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[发明专利]再生掩模透光基板的处理方法及掩模基版的制造方法-CN202110587063.1在审
发明人：车翰宣;张雄哲;陈昊 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： B23K26/36 文献下载
摘要：本发明提供一种再生掩模透光基板的处理方法及掩模基版的制造方法，处理方法包括：1)提供一掩模基版，掩模基版包括透光基板以及位于透光基板上的掩模材料层；2)采用激光照射掩模材料层，使掩模材料层发生升华反应，以将掩模材料层自透光基板上去除，以形成再生掩模透光基板。本发明采用激光去除的方法，利用激光同时去除掩模基版上的光刻胶、金属膜、金属化合物膜等掩模材料，本发明在去除的过程中不需要使用湿法腐蚀溶液，解决了湿法腐蚀费用较高、工艺时间较长及环境污染等问题。本发明通过加工后获得的再生掩模透光基板，具有与原透光基板相同性能，有效实现了透光基板的可循环再利用。
再生透光处理方法掩模基版制造

[发明专利]一种掩模基版的制备方法-CN202110535823.4在审
发明人：车翰宣;张雄哲 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： G03F1/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种掩模基版的制备方法，该方法包括：提供透明基板；在透明基板上沉积遮光膜；在遮光膜上沉积防反射膜；采用硫酸和/或双氧水对防反射膜进行氧化处理，形成防反射膜氧化膜；在防反射膜氧化膜上涂覆光刻胶，形成光刻胶层；光刻胶为化学放大型光刻胶。
一种掩模基版制备方法