长氧化铪单晶体，本发明采用光学浮区法生长高质量超高熔点稀土掺杂氧化铪光学单晶体。
一种超高熔点稀土掺杂氧化光学单晶体生长方法

[发明专利]一种稀土掺杂氧化锆单晶体白光固态光源及其制备方法-CN202211550378.X在审
发明人：邓文;潘一华;武丽敏;武文霞;芦宇辰;徐守磊;熊定康;黄宇阳 -专利权人：广西大学
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了单晶制备生产技术领域的一种稀土掺杂氧化锆单晶体白光固态光源及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：步骤一：称取原材料；步骤二：陶瓷料棒的制备；步骤三：晶体生长；步骤四：晶体加工；步骤五：白光固态光源封装；本发明为了解决生长高质量高熔点稀土掺杂氧化锆单晶体的问题，本发明采用光学浮区法生长高质量稀土掺杂氧化锆单晶体，通过上转换发光获得蓝光、绿光和红光发射，调整掺杂稀土的含量，可产生复合白光；制备了封装有波长为980nm的红外发光二极管和抛光后的晶体片的白光固态光源，通过调整二极管的发光频率实现亮度的调节，从而实现不同晶体之间的切换实现冷白光、暖白光、纯白光发射之间的转换。
一种稀土掺杂氧化锆单晶体白光固态光源及其制备方法

[发明专利]一种采用光学浮区法制备铝酸锶单晶体的工艺-CN202111546460.0在审
发明人：芦宇辰;熊定康;陈龙;侯晶文;邓文;徐守磊;张群跃;黄彬;杨煜华 -专利权人：广西大学
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用光学浮区法制备铝酸锶单晶体的工艺，配料：将原料SrCO3、Al2O3按照化合反应比置于烧杯中；搅拌：将其加入原料的烧杯，加入无水乙醇后，混合；烘干：将搅拌好的样品进行烘干，致无水乙醇完全挥发；前驱料棒制备：上述样品粉末置于圆柱形模具中，并由等静压机高压下压致成型；烧结：将制备好的前驱料棒置于高温炉中烧结形成多晶陶瓷料棒；晶体生长：将多晶陶瓷料棒置于光学浮区炉中进行单晶体的生长；退火处理：将生长出的单晶体置于高温炉中进行退火处理以消除残余应力，光学基质材料铝酸锶熔点高达1500摄氏度以上，采用光学浮区法成功生长出无色、透明、大尺寸的高质量铝酸锶单晶，为长余辉基质材料带来了新的进展。
一种采用光学法制备铝酸锶单晶体工艺